【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池的制备，具体涉及一种异质结电池的制备方法及异质结电池。
技术介绍
1、晶体硅异质结太阳电池(shj或hjt)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有结构简单，工艺温度低、钝化效果好，开路电压高/温度特性好，双面发电等优点。铜电镀在栅线电极金属化环节起到降低成本、增加效率的新技术，替代现有高银耗量的主流丝网印刷技术，较为适合应用在异质结太阳电池上。
2、现有技术中的铜电镀的工艺流程包括：
3、1)种子层制备：是在已制绒的硅片(半导体衬底层)上进行的；
4、2)图形化：在种子层上丝网印刷或喷涂感光胶层，通过曝光、显影，将感光胶层形成对应着导电图形层图案的层结构；
5、3)在部分导电图形中电镀形成栅线电极。
6、在上述工艺流程中，2)中由于硅片的表面为全部绒面，在硅片的一侧制绒后得到的种子层的表面呈金字塔形状，在种子层上丝网印刷或喷涂感光胶层之后，感光胶层与种子层未充分接触留有缝隙，由于2)的图形化工序中进行显影之后，有显影液残留，导致3)中栅线电极与种子层未能充分接触而留有缝隙，一方面导致异质结电池的电性能较差；另一方面栅线电极与种子层之间的接触效果较差，进而导致栅线电极与硅片之间的附着力小，异质结电池的良品率低。
技术实现思路
1、因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的异质结电池的电性能较差和良品率低的缺陷，从而提供一种异质结电池的制备方法及异质结电池。>
2、本专利技术提供一种异质结电池的制备方法，包括：提供半导体衬底层，所述半导体衬底层包括相对的第一表面和第二表面；在所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面形成图形化掩膜；对所述半导体衬底层未被所述图形化掩膜覆盖的区域进行制绒处理，使得所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面呈部分绒面；去除所述图形化掩膜，所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面在对应所述图形化掩膜的区域为光面；在所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面的一侧形成感光膜层；在所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面形成感光膜层之后，对所述感光膜层进行处理以形成栅线预形成层；所述栅线预形成层包括导电图形区，所述导电图形区在所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面的投影对应于所述光面；在对应所述导电图形区电镀形成栅线电极。
3、可选的，所述图形化掩膜为抗酸掩膜；所述制绒处理采用酸性制绒溶液，所述酸性制绒溶液包括hf和/或hno3的混合溶液，制绒处理的温度为25℃-80℃，制绒处理的时间100s-800s；或者，所述图形化掩膜为抗碱掩膜；所述制绒处理采用碱性制绒溶液，所述碱性制绒溶液包括naoh溶液，碱性制绒溶液的质量百分比浓度为1％-10％，制绒处理的温度为25℃-100℃，制绒处理的时间200s-800s。
4、可选的，在所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面形成图形化掩膜之前，对所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面进行抛光处理；所述抛光处理采用碱液，所述碱液包括naoh，naoh的质量百分比浓度为1％-20％，抛光处理的温度为25℃-80℃，抛光处理的时间10s-300s；进行抛光处理之后，所述半导体衬底层的表面的粗糙度小于0.2μm。
5、可选的，对所述感光膜层进行处理以形成栅线预形成层的步骤包括:提供图形化的遮光膜；将图形化的遮光膜铺设在所述感光膜层的表面；对所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面进行曝光处理；进行曝光处理之后，对所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面进行显影处理；其中：所述曝光处理采用激光直接成像曝光；所述显影处理采用naco3溶液，所述naco3的质量百分比浓度为1％-5％，温度为20℃-40℃；所述栅线预形成层还包括非导电图形区，所述非导电图形区完全对应所述第一表面和/或第二表面的绒面；或者，所述非导电图形区和/或第二表面所述第一表面的绒面，还对应所述绒面紧邻的部分所述光面；所述导电图形区包括主栅图形区和副栅图形区，所述主栅图形区的宽度为30μm-100μm；所述副栅图形区的宽度为5μm-30μm。
6、可选的，去除所述图形化掩膜的步骤包括：采用第一解膜液对所述图形化掩膜进行第一清洗处理；所述图形化掩膜为抗酸掩膜时，所述第一解膜液包括naoh；naoh的质量百分比浓度为1％-10％，第一清洗处理的温度为25℃-80℃，第一清洗处理的时间30s-300s；所述图形化掩膜为抗碱掩膜时，所述第一解膜液包括hf；hf的质量百分比浓度为1％-10％，第一清洗处理的温度为25℃-80℃，第一清洗处理的时间60s-300s。
