System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 光转胶膜监测装置、生产设备及监测方法制造方法及图纸_技高网

光转胶膜监测装置、生产设备及监测方法制造方法及图纸

技术编号:40454632 阅读:9 留言:0更新日期:2024-02-22 23:12
本发明专利技术公开了一种光转胶膜监测装置、生产设备及监测方法,光转胶膜监测装置包括:监测暗室,监测暗室的壁面开设有光转胶膜的进入通道;光线发射单元,位于监测暗室内,光线发射单元适于自光转胶膜的一侧向光转胶膜发射待转光,待转光适于被光转胶膜中的光转剂转换成目标光,待转光为第一波长范围的光,目标光为第二波长范围的光,第一波长范围与第二波长范围不同,待转光和目标光择一作为受检光;光谱分析单元,位于监测暗室内,光谱分析单元用于接收受检光、生成受检光光谱,并根据受检光光谱的辐照强度判断光转胶膜的质量是否符合要求。监测光转胶膜的人力和时间成本低,可对所有的光转胶膜进行监测,可提高产品的良率,提高整个产线的产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及监测,具体涉及一种光转胶膜监测装置、生产设备及监测方法


技术介绍

1、光转胶膜是一种能够将紫外光转换成可见光的光伏专用胶膜,此胶膜可以保护光伏电池,避免紫外线对光伏电池造成损伤,转换出的可见光会部分反射,改善光伏组件外观,根据转换的可见光波段不同呈现蓝色或者其他可见光颜色。光转胶膜是在普通胶膜中添加光转剂来实现光转功能,如果光转剂浓度不够,则无法将紫外光全部转换成可见光,透过的紫外光依然会对光伏电池造成损害;另外,如果光转剂均匀度较差,浓度较低位置由于光转化率不够,部分紫外线未被光转成功,依然会对部分电池造成损害,且由于不同部分光转化率的不同,会导致光伏组件呈现不均匀的颜色,进而使得组件的外观不良。

2、一般膜类产品的质量监测主要侧重于监测光转胶膜的厚度等参数,这是因为膜厚监测装置通常成本较低、且厚度监测最为直观,因此膜类工厂通常均配备有厚膜监测装置。在光转胶膜的生产过程中,依然沿用原有的膜厚监测装置来对光转胶膜进行质量监测,实践发现单纯的厚度监测导致无法对光转剂浓度或均匀性进行检测,最终导致光转胶膜的良率较低。

3、为了克服单纯的厚度监测带来的不足,有采用气相色谱法对光转胶膜中光转剂的浓度和分布均匀性进行监测。此种监测,通常是在光转胶膜收卷时取尾部样品,送实验室检测。为测定光转胶膜中光转剂的浓度和分布均匀性,需要将光转胶膜分为多个单元分别进行测试,每个单元所需的测试需要半小时左右,因此具有较高的人力成本和时间成本,且所监测到的光转剂的浓度及均匀性只能反应取样材料本身,而中间未经监测的光转胶膜依然具有不合格的风险,无法做到对所有光转胶膜的实时监测。

4、鉴于上述不足,有必要设计一种专门针对光转胶膜的监测装置、生产设备及监测方法。


技术实现思路

1、因此,本专利技术要解决的技术问题在于采用气相色谱法对光转胶膜中光转剂的浓度和分布均匀性进行监测,导致人力成本和时间成本高,以及监测无法对所有的光转胶膜进行实时监测,从而提供一种光转胶膜监测装置、生产设备及监测方法。

2、为解决上述技术问题,本专利技术的技术方案如下:

3、一种光转胶膜监测装置,包括:

4、监测暗室,所述监测暗室的壁面开设有光转胶膜的进入通道;

5、光线发射单元,位于所述监测暗室内,所述光线发射单元适于自光转胶膜的一侧向所述光转胶膜发射待转光,所述待转光适于被所述光转胶膜中的光转剂转换成目标光,所述待转光为第一波长范围的光,所述目标光为第二波长范围的光,第一波长范围与第二波长范围不同,所述待转光和所述目标光择一作为受检光;

6、光谱分析单元,位于所述监测暗室内,所述光谱分析单元用于接收所述受检光、生成受检光光谱,并根据所述受检光光谱的辐照强度判断所述光转胶膜的质量是否符合要求。

7、进一步地,所述光谱分析单元根据所述光转胶膜上相邻的两检测区域所对应的所述受检光光谱的辐照强度的差值与预设受检光光谱辐照强度差值进行比较,以判断所述光转胶膜中光转剂的分布均匀性是否符合要求,和/或,

