半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一半导体叠层、一保护层位于半导体叠层上、一电极位于半导体叠层上与半导体叠层电连接、以及一导电凸块位于电极上。导电凸块的顶部到保护层的最上表面定义为导电凸块的厚度，导电凸块的厚度与导电凸块的最大宽度的比值介于0.1～0.4，且电极的材料不含有金元素。含有金元素。含有金元素。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及发光元件，特别是涉及一种具有导电凸块的发光元件的结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light
‑
emitting diode；LED)具有耗能低、寿命长、体积小、反应速度快以及光学输出稳定等特性，已广泛应用于照明及显示器领域。
[0003]随着LED技术不断地演进，LED裸片的亮度不断地提升，LED裸片的尺寸也逐步缩小，例如：小于100μm、50μm、或是30μm，LED裸片的用途不再局限于一般照明或是作为LCD屏幕的背光源。LED裸片直接作为LED显示器的像素有机会成为下一代显示器的趋势。
[0004]一LED显示器，需要数百万乃至数千万颗LED裸片。处理如此庞大的LED裸片需要快速、精密的排列以及高可靠性的固晶技术。

技术实现思路

[0005]一半导体元件，包含一半导体叠层、一保护层位于半导体叠层上、一电极位于半导体叠层上与半导体叠层电连接、以及一导电凸块位于电极上。导电凸块的顶部到保护层的最上表面定义为导电凸块的厚度，导电凸块的厚度与导电凸块的最大宽度的比值介于0.1～0.4。
[0006]一制作半导体元件的方法，包含提供一基板、形成一半导体叠层于基板上、形成一电极于半导体叠层上、形成一接合垫于电极上、形成一胶料于接合垫上、提供一激光能量照射接合垫、胶料，接合垫熔融后形成一导电凸块位于电极上，该胶料覆盖导电凸块、以及清洗胶料。
附图说明
[0007]图1A为本专利技术一实施例的一半导体元件阵列的俯视示意图；
[0008]图1B为图1A中A
‑
A
′
线段的剖面示意图；
[0009]图1C为本专利技术另一实施例的一半导体元件阵列的俯视示意图；
[0010]图1D为图1C中A
‑
A
′
线段的剖面示意图；
[0011]图1E为本专利技术另一实施例中的一半导体元件阵列的剖面示意图；
[0012]图2A为本专利技术一实施例中的一半导体元件的立体示意图；
[0013]图2B为图2A中半导体元件沿着BB
′
线段的剖面示意图；
[0014]图2C为本专利技术另一实施例中的一半导体元件的剖面示意图；
[0015]图2D为本专利技术另一实施例中的一半导体元件的立体示意图；
[0016]图2E为图2D中半导体元件沿着BB
′
线段的剖面示意图；
[0017]图3A为本专利技术一实施例中的一半导体元件的俯视示意图；
[0018]图3B为图3A中半导体元件沿着CC
′
线段的剖面图示意图；
[0019]图3C为图3A中半导体元件沿着DD
′
线段的剖面图示意图；
[0020]图4A为本专利技术一实施例中的一半导体元件阵列2000的剖面示意图；
[0021]图4B为图4A半导体元件阵列被移除一颗半导体元件后的剖面示意图；
[0022]图4C为图4A半导体元件阵列被移除一颗半导体元件后的俯视图；
[0023]图4D为本专利技术另一实施例中的一半导体元件阵列3000的剖面示意图；
[0024]图4E为本专利技术另一实施例中的一半导体元件阵列3001的剖面示意图；
[0025]图5A～图5D为本专利技术一实施例中移转半导体元件的流程图；
[0026]图6A～图6C为本专利技术另一实施例的移转半导体元件的流程图；
[0027]图7A～图7D为本专利技术一实施例的制作半导体元件的流程图；
[0028]图8A～图8D为本专利技术另一实施例的制作半导体元件的流程图；
[0029]图9A为本专利技术另一实施例中的半导体元件的立体示意图；
[0030]图9B为图9A中半导体元件沿着BB
′
线段的剖面示意图；
[0031]图10A为本专利技术一实施例的一半导体元件固定于目标基板的示意图；
[0032]图10B为本专利技术另一实施例的一半导体元件固定于目标基板的示意图。
[0033]符号说明
[0034]1、1
′
、20
ꢀꢀꢀꢀ
半导体元件
[0035]2、2a、2b
ꢀꢀꢀꢀ
导电凸块
[0036]3、3a、3b
ꢀꢀꢀꢀ
电极
[0037]4ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
粘着结构
[0038]5a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一开孔
[0039]5b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二开孔
[0040]6a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一凹部
[0041]6b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二凹部
[0042]7、8
ꢀꢀꢀ
颗粒
[0043]10
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
基板
[0044]11
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一半导体层
[0045]12
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
活性层
[0046]13
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二半导体层
[0047]14
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
半导体叠层
[0048]15
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
保护层
[0049]16
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
平台
[0050]17
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
下表面
[0051]18
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
区域
[0052]19
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
最外侧边
[0053]21、21a、21b 顶部
[0054]22、22a、22b 最外表面
[0055]23a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一接合垫
[0056]23b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二接合垫
[0057]24a、24b
ꢀꢀ
上表面
[0058]30
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
载体
[0059]31
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
承载板
[0060]32
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
粘着层
[0061]33
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
区域
[0062]34
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
压痕
[0063]40
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
抓取工具
[0064]41
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
抓取部
[0065]50、51
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
目标基板
[0066]52
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
导电连接垫
[0067]53
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接合层
[0068]80、84
ꢀꢀꢀꢀꢀ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包含：半导体叠层；保护层，位于该半导体叠层上，具有最上表面；电极，位于该半导体叠层上与该半导体叠层电连接；以及导电凸块，位于该电极上，具有外凸的最外表面、顶部、以及最大宽度，其中，该顶部到该最上表面定义为该导电凸块的厚度，该厚度与该宽度的比值介于0.1～0.4，其中，该电极的材料不含有金元素。2.如权利要求1所述的半导体元件，还包含多个颗粒离散分布于该导电凸块内。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该多个颗粒的材料与电极的材料部分相同，并与该导电凸块不同。4.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该电极具有凹部，该导电凸块填满该凹部。5.如权利要求1所述的半导体元件，其中，在俯视图，该导电凸块大致上为矩形。6.一种半导体元件，包含：半...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄嘉兴，胡玮珊，郑景太，廖世安，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：