光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法技术

本申请涉及一种光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法。光伏电池包括：硅基底层，具有背离向光侧的背光面，所述硅基底层内形成有掺杂类型不同的内发射极区与背表面场区，所述内发射极区与所述背表面场区均自所述背光面沿第一方向朝所述硅基底层内部延伸，所述内发射极区与所述背表面场区背离所述背光面的端面平齐，且所述内发射极区与所述背表面场区沿第二方向空间间隔，其中，所述第一方向为所述光伏电池的厚度方向，所述第二方向垂直于所述第一方向。上述光伏电池，能够在不开设沟槽的前提下实现内发射极区和背表面场区的隔离，从而能尽量保证电池的强度，降低电池断裂的风险。险。险。

【技术实现步骤摘要】
光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法


[0001]本申请涉及光伏电池
，特别是涉及光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法。

技术介绍

[0002]当煤炭、石油等不可再生能源频频告急，能源问题逐渐成为制约社会经济发展的瓶颈，因此越来越多的国家开始开发太阳能资源，寻求经济发展的新动力。在这种大环境下，光伏电池具有更加广阔的发展前景。光伏电池是一种将太阳能转化为电能的电池，其中，全背接触电池(IBC)由于正负电极均位于背光侧，电池的向光侧无部件遮挡，因而具有更高的光吸收效率。
[0003]全背接触电池中，与正负电极对应的背表面场区和内发射极区均位于电池的背光侧，为了保证位于同侧的内发射极区和背表面场区内的载流子不会因复合而导致电池漏电，相关技术中，通常会在电池背光侧表面开设沟槽，以隔离内发射极区和背表面场区。然而，在电池厚度日益减小的设计趋势下，这种通过开设沟槽来实现隔离的方式会导致电池强度下降，电池容易出现断裂。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种光伏电池，能够在不开设沟槽的前提下实现内发射极区和背表面场区的隔离，从而能尽量保证电池的强度，降低电池断裂的风险。
[0005]一种光伏电池，包括：
[0006]硅基底层，具有背离向光侧的背光面，所述硅基底层内形成有掺杂类型不同的内发射极区与背表面场区，所述内发射极区与所述背表面场区均自所述背光面沿第一方向朝所述硅基底层内部延伸，所述内发射极区与所述背表面场区背离所述背光面的端面平齐，且所述内发射极区与所述背表面场区沿第二方向空间间隔，其中，所述第一方向为所述光伏电池的厚度方向，所述第二方向垂直于所述第一方向。
[0007]在其中一个实施例中，所述背光面上覆盖有第一钝化层，所述光伏电池的第一电极穿过所述第一钝化层与所述内发射极区接触，所述光伏电池的第二电极穿过所述第一钝化层与所述背表面场区接触。
[0008]在其中一个实施例中，所述背光面包括沿所述第二方向间隔排布的第一区域与第二区域，所述内发射极区位于所述第一区域范围内，所述背表面场区位于所述第二区域范围内，所述第一区域覆盖有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层背离所述硅基底层的一侧覆盖有掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层背离所述隧穿氧化层的一侧，以及所述第二区域覆盖有第二钝化层，所述光伏电池的第三电极穿过所述第二钝化层与所述掺杂多晶硅层接触，所述光伏电池的第四电极穿过所述第二钝化层与所述背表面场区接触，所述内发射极区的掺杂浓度低于所述掺杂多晶硅层的掺杂浓度。
[0009]本申请还提出一种光伏电池组件，包括上述的光伏电池。
[0010]本申请还提出一种上述光伏电池的制造方法，包括：
[0011]S100将N型的所述硅基底层的所述背光面上划分为沿所述第二方向排布的第三区域与第四区域，在所述第三区域形成含硼掺杂层；
[0012]S200进行高温推进掺杂和氧化，使所述含硼掺杂层中的硼进入所述硅基底层，以形成所述内发射极区，并在所述含硼掺杂层背离所述硅基底层的一侧，以及所述第四区域形成第一保护层；
[0013]S300在所述第一保护层上所述第四区域所在范围内开设第一通孔；
[0014]S400在含有磷的气氛中进行高温推进掺杂，使磷经所述第一通孔进入所述硅基底层，以形成所述背表面场区。
[0015]在其中一个实施例中，步骤S100中，在所述第三区域形成含硼掺杂层的方法为：
[0016]S110在所述背光面全部区域形成含硼掺杂层，以及叠设于所述含硼掺杂层背离所述硅基底层一侧的分隔层；
[0017]S120在所述分隔层上所述第三区域所在范围形成遮挡层；
[0018]S130去除分布于所述第四区域的所述含硼掺杂层与所述分隔层；
[0019]S140去除所述遮挡层。
[0020]在其中一个实施例中，步骤S400中，还包括：高温推进掺杂过程中，在所述第一保护层背离所述硅基底层的一侧形成第一含磷掺杂层；步骤S400之后还包括：
[0021]S500去除所述第一含磷掺杂层、所述第一保护层与所述含硼掺杂层；
[0022]S600在所述背光面形成所述第一钝化层；
[0023]S700在所述第一钝化层上开设两个第二通孔，并在两个所述第二通孔处一一对应地形成所述第三电极与所述第四电极。
