本发明专利技术提供晶片的磨削方法和磨削装置，课题在于防止卡盘工作台的热膨胀而均匀地磨削所有的多个晶片。该晶片的磨削方法利用磨具(452)对保持于卡盘工作台(10)的多孔板(13)的保持面(11)的晶片(100)进行磨削，该磨削方法具有如下的工序：保持工序，使晶片(100)保持于保持面(11)；磨削工序，一边对晶片(100)提供规定的温度的磨削水，一边利用磨具(452)对晶片进行磨削；以及分离工序，一边对多孔板(13)提供比磨削水的温度低的冷却流体，一边使磨削后的晶片(100)从保持面(11)分离，通过冷却流体对多孔板(13)进行冷却而使保持面(11)成为保持晶片(100)时的初始温度。持晶片(100)时的初始温度。持晶片(100)时的初始温度。
【技术实现步骤摘要】
晶片的磨削方法和磨削装置
[0001]本专利技术涉及晶片的磨削方法和用于实施该磨削方法的磨削装置，该晶片的磨削方法利用磨具对保持于卡盘工作台的多孔板的保持面的晶片进行磨削。
技术介绍
[0002]使用磨具对晶片进行磨削的磨削装置使环状的磨具一边旋转一边与保持于卡盘工作台的保持面的晶片的上表面抵接，从而对晶片的上表面进行磨削加工。在该磨削装置对晶片的磨削加工中，在相互接触而相对旋转的磨具与晶片之间产生由摩擦引起的加工热，因此，向磨具与晶片的接触面提供磨削水而去除加工热(例如，参照专利文献1)。
[0003]专利文献1：日本特开2014
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030884号公报
[0004]即使如上述那样对磨具与晶片的接触面提供磨削水而去除加工热，加工热的一部分也会经晶片而向卡盘工作台的多孔板传导，并在多孔板中蓄热。
[0005]另外，在磨削装置中，当晶片的磨削结束时，从多孔板喷出流体而使晶片从保持面分离，此时蓄积于多孔板的加工热的一部分通过流体而散热。然后，向卡盘工作台的保持面提供清洗水而对保持面进行清洗，此时同样地，由于从保持面喷出流体，多孔板也被该流体进一步冷却。
[0006]但是，并未将多孔板中蓄热的全部加工热彻底地去除，加工热的一部分依然残留在多孔板中，当将下一个晶片吸引保持在残留有该加工热的状态的多孔板的保持面上并进行磨削时，加工热的一部分再次蓄热于多孔板。这样，在多孔板中，在之前的晶片的磨削中蓄热的热量上加上之后的晶片的磨削所产生的热量，因此当反复进行晶片的磨削时，多孔板的温度逐渐上升。
[0007]并且，如上所述，当多孔板的温度随着时间的经过而逐渐上升时，卡盘工作台发生热膨胀，卡盘工作台的保持面变得不再与磨具的下表面(加工面)平行。因此，产生保持于保持面的晶片无法磨削成均匀的厚度的问题。
技术实现思路
[0008]本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于防止卡盘工作台的热膨胀而能够均匀地磨削多个晶片。
[0009]本专利技术提供晶片的磨削方法，利用磨具对保持于卡盘工作台的多孔板的保持面的晶片进行磨削，其特征在于，该晶片的磨削方法具有如下的工序：保持工序，使晶片保持于该保持面；磨削工序，一边对该晶片提供规定的温度的磨削水，一边利用该磨具对该晶片进行磨削；以及分离工序，一边对该多孔板提供比该保持面保持晶片时的初始温度低的温度的冷却流体，一边使磨削后的晶片从该保持面分离，通过该冷却流体对该多孔板进行冷却而使该保持面成为保持晶片时的初始温度。
[0010]作为对该多孔板提供的该冷却流体，例如是水与空气的混合流体。
[0011]该晶片的磨削方法包含如下的清洗工序：在该分离工序之后，对该多孔板提供该
冷却流体而使该冷却流体从该保持面喷出，利用清洗器具对该保持面进行清洗，希望通过该清洗工序将该多孔板设定成该初始温度。
[0012]该磨削工序可以包含对该多孔板的温度进行测量的温度测量工序，该晶片的磨削方法实施如下的第1温度变更工序：根据通过该温度测量工序而测量的温度来变更该冷却流体的温度。
[0013]该磨削工序可以包含对该多孔板的温度进行测量的温度测量工序，该晶片的磨削方法实施如下的第1时间变更工序：根据通过该温度测量工序而测量的温度来变更使该冷却流体从该保持面喷出的喷出时间。
[0014]该磨削工序可以包含如下的载荷测量工序：测量对该磨具的下表面在与该下表面垂直的方向上施加的载荷，该晶片的磨削方法实施如下的第2温度变更工序：根据通过该载荷测量工序而测量的载荷的大小来变更该冷却流体的温度。
[0015]该磨削工序可以包含如下的载荷测量工序：测量对该磨具的下表面在与该下表面垂直的方向上施加的载荷，该晶片的磨削方法实施如下的第2时间变更工序：根据通过该载荷测量工序而测量的载荷的大小来变更使该冷却流体从该保持面喷出的喷出时间。
[0016]另外，本专利技术提供晶片的磨削装置，其实施上述晶片的磨削方法，其特征在于，该晶片的磨削装置具有：卡盘工作台，其利用多孔板的保持面对晶片进行保持；磨削机构，其使前端安装有环状的磨具的主轴旋转而对该晶片进行磨削；磨削水提供部，其对该晶片和该磨具提供规定的温度的磨削水；以及晶片分离机构，其使比该磨削水的温度低的冷却流体从该保持面喷出而使晶片从该保持面分离。
