一种正装制造技术

本发明专利技术公开了一种正装

【技术实现步骤摘要】
一种正装LED芯片及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体为一种正装
LED
芯片及其制作方法
。

技术介绍

[0002]LED
芯片是一种固态的半导体器件，
LED
的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来
。
[0003]传统的正装
LED
芯片一般由外延结构和芯片结构组成，外延结构包含衬底
、N
型半导体
、
量子阱
、P
型半导体；芯片结构从下往上依次为电流阻挡层
、
透明导电层
、N
型电极
、P
型电极以及钝化层；
N
型电极由
N
型焊盘和
N
型电极条组成，通过光刻技术和
ICP
干法刻蚀技术露出
N
型半导体，
N
型电极与
N
型半导体实现电性连接；
P
型电极由
P
型焊盘和
P
型电极条组成，
P
型焊盘底下从下往上依次为电流阻挡层和透明导电层，焊盘底下的电流阻挡层采用挖环设计，中间有一块电流阻挡层底部直接与电流阻挡层的上表面接触，下表面与
P
型半导体表面接触
。
环绕中间电流阻挡层的周边有一圈露出来的
P
>型半导体，直接与
P
型焊盘接触；
P
型焊盘的外圈压在透明导电层上，透明导电层的底下垫着电流阻挡层，焊盘底下对光的反射一般是通过电极中的金属铝来反射
。
[0004]然而，仅通过电极中的金属铝对焊盘底下的光进行反射，导致对光的反射率不高，进而影响正装
LED
芯片整体的质量
。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术的目的是提供一种正装
LED
芯片及其制作方法，以解决
技术介绍
中，现有仅通过电极中的金属铝对焊盘底下的光进行反射，导致对光的反射率不高，进而影响正装
LED
芯片整体的质量
。
[0006]本专利技术在于提供一种正装
LED
芯片，包括外延片，依次层叠于所述外延片上的电流阻挡层
、
透明导电层
、
电极结构以及钝化层；
[0007]其中，所述电极结构包括复合反射层
、
绝缘层以及焊盘，所述复合反射层和所述绝缘层设于所述焊盘之下；
[0008]所述复合反射层包括至少一个反射子层，所述反射子层为
Ag
层；
[0009]所述绝缘层包括
SiN
x
层
。
[0010]进一步地，所述复合反射层
、
所述绝缘层以及所述焊盘依次沉积于所述透明导电层之上，所述焊盘背离所述绝缘层的一侧穿设所述钝化层；
[0011]其中，所述绝缘层覆盖于所述复合反射层的外表面
、
并与所述透明导电层的一部分表面接触，所述透明导电层的另一部分表面沉积所述复合反射层
。
[0012]进一步地，所述电极结构还包括覆盖层；
[0013]所述绝缘层
、
所述复合反射层
、
所述覆盖层以及所述焊盘依次沉积于所述透明导电层之上，所述焊盘背离所述覆盖层的一侧穿设所述钝化层；
[0014]其中，所述覆盖层覆盖于所述复合反射层的外表面，并与所述绝缘层的一部分表
面接触，所述绝缘层的另一部分表面沉积所述复合反射层
。
[0015]进一步地，所述复合反射层直径大于或等于所述焊盘的直径
、
小于所述绝缘层的直径
。
[0016]进一步地，所述绝缘层，所述复合反射层以及所述焊盘依次沉积于所述透明导电层之上，所述焊盘背离所述复合反射层的一侧穿设所述钝化层；
[0017]其中，所述复合反射层的直径小于所述焊盘的直径，所述焊盘覆盖于所述复合反射层的外表面，并与所述绝缘层的一部分表面接触，所述绝缘层的另一部分表面沉积所述复合反射层
。
[0018]进一步地，所述绝缘层包括第一绝缘子层和第二绝缘子层，所述第一绝缘子层层叠于所述第二绝缘子层之上；
[0019]其中，所述第一绝缘子层为的材料为
SiO2、Al2O3中的任意一种，所述第二绝缘子层为所述
SiN
x
层，所述第一绝缘子层的厚度为所述第二绝缘子层的厚度为
[0020]进一步地，所述复合反射层包括第一反射子层，所述第一反射子层为
