层叠体制造技术

本公开的层叠体

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠体、电子器件以及层叠体的制造方法


[0001]本公开涉及层叠体
、
电子器件以及层叠体的制造方法
。

技术介绍

[0002]以往以来，已知具有声子晶体的材料
。
[0003]例如，专利文献
1、
专利文献2以及非专利文献1公开了由多个贯通孔构成的周期构造
。
在该周期构造中，对薄膜进行俯视，以
1nm(
纳米
)
～
1000nm
的区域的纳米级的周期规则地排列有贯通孔
。
该周期构造是声子晶体的一种
。
该类型的声子晶体是将构成贯通孔的排列的最小单位作为单位格子的周期构造
。
[0004]根据声子晶体，能够降低薄膜的热传导率
。
能够将声子晶体的这种优点应用于各种用途
。
例如，专利文献3公开了具备薄膜状的声子晶体的热红外线传感器
。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：美国专利申请公开第
2017/0047499
号说明书
[0008]专利文献2：美国专利申请公开第
2017/0069818
号说明书
[0009]专利文献3：日本特开
2017
－
223644
号公报
[0010]非专利文献
[0011]非专利文献1：
Nomura et al.
，“Impeded thermal transport is Si multiscale hierarchical architectures with phononic crystal nanostructures”，
Physical Review B 91
，
205422(2015)

技术实现思路

[0012]专利技术要解决的问题
[0013]上述技术从降低具备声子晶体的层叠体的电阻的观点出发，具有再研究的余地
。
[0014]于是，本公开提供从降低具备声子晶体的层叠体的电阻的观点出发而有利的技术
。
[0015]用于解决问题的技术方案
[0016]本公开提供以下的层叠体
。
[0017]一种层叠体，具备：
[0018]声子晶体层，其具有多个凹部；和
[0019]金属层，其配置在所述声子晶体层上或者所述声子晶体层的上方，
[0020]在所述凹部的内部存在与所述金属层所包含的金属原子同一种类的金属原子
。
[0021]专利技术效果
[0022]本公开的层叠体从降低电阻的观点出发是有利的
。
附图说明
[0023]图1是表示实施方式1的声子器件的俯视图
。
[0024]图2是将图1的
II
－
II
作为剖截线的剖视图
。
[0025]图3是以示意的方式表示金属原子从金属层向声子晶体层的扩散的剖视图
。
[0026]图4是以示意的方式表示金属原子向没有声子晶体的层的扩散的剖视图
。
[0027]图5是表示基于飞行时间二次离子质谱分析
(TOF
－
SIMS)
获得的
、
样品1和2中的
Al
浓度的曲线图
。
[0028]图6是表示基于
TOF
－
SIMS
获得的
、
样品3和4中的
Al
浓度的曲线图
。
[0029]图
7A
是样品1的剖面的扫描型电子显微镜
(SEM)
照片
。
[0030]图
7B
是另一样品的剖面的
SEM
照片
。
[0031]图8是表示样品1和2中的
、
声子晶体层的预定深度处的
Al
浓度相对于声子晶体层的表面处的
Al
浓度的百分率与距声子晶体层的表面的深度之间的关系的曲线图
。
[0032]图9是表示样品1中的
、Al
浓度和
Al
浓度相对于深度的二阶微分值的曲线图
。
具体实施方式
[0033](
成为本公开的基础的见解
)
[0034]薄膜的热传导率例如能够通过薄膜的多孔质化来降低
。
伴随着多孔质化而形成于薄膜的空隙使薄膜的热传导率降低
。
另一方面，根据声子晶体，能够降低构成薄膜的母材自身的热传导率，能期待与多孔质化相比进一步降低热传导率
。
因此，例如考虑在热红外线传感器等的电子器件中层叠具有声子晶体的层和金属层来进行使用
。
[0035]另一方面，根据本专利技术人的研究，知道了在层叠了声子晶体层和金属层的情况下，层叠体的电阻容易变高
。
为了提高层叠体的价值，层叠体的电阻低是有利的
。
于是，本专利技术人获得了通过使金属层中的金属原子向声子晶体层扩散来使层叠体的电阻降低这一构思
。
本专利技术人基于这样的构思，反复试行错误，发现了通过以使得在声子晶体层的特定位置存在金属原子的方式构成声子晶体层，层叠体的电阻容易降低，提出了本公开的层叠体
。
[0036](
本公开涉及的一个技术方案的概要
)
[0037]本公开提供以下的层叠体
。
[0038]一种层叠体，具备：
[0039]声子晶体层，其具有多个凹部；和
[0040]金属层，其配置在所述声子晶体层上或者所述声子晶体层的上方，
[0041]在所述凹部的内部存在与所述金属层所包含的金属原子同一种类的金属原子
。
[0042]在上述层叠体中，通过声子晶体层如上述那样构成，层叠体容易具有低电阻
。
[0043](
本公开的实施方式
)
[0044]以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明
。
此外，以下说明的实施方式均是表示总括性的或者具体性的例子
。
在以下的实施方式中所示的数值
、
形状
、
材料
、
构成要素
、
构成要素的配置位置以及连接形态
、
工艺条件
、
步骤
、
步骤的顺序等为一个例子，并不意在限定本公开
。
另外，关于以下的实施方式的构成要素中的
、
未记载于表示最上位概念的独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素进行说明
。
此外，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种层叠体，具备：声子晶体层，其具有多个凹部；和金属层，其配置在所述声子晶体层上或者所述声子晶体层的上方，在所述凹部的内部存在与所述金属层所包含的金属原子同一种类的金属原子
。2.
根据权利要求1所述的层叠体，在所述声子晶体层的厚度方向上从所述声子晶体层的表面向所述声子晶体层的内部离开了
10nm
的位置处的所述金属原子的浓度为4×
10 21
atoms/cm 3
以上
。3.
根据权利要求1所述的层叠体，所述声子晶体层在
0≤x≤24
的范围中满足
y≥100exp(
－
0.2326x)
的条件，在所述条件中，
x
是用纳米对所述声子晶体层中的距所述声子晶体层的表面的深度进行了表示时的数值部分，在所述条件中，
y
通过在
0≤x≤24
的范围中对所述声子晶体层的
x
纳米的深度处的所述金属原子的浓度相对于所述表面处的所述金属原子的浓度的百分率与所述深度之间的关系进行指数近似来决定
。4.
根据权利要求1所述的层叠体，所述金属层与所述声子晶体层之间的中间部处的所述金属原子的浓度的平均值比
3.68
×
10 22
atoms/cm 3
大
。5.
根据权利要求2所述的层叠体，所述金属原子的浓度在所述声子晶体层的厚度方向上的所述声子晶体层的所述表面与所述位置之间，随着距所述表面的距离的增加而阶段性地减少
。6.
根据权利要求1～5中任一项所述的层叠体，所述多个凹部规则地排列
。7.
根据权利要求1～6中任一项所述的层叠体，所述声子晶体层的厚度方向上的所述凹部的长度相对于所述凹部的直径之比为3以上
。8.
根据权利要求1～7中任一项所述的层叠体，所述凹部沿着所述声子晶体层的表面的法线方向延伸
。9.
根据权利要求1～8中任一项所述的层叠体，所述金属原子为铝
。10.
根据权利要求1～9中任一项所述的层叠体，还具备高电阻层，所述声子晶体层具有包括
n

【专利技术属性】
技术研发人员：大浦恒星，反保尚基，高桥宏平，藤金正树，田中浩之，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：