[0017]该晶片的磨削装置可以具有：温度计，其测量该多孔板的温度；以及第1温度变更部，其根据该温度计所测量的、使晶片保持于该保持面时的该多孔板的温度与使晶片从该保持面分离时的该多孔板的温度的差来变更该冷却流体的温度。
[0018]另外，该晶片的磨削装置可以具有：温度计，其测量该多孔板的温度；以及第1时间变更部，其根据该温度计所测量的、使晶片保持于该保持面时的该多孔板的温度与使晶片从该保持面分离时的该多孔板的温度的差来变更使该冷却流体从该保持面喷出的喷出时间。
[0019]该晶片的磨削装置可以具有：载荷测量部，其测量对该磨具的下表面在与该下表面垂直的方向上施加的载荷；以及第2温度变更部，其根据该载荷测量部所测量的载荷的大小来变更该冷却流体的温度。
[0020]该晶片的磨削装置可以具有：载荷测量部，其测量对该磨具的下表面在与该下表面垂直的方向上施加的载荷；以及第2时间变更部，其根据该载荷测量部所测量的载荷的大小来变更使该冷却流体从该保持面喷出的喷出时间。
[0021]根据本专利技术的磨削装置和晶片的磨削方法，能够获得如下的效果：通过磨削加工时提供给磨具与晶片的接触面(加工面)的磨削水而暂时冷却的多孔板中蓄积的加工热的一部分被晶片从保持面分离时从保持面喷出的冷却流体去除，保持面的温度保持为对晶片100进行保持时的初始温度，因此能够防止卡盘工作台的热膨胀。因此，卡盘工作台的保持面始终与磨具的加工面平行，接下来要通过磨具磨削的多个晶片的厚度保持均匀，晶片的品质稳定。
附图说明
[0022]图1是将本专利技术的晶片的磨削装置的一部分剖开而示出的立体图。
[0023]图2是磨削装置的主要部分的剖视侧视图，示出本专利技术的晶片的磨削方法中的保持工序。
[0024]图3是磨削装置的主要部分的剖视侧视图，示出本专利技术的晶片的磨削方法中的磨削工序。
[0025]图4是磨削装置的主要部分的剖视侧视图，示出本专利技术的晶片的磨削方法中的分离工序。
[0026]图5是磨削装置的主要部分的剖视侧视图，示出本专利技术的晶片的磨削方法中的清洗工序。
[0027]标号说明
[0028]1：磨削装置；2～4：通路；5：配管；6～8：分支管；10：卡盘工作台；11：保持面；12：凹部；13：多孔板；14：旋转接头15：旋转轴；16：从动带轮；17：电动机；171：电动机轴；18：驱动带轮；19：正时带；20：可变节流孔；21：电磁开闭阀；22：吸引源；23：载荷传感器(载荷测量部)；24：温度计；25：基座；26：开口部；27：罩；28：伸缩罩；30：水平移动机构；31：内部基座；32：滑动器；33：导轨；34：滚珠丝本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶片的磨削方法，利用磨具对保持于卡盘工作台的多孔板的保持面的晶片进行磨削，其中，该晶片的磨削方法具有如下的工序：保持工序，使晶片保持于该保持面；磨削工序，一边对该晶片提供规定的温度的磨削水，一边利用该磨具对该晶片进行磨削；以及分离工序，一边对该多孔板提供比该保持面保持晶片时的初始温度低的温度的冷却流体，一边使磨削后的晶片从该保持面分离，通过该冷却流体对该多孔板进行冷却而使该保持面成为保持晶片时的初始温度。2.根据权利要求1所述的晶片的磨削方法，其中，对该多孔板提供的该冷却流体是水与空气的混合流体。3.根据权利要求1所述的晶片的磨削方法，其中，该晶片的磨削方法包含如下的清洗工序：在该分离工序之后，对该多孔板提供该冷却流体而使该冷却流体从该保持面喷出，利用清洗器具对该保持面进行清洗，通过该清洗工序将该多孔板设定成该初始温度。4.根据权利要求1所述的晶片的磨削方法，其中，该磨削工序包含对该多孔板的温度进行测量的温度测量工序，该晶片的磨削方法实施如下的第1温度变更工序：根据通过该温度测量工序而测量的温度来变更该冷却流体的温度。5.根据权利要求1所述的晶片的磨削方法，其中，该磨削工序包含对该多孔板的温度进行测量的温度测量工序，该晶片的磨削方法实施如下的第1时间变更工序：根据通过该温度测量工序而测量的温度来变更使该冷却流体从该保持面喷出的喷出时间。6.根据权利要求1所述的晶片的磨削方法，其中，该磨削工序包含如下的载荷测量工序：测量对该磨具的下表面在与该下表面垂直的方向上施加的载荷，该晶片的磨削方法实施如下的第2温度变更工序：根据通过该载荷测量工序而测量的载荷的大小来变更该冷却流体的温度。7.根据权利要求1所述的晶片的磨削方法，其中，该磨削工序包含如下的载荷测量工序：测量对该磨具的下表面在与该...
【专利技术属性】
技术研发人员：三浦修，三原拓也，坂井达明，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：
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