7、可选的，去除所述图形化掩膜之后，还包括：在所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面形成本征半导体层；形成所述本征半导体层之后，在所述本征半导体层背离所述半导体衬底层的一侧形成掺杂半导体层；在所述本征半导体层背离所述半导体衬底层的一侧形成掺杂半导体层之后，在所述掺杂半导体层背离所述半导体衬底层的一侧形成透明导电膜；在所述掺杂半导体层背离所述半导体衬底层的一侧形成所述透明导电膜之后，在所述透明导电膜背离所述半导体衬底层的一侧形成种子层；在所述透明导电膜背离所述半导体衬底层的一侧形成所述种子层之后，在所述种子层背离所述半导体衬底层的一侧形成感光膜层；所述种子层覆盖所述光面和所述绒面；所述感光膜层为覆盖所述光面和所述绒面的整面；所述种子层的材料包括铜；所述栅线电极的材料包括铜。
8、可选的，在对应所述导电图形区电镀形成栅线电极之后，还包括:去除所述栅线预形成层中的非导电图形区；去除所述非导电图形区的步骤包括：采用第二解膜液对所述非导电图形区进行第二清洗处理；所述第二解膜液包括naoh；naoh的质量百分比浓度为1％-10％，第二清洗处理的温度为25℃-50℃，第二清洗处理的时间60s-300s。
9、可选的，去除所述非导电图形区之后，去除部分所述种子层；去除部分所述种子层的步骤包括：采用刻蚀液对与所述非导电图形区对应的部分所述种子层行刻蚀处理；所述刻蚀液包括h2o2和h2so4的混合溶液；在h2o2和h2so4的混合溶液中，所述刻蚀液中的h2o2和h2so4的摩尔比为0.1-1；刻蚀处理的温度为25℃-50℃，刻蚀处理的时间10s-100s。
10、本专利技术还提供一种异质结电池，采用本专利技术所述的异质结电池的制备方法制备得到，包括：半导体衬底层，所述半导体衬底层包括相对的第一表面和第二表面；所述第一表面和/或第二表面呈部分绒面、部分光面；栅线电极，所述栅线电极在所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面的投影对应于仅对应于所述光面。
11、可选的，还包括：本征半导体层；位于所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面，且位于所述半导体衬底层与所述栅线电极之间；掺杂半导体层，位于所述本征半导体层背离所述半导体衬底层的一侧，且位于所述本征半导体层与所述栅线电极之间；透明导电膜，位于所述掺杂半导体层背离所述半导体衬底层的一侧，且位于所述掺杂本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述图形化掩膜为抗酸掩膜；所述制绒处理采用酸性制绒溶液，所述酸性制绒溶液包括HF和/或HNO3的混合溶液，制绒处理的温度为25℃-80℃，制绒处理的时间100s-800s；
3.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面形成图形化掩膜之前，对所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面进行抛光处理；
4.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，对所述感光膜层进行处理以形成栅线预形成层的步骤包括:
5.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，去除所述图形化掩膜的步骤包括：采用第一解膜液对所述图形化掩膜进行第一清洗处理；
6.根据权利要求4所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，去除所述图形化掩膜之后，还包括：
7.根据权利要求4所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，在对应所述导电图形区电镀形成栅线电极之后，还包括:去除所述栅线
8.据权利要求6所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，去除所述非导电图形区之后，去除部分所述种子层；
9.一种异质结电池，采用权利要求1-8任一项所述的异质结电池的制备方法制备得到，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的异质结电池，其特征在于，还包括：本征半导体层，位于所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面，且位于所述半导体衬底层与所述栅线电极之间；
...【技术特征摘要】
1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述图形化掩膜为抗酸掩膜；所述制绒处理采用酸性制绒溶液，所述酸性制绒溶液包括hf和/或hno3的混合溶液，制绒处理的温度为25℃-80℃，制绒处理的时间100s-800s；
3.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面形成图形化掩膜之前，对所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面进行抛光处理；
4.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，对所述感光膜层进行处理以形成栅线预形成层的步骤包括:
5.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，去除所述图形化掩膜的步骤包括：采用...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭长涛，张良，张建伟，萧吉宏，
申请(专利权)人：安徽华晟新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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