一种制造技术

本公开提供了一种

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT集成电路及IGBT集成电路的封装方法


[0001]本公开涉及电子器件
，具体而言，涉及一种
IGBT
集成电路及
IGBT
集成电路的封装方法
。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管
(Insulated Gate Bipolar Transistor
，
IGBT)
是由双极型三极管
(Bipolar Junction Transistor
，
BJT)
和绝缘栅型场效应管
(Metal Oxide Semiconductor
，
MOS)
组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管
(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor,MOSFET)
的高输入阻抗和电力晶体管
(Giant Transistorr/>，
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
IGBT
集成电路，其特征在于，包括：
IGBT
与续流通路；所述续流通路并联在所述
IGBT
的集电极与发射极之间；所述续流通路包括依次相连的低反向恢复分压器件与低压二极管
。2.
根据权利要求1所述的
IGBT
集成电路，其特征在于，所述低反向恢复分压器件为氮化镓高电子迁移率晶体管；在所述续流通路中，所述氮化镓高电子迁移率晶体管的源极与所述低压二极管的阴极连接，所述氮化镓高电子迁移率晶体管的栅极与所述低压二极管的阳极连接；所述氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极与所述
IGBT
的集电极连接，所述低压二极管的阳极与所述
IGBT
的发射极连接
。3.
根据权利要求2所述的
IGBT
集成电路，其特征在于：所述氮化镓高电子迁移率晶体管为常通型氮化镓高电子迁移率晶体管
。4.
根据权利要求2所述的
IGBT
集成电路，其特征在于，还包括分流电阻；所述分流电阻并联在所述低压二极管的两端
。5.
根据权利要求4所述的
IGBT
集成电路，其特征在于，还包括滤波电容；所述滤波电容并联在所述低压二极管的两端
。6.
根据权利要求2所述的
IGBT
集成电路，其特征在于：当所述
IGBT
导通时，所述氮化镓高电子迁移率晶体管处于关断状态
。7.
根据权利要求2所述的
IGBT
集成电路，其特征在于：当所述
IGBT
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志宏，王国慧，黎子兰，
申请(专利权)人：广东致能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：