一种基于二维材料的光电池器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种基于二维材料的光电池器件，包括中心沟道区，中心沟道区为具有空间反演对称性和自旋密度反演对称性的二维材料，光电池器件还包括绝缘衬底、第一电极和第二电极，中心沟道区位于绝缘衬底上方的中心位置处，第一电极和第二电极位于绝缘衬底的上方、且第一电极和第二电极相对地设置于中心沟道区的两侧，基于二维材料的光电池器件还包括增反膜和增透膜，增反膜和增透膜由下至上依次位于中心沟道区的上方，本实用新型专利技术中的基于二维材料的光电池器件，仅需中心沟道区具备空间反演对称性和自旋密度反演反对称性，即可产生稳定的纯自旋流，并且通过增反膜和增透膜相结合，增强了纯自旋流的稳定性。增强了纯自旋流的稳定性。增强了纯自旋流的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种基于二维材料的光电池器件


[0001]本技术涉及光电转换
，特别涉及一种基于二维材料的光电池器件。

技术介绍

[0002]能源消耗一直以来都是微电子学发展的热点问题之一，为了解决这一问题，研究人员将研究重点转移到利用电子的自旋作为信息载体的自旋电子学领域，而操纵自旋电子相比电荷消耗更少的能量。因此，自旋电子学在过去的几十年里受到了广泛的关注。
[0003]纯自旋流是指材料或器件在外力驱动下只有自旋的流动，没有静电荷的流动。由于自旋流是一个低功耗或者无损耗的过程，没有电荷流产生的焦耳热，所以纯自旋流在构造低功耗的自旋电子器件中非常重要，其中纯自旋流的检测与产生成为自旋电子学领域中的研究重点。
[0004]现如今在二维材料中获得纯自旋流的方法主要是：在光照条件下，通过构建具有空间反演对称破缺的体系，以此获得纯自旋流，但是这种方法只有将光子能量或偏振角度调节到特定值才能获得纯自旋流，现有方法下纯自旋流的获得只是光源参数满足特定条件时的一种特殊情况，这就需要精确调节光源参数才能得到纯自旋流，这在实际操作中是非常困难的，且即使获本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于二维材料的光电池器件，包括中心沟道区，所述中心沟道区为具有空间反演对称性和自旋密度反演对称性的二维材料，其特征在于，所述光电池器件还包括绝缘衬底、第一电极和第二电极，所述中心沟道区位于所述绝缘衬底上方的中心位置处，所述第一电极和所述第二电极位于所述绝缘衬底的上方、且所述第一电极和所述第二电极相对地设置于所述中心沟道区的两侧，所述基于二维材料的光电池器件还包括增反膜和增透膜，所述增反膜和所述增透膜由下至上依次位于所述中心沟道区的上方。2.根据权利要求1所述的基于二维材料的光电池器件，其特征在于，所述中心沟道区的中心点和所述绝缘衬底的中心点共线，以使所述绝缘衬底以所述中心沟道区为原点中心对称，所述第一电极距离所述中心沟道区的距离和所述第二电极距离所述中心沟道区的距离一致。3.根据权利要求1所述的基于二维材料的光电池器件，其特征在于，所述基于二维材料的光电池器件还包括导热层和散热层，所述导热层...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴仕达，商晓菲，刘志敏，周艳红，
申请(专利权)人：华东交通大学，
类型：新型
国别省市：