一种芯片测试方法技术

本公开提供了一种芯片测试方法

【技术实现步骤摘要】
一种芯片测试方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本公开涉及芯片
，尤其涉及一种芯片测试方法
、
装置
、
电子设备及存储介质
。

技术介绍

[0002]相关技术中采用固定门限或动态门限对芯片进行测试，固定门限的方式无法根据生产批次的实际情况进行门限调整，会导致有风险的芯片被市场端使用，同时也会导致过度检测，使没问题的芯片被剔除，提升生产成本；动态门限的方式是基于一定数量的芯片测试数据计算门限，但芯片在测试过程中会受到多种因素影响，基于一定数量的芯片获得的门限并不一定适用于当前测试的芯片，会导致过度检测或有风险的芯片流入市场
。

技术实现思路

[0003]本公开提供了一种芯片测试方法
、
装置
、
电子设备及存储介质，以至少解决现有技术中存在的以上技术问题
。
[0004]根据本公开的第一方面，提供一种芯片测试方法，包括：
[0005]基于至少两颗芯片在不同结温下的消耗电流值，确定结温
‑
消耗电流拟合曲线和每一个结温对应的温度系数；所述结温
‑
消耗电流拟合曲线包括不同的结温与消耗电流值之间的对应关系；
[0006]基于多颗芯片的测试结果和所述每一个结温对应的温度系数验证所述结温
‑
消耗电流拟合曲线，并获得验证结果；
[0007]响应于所述验证结果为验证通过，则基于所述结温
‑
消耗电流拟合曲线
、
每一个结温对应的温度系数
、
最大门限值和待测试芯片的结温确认所述待测试芯片对应的动态门限值，基于所述动态门限值对所述待测试芯片进行测试
。
[0008]根据本公开的第二方面，提供一种芯片测试装置，所述装置包括：
[0009]曲线拟合电路，用于基于至少两颗芯片在不同结温下的消耗电流值，确定结温
‑
消耗电流拟合曲线和每一个结温对应的温度系数；所述结温
‑
消耗电流拟合曲线包括不同的结温与消耗电流值之间的对应关系；
[0010]验证电路，用于基于多颗芯片的测试结果和所述每一个结温对应的温度系数验证所述结温
‑
消耗电流拟合曲线，并获得验证结果；
[0011]测试电路，用于响应于所述验证结果为验证通过，则基于所述结温
‑
消耗电流拟合曲线
、
每一个结温对应的温度系数
、
最大门限值和待测试芯片的结温确认所述待测试芯片对应的动态门限值，基于所述动态门限值对所述待测试芯片进行测试
。
[0012]根据本公开的第三方面，提供了一种电子设备，包括：
[0013]至少一个处理器；以及
[0014]与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
[0015]所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一
个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本公开所述的方法
。
[0016]根据本公开的第四方面，提供了一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，所述计算机指令用于使所述计算机执行本公开所述的方法
。
[0017]本公开的芯片测试方法，通过基于至少两颗芯片在不同结温下的消耗电流值，确定结温
‑
消耗电流拟合曲线和每一个结温对应的温度系数；所述结温
‑
消耗电流拟合曲线包括不同的结温与消耗电流值之间的对应关系；基于多颗芯片的测试结果和所述每一个结温对应的温度系数验证所述结温
‑
消耗电流拟合曲线，并获得验证结果；响应于所述验证结果为验证通过，则基于所述结温
‑
消耗电流拟合曲线
、
每一个结温对应的温度系数
、
最大门限值和待测试芯片的结温确认所述待测试芯片对应的动态门限值，基于所述动态门限值对所述待测试芯片进行测试；如此，可以通过几颗芯片测试拟合并通过芯片验证的温度系数和结温
‑
消耗电流拟合曲线，确定最大门限值所对应的结温
‑
动态门限曲线，进而可以基于所述结温
‑
动态门限曲线和待测试芯片的结温，确定所述待测试芯片对应的动态门限值，同理，可以得到全部待测试芯片对应的动态门限值，实现对一定数量的芯片的准确测试
。
[0018]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本公开的范围
。
本公开的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解
。
附图说明
[0019]通过参考附图阅读下文的详细描述，本公开示例性实施方式的上述以及其他目的
、
特征和优点将变得易于理解
。
在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本公开的若干实施方式，其中：
[0020]在附图中，相同或对应的标号表示相同或对应的部分
。
[0021]图1示出了本公开实施例提供的芯片测试方法的一种可选流程示意图；
[0022]图2示出了本公开实施例提供的芯片测试方法的另一种可选流程示意图；
[0023]图3示出了本公开实施例提供的芯片测试方法的又一种可选流程示意图；
[0024]图4示出了本公开实施例提供的芯片测试装置的一种可选结构示意图；
[0025]图5示出了本公开实施例一种电子设备的组成结构示意图
。
具体实施方式
[0026]为使本公开的目的
、
特征
、
优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而非全部实施例
。
基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围
。
[0027]在以下的描述中，涉及到“一些实施例”，其描述了所有可能实施例的子集，但是可以理解
,“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集，并且可以在不冲突的情况下相互结合
。
[0028]在以下的描述中，所涉及的术语“第一
\
第二”仅仅是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，“第一
\
第二”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序，以使这里描述的本公开实施例能够以除了在这里图示或描述的以外的顺序实施
。
[0029]除非另有定义，本公开所使用的所有的技术和科学术语与属于本公开的

