异质结电池的制备方法及异质结电池技术

本发明专利技术涉及太阳能电池的制备技术领域，具体提供异质结电池的制备方法及异质结电池，异质结电池的制备方法包括：在半导体衬底层的第一表面和/或第二表面形成图形化掩膜；对半导体衬底层未被图形化掩膜覆盖的区域进行制绒处理，去除图形化掩膜，半导体衬底层的第一表面和/或第二表面在对应图形化掩膜的区域为光面；在半导体衬底层的第一表面和/或第二表面的一侧形成感光膜层；对感光膜层进行处理以形成栅线预形成层；栅线预形成层包括导电图形区，导电图形区在半导体衬底层的第一表面和/或第二表面的投影对应于光面；在对应导电图形区电镀形成栅线电极。本发明专利技术提供异质结电池的制备方法提高异质结电池的电性能和良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池的制备，具体涉及一种异质结电池的制备方法及异质结电池。

技术介绍

1、晶体硅异质结太阳电池(shj或hjt)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有结构简单，工艺温度低、钝化效果好，开路电压高/温度特性好，双面发电等优点。铜电镀在栅线电极金属化环节起到降低成本、增加效率的新技术，替代现有高银耗量的主流丝网印刷技术，较为适合应用在异质结太阳电池上。

2、现有技术中的铜电镀的工艺流程包括：

3、1)种子层制备：是在已制绒的硅片(半导体衬底层)上进行的；

4、2)图形化：在种子层上丝网印刷或喷涂感光胶层，通过曝光、显影，将感光胶层形成对应着导电图形层图案的层结构；

5、3)在部分导电图形中电镀形成栅线电极。

6、在上述工艺流程中，2)中由于硅片的表面为全部绒面，在硅片的一侧制绒后得到的种子层的表面呈金字塔形状，在种子层上丝网印刷或喷涂感光胶层之后，感光胶层与种子层未充分接触留有缝隙，由于2)的图形化工序中进行显影之后，有显影液残留，导致3)中栅线电极与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述图形化掩膜为抗酸掩膜；所述制绒处理采用酸性制绒溶液，所述酸性制绒溶液包括HF和/或HNO3的混合溶液，制绒处理的温度为25℃-80℃，制绒处理的时间100s-800s；

3.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面形成图形化掩膜之前，对所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面进行抛光处理；

4.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，对所述感光膜层进行处理以形成栅线预形成层...

【技术特征摘要】

1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述图形化掩膜为抗酸掩膜；所述制绒处理采用酸性制绒溶液，所述酸性制绒溶液包括hf和/或hno3的混合溶液，制绒处理的温度为25℃-80℃，制绒处理的时间100s-800s；

3.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面形成图形化掩膜之前，对所述半导体衬底层的第一表面和/或第二表面进行抛光处理；

4.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，对所述感光膜层进行处理以形成栅线预形成层的步骤包括:

5.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，去除所述图形化掩膜的步骤包括：采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭长涛，张良，张建伟，萧吉宏，
申请(专利权)人：安徽华晟新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：