8、所述光谱分析单元根据所述光转胶膜上各检测区域对应的所述受检光光谱的辐照总强度与预设受检光光谱辐照总强度进行比较,以判断所述光转胶膜中光转剂的浓度是否符合要求。

9、进一步地,所述第一波长范围为10nm至400nm,所述第二波长范围为300nm至500nm。

10、进一步地,所述监测暗室上对应所述进入通道的另一壁面上还开设有光转胶膜输出通道,所述光转胶膜自所述光转胶膜进入通道向所述光转胶膜输出通道移动的路径位于所述光线发射单元和所述光谱分析单元之间。

11、本专利技术技术方案,具有如下优点:

12、1.本专利技术提供的光转胶膜监测装置,位于监测暗室内的光线发射单元,从光转胶膜的一侧向光转胶膜发射待转光,待转光被光转胶膜中的光转剂转换成目标光,光谱分析单元位于监测暗室内,接收受检光并生成受检光光谱,待转光和目标光择一作为受检光,光谱分析单元根据受检光光谱的辐照强度判断光转胶膜的质量是否符合要求,相比采用气相色谱法对光转胶膜中光转剂的浓度和分布均匀性进行监测时、需要将光转胶膜分为多个单元分别进行监测而言,通过受检光光谱的辐照强度来监测光转胶膜的质量,无须对光转胶膜进行分割并分别监测,因而可降低监测的人力成本和时间成本,并且可实时监测到光转胶膜内光转剂的情况,实现对所有的光转胶膜的监测,因而可提高产品的良率,最终提高整个产线的产能。

13、2.本专利技术提供的光转胶膜监测装置,光谱分析单元根据光转胶膜上相邻的两检测区域所对应的受检光光谱辐照强度的差值与预设受检光光谱辐照强度差值进行比较,以判断光转胶膜中光转剂的分布均匀性是否符合要求,这样一来,若光转剂的分布均匀性不符合要求,就可以及时调整光转胶膜原料中的光转剂的分布均匀性,使产品呈现均匀的颜色,进而保证产品的外观良好;和/或,光谱分析单元根据光转胶膜上各检测区域对应的受检光光谱辐照总强度与预设受检光光谱辐照总强度进行比较,以判断光转胶膜中光转剂的浓度是否符合要求,这样一来,若光转剂的浓度不符合要求,就可以及时调整光转胶膜原料中的光转剂的浓度,避免因光转剂浓度较低而导致光转化率不够、影响光转胶膜的使用性能,无论是对光转剂分布均匀性的监测还是对光转剂浓度的监测都利于提高光转胶膜的良率。

14、一种光转胶膜的生产设备,包括前述光转胶膜监测装置。

15、进一步地,还包括光转胶膜挤出装置和光转胶膜收卷装置,在所述光转胶膜的生产流水方向上,所述光转胶膜挤出装置位于所述光转胶膜监测装置的上游,所述光转胶膜收卷装置位于所述光转胶膜监测装置的下游。

16、本专利技术技术方案,具有如下优点:

17、1.本专利技术提供的光转胶膜的生产设备,具有前述光转胶膜监测装置的优点。

18、2.本专利技术提供的光转胶膜的生产设备,还包括光转胶膜挤出装置和光转胶膜收卷装置,在光转胶膜的生产流水方向上,光转胶膜挤出装置位于光转胶膜监测装置的上游,光转胶膜收卷装置位于光转胶膜监测装置的下游,这样一来,就可以在光转胶膜被挤出后,及时进行监测,监测合格后才会被收卷,以免收卷后再展开进行监测、监测完后再次进行收卷、从而影响生产效率。

19、一种光转胶膜监测方法,包括如下步骤:

20、向所述光转胶膜发射待转光,所述待转光被所述光转胶膜内光转剂转变成目标光,所述待转光和所述目标光择一作为受检光;

