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本公开涉及一种飞行时间传感器和制造飞行时间传感器的方法。该飞行时间传感器包括至少一个像素，该至少一个像素包括：硅基的光电流收集结构和在光电流收集结构上外延生长的锗基的光敏结构，其中所述光电流收集结构包括n掺杂区和p掺杂区，其中所述n掺杂区被...
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