Ag
层，所述第一反射子层的厚度为
[0021]进一步地，所述复合反射层还包括第二反射子层，所述第一反射子层层叠于所述第二反射子层之上；
[0022]其中，所述第二反射子层的材料为
Ni、Ti、Cr
中的任意一种，所述第二反射子层的厚度为
[0023]进一步地，所述复合反射层还包括第二反射子层以及第三反射子层；
[0024]其中，所述第一反射子层的尺寸小于所述第二反射子层，所述第一反射子层层叠于所述第二反射子层之上，且所述第三反射子层覆盖于所述第一反射子层的外表面
、
并与所述第二反射子层的一部分表面接触，所述第二反射子层的另一部分表面层叠所述第一反射子层；
[0025]所述第二反射子层的材料为
Ni、Ti、Cr
中的任意一种，所述第二反射子层的厚度为所述第三反射子层的材料为
Ni、Ti、Pt
中的任意一种
。
[0026]本专利技术的另一方面在于提供一种正装
LED
芯片的制作方法，用于制作上述所述的正装
LED
芯片，所述方法包括：
[0027]提供一外延片；
[0028]在所述外延片上依次沉积电流阻挡层
、
透明导电层
、
电极结构以及钝化层；
[0029]其中，所述电极结构包括复合反射层
、
绝缘层以及焊盘；其中，所述复合反射层包括至少一个反射子层，一个所述反射子层为
Ag
层，所述绝缘层包括
SiN
x
层
。
[0030]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0031]在本专利技术提供的一种正装
LED
芯片中，通过在
LED
芯片的电极结构中增加复合反射层，该复合反射层包括至少一个反射子层，并且该反射子层为
Ag
层，通过
Ag
对焊盘底下的光进行反射，从而可以提高对光的反射率，具体来说，该电极结构包括复合反射层
、
绝缘层以及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种正装
LED
芯片，其特征在于，包括外延片，依次层叠于所述外延片上的电流阻挡层
、
透明导电层
、
电极结构以及钝化层；其中，所述电极结构包括复合反射层
、
绝缘层以及焊盘，所述复合反射层和所述绝缘层设于所述焊盘之下；所述复合反射层包括至少一个反射子层，所述反射子层为
Ag
层；所述绝缘层包括
SiN
x
层
。2.
根据权利要求1所述的正装
LED
芯片，其特征在于，所述复合反射层
、
所述绝缘层以及所述焊盘依次沉积于所述透明导电层之上，所述焊盘背离所述绝缘层的一侧穿设所述钝化层；其中，所述绝缘层覆盖于所述复合反射层的外表面
、
并与所述透明导电层的一部分表面接触，所述透明导电层的另一部分表面沉积所述复合反射层
。3.
根据权利要求1所述的正装
LED
芯片，其特征在于，所述电极结构还包括覆盖层；所述绝缘层
、
所述复合反射层
、
所述覆盖层以及所述焊盘依次沉积于所述透明导电层之上，所述焊盘背离所述覆盖层的一侧穿设所述钝化层；其中，所述覆盖层覆盖于所述复合反射层的外表面，并与所述绝缘层的一部分表面接触，所述绝缘层的另一部分表面沉积所述复合反射层
。4.
根据权利要求3所述的正装
LED
芯片，其特征在于，所述复合反射层直径大于或等于所述焊盘的直径
、
小于所述绝缘层的直径
。5.
根据权利要求1所述的正装
LED
芯片，其特征在于，所述绝缘层
、
所述复合反射层以及所述焊盘依次沉积于所述透明导电层之上，所述焊盘背离所述复合反射层的一侧穿设所述钝化层；其中，所述复合反射层的直径小于所述焊盘的直径，所述焊盘覆盖于所述复合反射层的外表面，并与所述绝缘层的一部分表面接触，所述绝缘层的另一部分表面沉积所述复合反射层
。6.
根据权利要求1所述的正装
LED
芯片，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星星，周志兵，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：