21、在所述光转胶膜的另一侧接收受检光并生成受检光光谱,根据所述受检光光谱的辐照强度判断光转胶膜的质量是否符合要求。

22、进一步地,比较相邻的两检测区域所对应的受检光光谱辐照强度的差值与预设受检光光谱辐照强度差值,若所述受检光光谱辐照强度的差值均不超过所述预设受检光光谱辐照强度差值,则判断所述光转胶膜中光转剂的分布均匀性符合要求,若某一所述受检光光谱辐照强度的差值大于所述预设受检光光谱辐照强度差值,则判断所述光转胶膜中光转剂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光转胶膜监测装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的光转胶膜监测装置,其特征在于,所述光谱分析单元(22)根据所述光转胶膜(4)上相邻的两检测区域所对应的所述受检光光谱的辐照强度的差值与预设受检光光谱辐照强度差值进行比较,以判断所述光转胶膜(4)中光转剂的分布均匀性是否符合要求,和/或,

3.根据权利要求2所述的光转胶膜监测装置,其特征在于,所述第一波长范围为10nm至400nm,所述第二波长范围为300nm至500nm。

4.根据权利要求1所述的光转胶膜监测装置,其特征在于,所述监测暗室(20)上对应所述进入通道的另一壁面上还开设有光转胶膜输出通道,所述光转胶膜(4)自所述光转胶膜进入通道向所述光转胶膜输出通道移动的路径位于所述光线发射单元(21)和所述光谱分析单元(22)之间。

5.一种光转胶膜的生产设备,其特征在于,包括权利要求1-4中任一项的所述光转胶膜监测装置。

6.根据权利要求5所述的光转胶膜的生产设备,其特征在于,还包括光转胶膜挤出装置(1)和光转胶膜收卷装置(3),在所述光转胶膜(4)的生产流水方向上,所述光转胶膜挤出装置(1)位于所述光转胶膜监测装置(2)的上游,所述光转胶膜收卷装置(3)位于所述光转胶膜监测装置(2)的下游。

7.一种光转胶膜监测方法,其特征在于,包括如下步骤:

8.根据权利要求7所述的光转胶膜监测方法,其特征在于,比较相邻的两检测区域所对应的受检光光谱辐照强度的差值与预设受检光光谱辐照强度差值,若所述受检光光谱辐照强度的差值均不超过所述预设受检光光谱辐照强度差值,则判断所述光转胶膜(4)中光转剂的分布均匀性符合要求,若某一所述受检光光谱辐照强度的差值大于所述预设受检光光谱辐照强度差值,则判断所述光转胶膜(4)中光转剂的分布均匀性不符合要求;和/或,

9.根据权利要求8所述的光转胶膜监测方法,其特征在于,当所述受检光为所述目标光(6)时,若各所述受检光光谱辐照总强度均不小于所述预设受检光光谱辐照强度,则判断所述光转胶膜(4)中光转剂的浓度符合要求;若某一所述受检光光谱辐照总强度小于所述预设受检光光谱辐照强度,则判断所述光转胶膜(4)中光转剂的浓度不符合要求;

10.根据权利要求7所述的光转胶膜监测方法,其特征在于,当所述待转光(5)被所述光转剂转化成所述目标光(6)的转化率不小于85%时,判断所述光转剂的浓度符合要求。

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【技术特征摘要】

1.一种光转胶膜监测装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的光转胶膜监测装置,其特征在于,所述光谱分析单元(22)根据所述光转胶膜(4)上相邻的两检测区域所对应的所述受检光光谱的辐照强度的差值与预设受检光光谱辐照强度差值进行比较,以判断所述光转胶膜(4)中光转剂的分布均匀性是否符合要求,和/或,

3.根据权利要求2所述的光转胶膜监测装置,其特征在于,所述第一波长范围为10nm至400nm,所述第二波长范围为300nm至500nm。

4.根据权利要求1所述的光转胶膜监测装置,其特征在于,所述监测暗室(20)上对应所述进入通道的另一壁面上还开设有光转胶膜输出通道,所述光转胶膜(4)自所述光转胶膜进入通道向所述光转胶膜输出通道移动的路径位于所述光线发射单元(21)和所述光谱分析单元(22)之间。

5.一种光转胶膜的生产设备,其特征在于,包括权利要求1-4中任一项的所述光转胶膜监测装置。

6.根据权利要求5所述的光转胶膜的生产设备,其特征在于,还包括光转胶膜挤出装置(1)和光转胶膜收卷装置(3),在所述光转胶膜(4)的生产流水方向上,所述光转胶膜挤出装置(1)位于所述光转胶膜监测装...

【专利技术属性】
技术研发人员:裴世超郭琦萧吉宏
申请(专利权)人:安徽华晟新能源科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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