异质结电池及其制备方法技术

本申请提供一种异质结电池及其制备方法，涉及电池技术领域，该制备方法通过单面沉积并配合退火处理来提高第一透明导电薄膜的抗腐蚀能力，即抗酸抗碱能力，然后以第一透明导电薄膜作为保护层，进行后续的单面制绒，从而能够避免在制程中引入热氧化和链式单面酸洗等工艺，在简化工艺制程的同时，能够降低制程中发生片脏及划伤现象的风险，改善电池的

【技术实现步骤摘要】
异质结电池及其制备方法


[0001]本申请涉及太阳电池
，具体而言，涉及一种异质结电池及其制备方法
。

技术介绍

[0002]异质结电池作为新一代超高效太阳电池技术，其具有工艺温度低
、
界面钝化性能好
、
光电转换性能高以及生产成本低的商业价值，近年来得到了快速发展
。
[0003]异质结电池由于具有完美的对称结构，正面
、
背面受光照后都能发电
。
封装成双面电池组件后，年平均发电量比单面电池组件多出
10
％以上
。
为了能对光实现更好的利用，一种新技术是将异质结电池的两侧表面分别制成绒面
、
光面
。
为形成该结构，现有异质结电池通常采用双面制绒
、
双面热氧化
、
链式单面酸洗
、
碱抛以及双面沉积等工艺进行制备，其制备过程繁琐复杂，细节难以控制，容易造成制备后的电池整体
EL(Electroluminescence
，电致发光
)
发黑，影响电性能
。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种异质结电池及其制备方法
。
[0005]为实现上述目的，本申请采用的技术方案如下：
[0006]本申请实施例的一方面，提供一种异质结电池制备方法，方法包括：
[0007]提供半导体基底，半导体基底具有相对的第一表面和第二表面；
[0008]在半导体基底的第一表面沉积第一晶硅叠层；
[0009]在第一晶硅叠层上沉积第一透明导电层；
[0010]对第一透明导电层进行退火处理；
[0011]通过制绒工艺在半导体基底的第二表面形成织构化绒面；
[0012]在织构化绒面依次沉积第二晶硅叠层和第二透明导电层
。
[0013]可选的，对第一透明导电层进行退火处理包括：
[0014]在温度为
150
至
180℃、
时间为6至
8min
的条件下，对第一透明导电层进行退火处理，以增强抗碱性和耐酸性
。
[0015]可选的，第一透明导电层的材质为金属氧化物
。
[0016]可选的，通过制绒工艺在半导体基底的第二表面形成织构化绒面包括：
[0017]通过碱性溶液腐蚀半导体基底的第二表面形成织构化绒面
。
[0018]可选的，在半导体基底的第一表面沉积第一晶硅叠层之前，方法还包括：
[0019]对半导体基底的第一表面和第二表面进行抛光和清洗
。
[0020]可选的，方法还包括：
[0021]在第一透明导电层和第二透明导电层分别背离半导体基底的一侧形成栅线，形成栅线的方式包括丝网印刷
、
电镀或一体化覆膜技术
。
[0022]可选的，第一晶硅叠层和
/
或第二晶硅叠层包括依次形成的本征层和掺杂层
。
[0023]可选的，第一晶硅叠层的掺杂层为
P
型掺杂，第二晶硅叠层的掺杂层为
N
型掺杂
。
[0024]本申请实施例的另一方面，提供一种异质结电池，包括：
[0025]具有相对设置的第一表面和第二表面的半导体基底；
[0026]在半导体基底的第一表面依次层叠第一晶硅叠层和第一透明导电层，其中，第一透明导电层经过退火处理；
[0027]在半导体基底的第二表面设有织构化绒面；
[0028]在织构化绒面依次层叠第二晶硅叠层和第二透明导电层
。
[0029]可选的，第一透明导电层的材质为金属氧化物
。
[0030]可选的，第一晶硅叠层和
/
或第二晶硅叠层包括依次层叠的本征层和掺杂层
。
[0031]本申请的有益效果包括：
[0032]本申请提供了一种异质结电池及其制备方法，通过单面沉积并配合退火处理来提高第一透明导电薄膜的抗腐蚀能力，即抗酸抗碱能力，然后以第一透明导电薄膜作为保护层，进行后续的单面制绒，从而能够避免在制程中引入热氧化和链式单面酸洗等工艺，在简化工艺制程的同时，能够降低制程中发生片脏及划伤现象的风险，改善电池的
EL
发黑，提高电池的电性能
。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图
。
[0034]图1为本申请实施例提供的一种异质结电池制备方法的流程示意图；
[0035]图2为本申请实施例提供的一种异质结电池制备的状态示意图之一；
[0036]图3为本申请实施例提供的一种异质结电池制备的状态示意图之二；
[0037]图4为本申请实施例提供的一种异质结电池制备的状态示意图之三；
[0038]图5为本申请实施例提供的一种异质结电池制备的状态示意图之四；
[0039]图6为本申请实施例提供的一种异质结电池的结构示意图
。
[0040]图标：
[0041]110
‑
半导体基底；
120
‑
第一晶硅叠层；
121
‑
本征层；
122
‑
掺杂层；
130
‑
第一透明导电层；
140
‑
第二晶硅叠层；
150
‑
第二透明导电层；
160
‑
栅线
。
具体实施方式
[0042]下文陈述的实施方式表示使得本领域技术人员能够实践所述实施方式所必需的信息，并且示出了实践所述实施方式的最佳模式
。
在参照附图阅读以下描述之后，本领域技术人员将了解本申请的概念，并且将认识到本文中未具体提出的这些概念的应用
。
应理解，这些概念和应用属于本公开和随附权利要求的范围内
。
[0043]应当理解，虽然术语第一
、
第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制
。
[0044]应当理解，当一个元件
(
诸如层
、
区域或衬底
)
被称为“在另一个元件上”或“延伸到
另一个元件上”时，其可以直接在另一个元件上或直接延伸到另一个元件上，或者也可以存在介于中间的元件
。
相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件上”或“直接延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种异质结电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一表面和第二表面；在所述半导体基底的第一表面沉积第一晶硅叠层；在所述第一晶硅叠层上沉积第一透明导电层；对所述第一透明导电层进行退火处理；通过制绒工艺在所述半导体基底的第二表面形成织构化绒面；在所述织构化绒面依次沉积第二晶硅叠层和第二透明导电层
。2.
如权利要求1所述的异质结电池制备方法，其特征在于，所述对所述第一透明导电层进行退火处理包括：在温度为
150
至
180℃、
时间为6至
8min
的条件下，对所述第一透明导电层进行退火处理，以增强抗碱性和耐酸性
。3.
如权利要求1所述的异质结电池制备方法，其特征在于，所述第一透明导电层的材质为金属氧化物
。4.
如权利要求1所述的异质结电池制备方法，其特征在于，所述通过制绒工艺在所述半导体基底的第二表面形成织构化绒面包括：通过碱性溶液腐蚀所述半导体基底的第二表面形成织构化绒面
。5.
如权利要求1所述的异质结电池制备方法，其特征在于，在所述半导体基底的第一表面沉积第一晶硅叠层之前，所述方法还包括：对所述半导体基底的第一表面和第二表面进行抛光...

【专利技术属性】
技术研发人员：张景，孙鹏，辛科，萧吉宏，
申请(专利权)人：安徽华晟新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：