[0024]本申请还提出一种上述光伏电池的制造方法，包括：
[0025]M100在P型的所述硅基底层的所述第二区域形成第二保护层；
[0026]M200在所述第二保护层背离所述硅基底层一侧以及所述第一区域形成所述隧穿氧化层，并在所述隧穿氧化层背离所述硅基底层的一侧形成含磷掺杂的所述掺杂多晶硅层；
[0027]M300进行高温退火掺杂，使所述第一区域内的所述掺杂多晶硅层中的磷进入所述硅基底层，以形成所述内发射极区，在所述掺杂多晶硅层背离所述硅基底层的一侧形成第三保护层；
[0028]M400开设穿透所述第三保护层、所述掺杂多晶硅层、所述隧穿氧化层与所述第二保护层的第三通孔，所述第三通孔的位于所述第二保护层范围内，并去除所述第一区域内的所述第三保护层；
[0029]M500在步骤M400所得结构的背光侧形成所述第二钝化层；
[0030]M600在所述第二钝化层上开设两个第四通孔，并在两个所述第四通孔处一一对应地形成所述第三电极与所述第四电极。
[0031]在其中一个实施例中，步骤M600中，通过烧结含铝浆料形成所述第四电极，所述第四电极与所述硅基底层反应形成所述背表面场区。
[0032]在其中一个实施例中，步骤M100中，在P型的所述硅基底层的所述第二区域形成第二保护层的方法为：
[0033]M110在所述背光面全部区域形成第二保护层；
[0034]M120去除分布于所述第一区域的所述第二保护层，其中，所述第一区域与所述第二区域的沿所述第二方向的宽度比范围为1
‑
5。
[0035]上述光伏电池，内发射极区与背表面场区背离背光面的端面平齐，可见无需通过开设沟槽使内发射极区与背表面场区背离背光面的端面错开，只需通过内发射极区与背表面场区沿第二方向间隔，即可实现对内发射极区与背表面场区的隔离。相较于开设沟槽以使内发射极区与背表面场区在第一方向和第二方向均间隔的方式，本申请中，对内发射极区与背表面场区进行隔离时，由于无需开设沟槽，能尽量保证电池的强度，降低电池断裂的风险。
附图说明
[0036]图1为本申请一实施例中的光伏电池的结构示意图。
[0037]图2为本申请另一实施例中的光伏电池的结构示意图。
[0038]图3为图1实施例中光伏电池制造过程中背光面铺满含硼掺杂层与分隔层后的结构示意图。
[0039]图4为图1实施例中光伏电池制造过程中形成遮挡层后的结构示意图。
[0040]图5为图1实施例中光伏电池制造过程中遮挡层以及第四区域的含硼掺杂层与分隔层均被去除后的结构示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光伏电池，其特征在于，所述光伏电池包括：硅基底层，具有背离向光侧的背光面，所述硅基底层内形成有掺杂类型不同的内发射极区与背表面场区，所述内发射极区与所述背表面场区均自所述背光面沿第一方向朝所述硅基底层内部延伸，所述内发射极区与所述背表面场区背离所述背光面的端面平齐，且所述内发射极区与所述背表面场区沿第二方向空间间隔，其中，所述第一方向为所述光伏电池的厚度方向，所述第二方向垂直于所述第一方向。2.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述背光面上覆盖有第一钝化层，所述光伏电池的第一电极穿过所述第一钝化层与所述内发射极区接触，所述光伏电池的第二电极穿过所述第一钝化层与所述背表面场区接触。3.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述背光面包括沿所述第二方向间隔排布的第一区域与第二区域，所述内发射极区位于所述第一区域范围内，所述背表面场区位于所述第二区域范围内，所述第一区域覆盖有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层背离所述硅基底层的一侧覆盖有掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层背离所述隧穿氧化层的一侧，以及所述第二区域覆盖有第二钝化层，所述光伏电池的第三电极穿过所述第二钝化层与所述掺杂多晶硅层接触，所述光伏电池的第四电极穿过所述第二钝化层与所述背表面场区接触，所述内发射极区的掺杂浓度低于所述掺杂多晶硅层的掺杂浓度。4.光伏电池组件，其特征在于，包括多个权利要求1至3中任一项所述的光伏电池。5.一种权利要求2所述的光伏电池的制造方法，其特征在于，包括：S100将N型的所述硅基底层的所述背光面上划分为沿所述第二方向排布的第三区域与第四区域，在所述第三区域形成含硼掺杂层；S200进行高温推进掺杂和氧化，使所述含硼掺杂层中的硼进入所述硅基底层，以形成所述内发射极区，并在所述含硼掺杂层背离所述硅基底层的一侧，以及所述第四区域形成第一保护层；S300在所述第一保护层上所述第四区域所在范围内开设第一通孔；S400在含有磷的气氛中进行高温推进掺杂，使磷经所述第一通孔进入所述硅基底层，以形成所述背表面场区。6.根据权利要求5所述的光伏电池的制造方法，其特征在于，步骤S100中，在所述第三区域形成含硼掺杂层的方法为：S110在所述背光面全部区域形成含硼掺杂层...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳伟，胡匀匀，陈达明，季雯娴，王尧，刘志远，王天宇，宗建鹏，王宇航，杨睿，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：