飞行时间传感器和制造飞行时间传感器的方法技术

本公开涉及一种飞行时间传感器和制造飞行时间传感器的方法。该飞行时间传感器包括至少一个像素，该至少一个像素包括：硅基的光电流收集结构和在光电流收集结构上外延生长的锗基的光敏结构，其中所述光电流收集结构包括n掺杂区和p掺杂区，其中所述n掺杂区被配置为将光电流的电子传导到至少一个n接触部，并且其中所述p掺杂区被配置为将光电流的空穴传导到至少一个p接触部，并且其中p掺杂区中的导带包括针对光电流的电子的势垒，并且n掺杂区中的价带包括针对光电流的空穴的势垒。的价带包括针对光电流的空穴的势垒。的价带包括针对光电流的空穴的势垒。

【技术实现步骤摘要】
飞行时间传感器和制造飞行时间传感器的方法


[0001]本专利技术总体上涉及飞行时间传感器以及制造飞行时间传感器的方法。

技术介绍

[0002]间接飞行时间(iTOF)传感器可以使用红外光，例如波长约为900nm的红外光。然而，在这样的波长下，作为检测器材料，硅是相对较差的选择，因为它在该波长下具有低的光吸收系数。传感器像素，其中锗基的光敏结构外延生长在硅基的光电流收集结构上，可以被用于解决该缺点。包含锗的传感器像素还对比900nm更长的波长敏感，这允许使用具有更高功率水平的光源而不会有损害人眼的风险。然而，与仅包含硅的器件相比，包含锗的传感器器件可能表现出更大的暗电流。这可能是由锗中较小的带隙和相对较高的态密度引起的。改进的飞行时间传感器以及用于制造飞行时间传感器的改进方法可能有助于解决这些和其他问题。
[0003]本专利技术所基于的问题通过实施例的特征来解决。在其它示例中描述了另外的有利示例。

技术实现思路

[0004]各个方面涉及一种飞行时间传感器，包括至少一个像素，至少一个像素包括：硅基的光电流收集结构，在光电流收本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种飞行时间传感器，包括：至少一个像素(100、400、600)，包括：硅基的光电流收集结构(110)，以及锗基的光敏结构(120)，外延生长在所述光电流收集结构(110)上，其中所述光电流收集结构(110)包括n掺杂区(111)和p掺杂区(112)，其中所述n掺杂区(111)被配置为将光电流的电子传导至至少一个n接触部(130)，并且其中所述p掺杂区(112)被配置为将所述光电流的空穴传导至至少一个p接触部(140)，并且其中所述p掺杂区(112)中的导带包括针对所述光电流的所述电子的势垒，所述n掺杂区(111)中的价带包括针对所述光电流的所述空穴的势垒。2.根据权利要求1所述的飞行时间传感器，其中所述p掺杂区(112)具有在1
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10
14
cm
‑3至1
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10
19
cm
‑3的范围内的掺杂浓度。3.根据权利要求1或2所述的飞行时间传感器，其中所述n型掺杂区(111)具有在1
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cm
‑3至5
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10
19
cm
‑3的范围内的掺杂浓度。4.根据前述权利要求中任一项所述的飞行时间传感器，其中所述n掺杂区(111)和所述p掺杂区(112)二者具有与所述光敏结构(120)的界面。5.根据权利要求1至3中任一项所述的飞行时间传感器，其中所述光电流收集结构(110)还包括：p掺杂电荷片(410)，至少设置在所述n掺杂区(111)和所述光敏结构(120)之间，所述电荷片(410)具有与所述p掺杂区不同的掺杂浓度，其中所述电荷片(410)被配置为至少在所述光敏结构(120)的一部分中降低电场强度。6.根据权利要求5所述的飞行时间传感器，其中所述电荷片(410)具有在8
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10
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cm
‑3至2
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cm
‑3的范围内的掺杂浓度。7.根据权利要求5或6所述的飞行时间传感器，其中所述电荷片(410)还布置在所述p掺杂区(112)和所述光敏结构(120)之间。8.根据前述权利要求中任一项所述的飞行时间传感器，还包括：在所述光敏结构(120)和所述光电流收集结构(110)之间的过渡区，其中在所述过渡区中，在从所述光敏结构(120)朝向所述光电流收集结构(110)的方向上，锗的浓度逐渐降低并且硅的浓度逐渐升高。9.根据前述权利要求中任一项所述的飞行时间传感器，其中，所述光敏结构(120)包括主干部分(124)和上部部分(123)，其中所述主干部分(124)布置在电介质层(610)的孔隙内，并且其中所述主干部分(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：