【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体产品制作，尤其涉及一种单晶炉加热结构、单晶炉和单晶炉的加热方法。
技术介绍
1、根据v/g理论，当晶体以不同的拉速生长v时，需要与之匹配合适的轴向温度差g，使之比值接近于理想值ζ，这样才能拉制defect free的完美晶体，在实际拉晶过程中为了匹配拉速，通常通过改变导流筒与硅溶液界面的间距来调整合理的g值，但实际操作过程中，由于距离改变导致惰性气体流量、炉内压力、惰性气体掠过表面的速度等发生改变，增加了很多变量，使得工艺参数调整很复杂，不宜实施，而且随着热场老化，参数调整不能实时跟上，导致晶体品质稳定性很差。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种单晶炉加热结构、单晶炉和单晶炉的加热方法，解决由于调节温度不及时，导致产品稳定性差的问题。
2、为了达到上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案是：一种单晶炉加热结构，包括：
3、环绕坩埚设置的加热结构，所述加热结构包括沿所述坩埚的周向方向均匀设置的多个加热单元；
4、...
【技术保护点】
1.一种单晶炉加热结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶炉加热结构，其特征在于，还包括多个驱动结构，每个所述驱动结构被配置为控制至少一个所述加热单元在所述坩埚的轴向方向上进行升降运动。
3.根据权利要求1所述的单晶炉加热结构，其特征在于，所述加热单元包括：
4.根据权利要求3所述的单晶炉加热结构，其特征在于，所述导电连接件可拆卸的连接于相邻的两个加热片之间。
5.根据权利要求3所述的单晶炉加热结构，其特征在于，所述导电连接件为石墨卡扣。
6.根据权利要求3所述的单晶炉加热结构，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉加热结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶炉加热结构，其特征在于，还包括多个驱动结构，每个所述驱动结构被配置为控制至少一个所述加热单元在所述坩埚的轴向方向上进行升降运动。
3.根据权利要求1所述的单晶炉加热结构，其特征在于，所述加热单元包括：
4.根据权利要求3所述的单晶炉加热结构，其特征在于，所述导电连接件可拆卸的连接于相邻的两个加热片之间。
5.根据权利要求3所述的单晶炉加热结构，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨文武，梁万亮，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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