一种压环及具有其的真空腔室制造技术

本申请公开了一种压环及具有其的真空腔室，涉及半导体制造领域

【技术实现步骤摘要】
一种压环及具有其的真空腔室


[0001]本申请涉及半导体制造领域，特别涉及一种压环及具有其的真空腔室
。

技术介绍

[0002]磁控溅射，又称为物理气相沉积（
Physical Vapor Deposition
，
PVD
），是集成电路制造过程中沉积金属层和相关材料广泛采用的方法
。
其原理是通过高能粒子轰击靶材表面，将其溅射成蒸汽或离子态，然后沉积在基底（如硅片）上，形成所需的薄膜，常见的靶材包括金属
、
合金
、
氧化物
、
氮化物等
。
在
PVD
设备的真空腔室中，通常采用压环对硅片晶圆进行固定，硅片晶圆放置在承载装置上，承载装置上升至晶圆被压环压住，以防止晶圆在溅射过程中发成位移，同时避免靶材长满整个真空腔室
。
[0003]现有的压环结构，如公告号为
CN204668289U
的中国技术专利所示，主要有两种
。
一种为环状结构，即在晶圆边缘覆盖一圈环形区域，压的深度一般超过
5mm
，被压环覆盖的区域一般不能使用，所以采用这种压环会造成晶圆材料的浪费
。
另一种压环结构为压爪结构，即在压环内环设置压爪，通过压爪压住晶圆边缘，这种方式虽然能够减少晶圆材料的浪费，但压环与晶圆的接触面积减小，压环施加在晶圆上的压力变大，会产生晶圆被压碎的现象，并且随着硅片薄片化趋势的发展，这一问题会越发严重，亟待解决
。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种压环及具有其的真空腔室，解决现有技术中压环覆盖晶圆面积大
、
晶圆被压碎风险高的问题
。
[0005]为实现上述目的，本申请实施例采用以下技术方案：一种压环，包括压环本体，压环本体为环状结构，具有内环和外环，压环本体包括：第一压台，第一压台设置在内环的边缘处，第一压台的厚度为
0.5~1.5mm
，第一压台用于压住晶圆的边缘，第一压台具有第一高度；第二压台，第二压台设置在外环的边缘处，第二压台具有第二高度，第一高度小于第二高度，第二压台与真空腔室的内衬配合；支撑台，支撑台设置在第一压台和第二压台之间，支撑台具有第三高度，第三高度等于第二高度，当所述第一压台压在晶圆上时，支撑台架设在承载晶圆的承载装置上；第一压台
、
第二压台和支撑台均为环形，第一压台的内环直径小于等于晶圆的直径，第一压台的外环直径大于等于晶圆的直径
。
[0006]在上述技术方案中，本申请实施例设置具有第一高度的第一压台，保证压环与晶圆的接触面积在第一压台的厚度（
0.5~1.5mm
）范围内，减少压环覆盖晶圆的面积，进而减少晶圆材料的浪费
。
此外，通过在第一压台和第二压台之间设置支撑台，支撑台为压环本体提供配重，可以使得将第一压台的厚度调整为
0.5~1.5mm
后仍不容易产生位移，减小第一压台覆盖在晶圆上的面积，减少晶圆材料的浪费
。
同时，本申请通过将支撑台架设在承载装置上，支撑台为压环本体提供支撑力，减少第一压台施加在晶圆上的压力，进而减少晶圆被压碎的风险
。
[0007]进一步地，根据本申请实施例，其中，第一压台和第二压台之间具有第一距离
D1
，
支撑台与第一压台之间的距离为第二距离
D2
，
D2/D1=1/
（
3~4
）
。
[0008]进一步地，根据本申请实施例，其中，第二压台和支撑台的厚度为
0.1~0.4mm。
[0009]进一步地，根据本申请实施例，其中，第二压台和支撑台之间为第一平面，第一平面的厚度为
0.1~0.4mm。
[0010]进一步地，根据本申请实施例，其中，第一平面上设置有多个连接管，连接管设置在第一压台同一侧
。
[0011]进一步地，根据本申请实施例，其中，第一压台和支撑台之间为第二平面，第二平面的厚度为
0.4~0.6mm。
[0012]进一步地，根据本申请实施例，其中，第二平面上设置有顶升槽
。
[0013]进一步地，根据本申请实施例，其中，第一压台设置有多个空缺部，空缺部的深度为第一压台的高度的
1/4。
[0014]为了实现上述目的，本申请实施例还公开了一种真空腔室，具有如上所述的压环
。
[0015]与现有技术相比，本申请具有以下有益效果：本申请设置具有第一高度的第一压台，保证压环与晶圆的接触面积在第一压台的厚度（
0.5~1.5mm
）范围内，减少压环覆盖晶圆的面积，进而减少晶圆材料的浪费
。
此外，通过在第一压台和第二压台之间设置支撑台，支撑台为压环本体提供配重，可以使得将第一压台的厚度调整为
0.5~1.5mm
后仍不容易产生位移，减小第一压台覆盖在晶圆上的面积，减少晶圆材料的浪费
。
同时，本申请通过将支撑台架设在承载装置上，支撑台为压环本体提供支撑力，减少第一压台施加在晶圆上的压力，进而减少晶圆被压碎的风险
。
附图说明
[0016]下面结合附图和实施例对本申请进一步说明
。
[0017]图1是本申请中一种真空腔室的结构示意图
。
[0018]图2是本申请中一种压环的横界面图
。
[0019]图3是本申请中一种压环的平面图
。
[0020]图4是图3中的
A
处局部放大图
。
[0021]图5本申请中一种压环的立体图
。
具体实施方式
[0022]为了使本专利技术的目的
、
技术方案进行清楚
、
完整地描述，及优点更加清楚明白，以下结合附图对本专利技术实施例进行进一步详细说明
。
应当理解，此处所描述的具体实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，仅仅用以解释本专利技术实施例，并不用于限定本专利技术实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0023]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“中”、“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“顶”、“底”、“侧”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制
。
此外，术语“一”、“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”仅用于描述目的，而不能理
解为指示或暗示相对重本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种压环，其特征在于，包括压环本体，所述压环本体为环状结构，具有内环和外环，所述压环本体包括：第一压台，所述第一压台设置在内环的边缘处，所述第一压台的厚度为
0.5~1.5mm
，所述第一压台用于压住晶圆的边缘，所述第一压台具有第一高度；第二压台，所述第二压台设置在所述外环的边缘处，所述第二压台具有第二高度，所述第一高度小于所述第二高度，所述第二压台与真空腔室的内衬配合；支撑台，所述支撑台设置在所述第一压台和第二压台之间，所述支撑台具有第三高度，所述第三高度等于所述第二高度，当所述第一压台压在晶圆上时，所述支撑台架设在承载所述晶圆的承载装置上；所述第一压台
、
所述第二压台和所述支撑台均为环形，所述第一压台的内环直径小于等于晶圆的直径，所述第一压台的外环直径大于等于所述晶圆的直径
。2.
根据权利要求1所述的一种压环，其特征在于，所述第一压台和第二压台之间具有第一距离
D1
，所述支撑台与所述第一压台之间的距离为第二距离
D2
，
D2/D1=1...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍志军，董旭，谢忠材，谢传民，
申请(专利权)人：苏州赛森电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：