的技术人员通常理解的含义相同
。
本公开中所使用的术语只是为了描述本公开实施例的目的，不是旨在限制本公开
。
[0030]应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种芯片测试方法，其特征在于，所述方法包括：基于至少两颗芯片在不同结温下的消耗电流值，确定结温
‑
消耗电流拟合曲线和每一个结温对应的温度系数；所述结温
‑
消耗电流拟合曲线包括不同的结温与消耗电流值之间的对应关系；基于多颗芯片的测试结果和所述每一个结温对应的温度系数验证所述结温
‑
消耗电流拟合曲线，并获得验证结果；响应于所述验证结果为验证通过，则基于所述结温
‑
消耗电流拟合曲线
、
每一个结温对应的温度系数
、
最大门限值和待测试芯片的结温确认所述待测试芯片对应的动态门限值，基于所述动态门限值对所述待测试芯片进行测试
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于至少两颗芯片在不同结温下的消耗电流值，确定结温
‑
消耗电流拟合曲线，包括：分别测试所述至少两颗芯片中每一颗芯片在不同结温下对应的消耗电流值，并基于芯片在不同结温下对应的消耗电流值确认每一颗芯片对应的结温
‑
消耗电流值曲线；基于最小二乘法对所述至少两颗芯片中每一颗芯片对应的结温
‑
消耗电流值曲线进行拟合，确定拟合结果为所述定结温
‑
消耗电流拟合曲线
。3.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于至少两颗芯片在不同结温下的消耗电流值，确定每一个结温对应的温度系数包括：确认第一结温对应的消耗电流值与所述最大结温对应的消耗电流值之比，为所述第一结温对应的温度系数；其中，所述第一结温为任一结温
。4.
根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述基于多颗芯片的测试结果和所述每一个结温对应的温度系数验证所述结温
‑
消耗电流拟合曲线，并获得验证结果，包括：获取所述多颗芯片中每一颗芯片对应的至少两次测试结果；所述测试结果包括测试结温和对应的消耗电流值；基于所述每一个结温对应的温度系数，分别获取所述至少两次测试结果中测试结温对应的最大电流值；基于所述至少两次结果中测试结温对应的最大电流值之间的比值，确认验证结果
。5.
根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述每一个结温对应的温度系数，分别获取所述至少两次测试结果中测试结温对应的最大电流值，包括对每一次测试结果执行以下操作：获取测试结果中测试结温对应的温度系数和所述测试结温对应的最大电流值；确认所述测试结温对应的最大电流值与所述测试结温对应的温度系数的比值，为所述测试结果中测试结温对应的最大电流值
。6.
根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述至少两次结果中测试结温对应的最大电流值之间的比值，确认验证结果，包括：响应于所述至少两次结果中测试结温对应的最大电流值之间的比值与目标数值之差的绝对值小于或等于预设阈值，则确认验证结果为验证通过；响应于所述至少两次结果中测试结温对应的最大电流值之间的比值与目标数值之差的绝对值大于所述预设阈值，则确认验证结果为验证未通过，重新基于至少两颗芯片在不
同结温下的消耗电流值，确定结温
‑
消耗电流拟合曲线和每一个结温对应的温度系数，并基于多颗芯片的测试结果和所述每一个结温对应的温度系数验证所述结温
...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵海涛，孙鸣乐，王俊俊，任勤，
申请(专利权)人：南京芯驰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：