【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法
[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
[0002]随着不可再生能源的频频告急，太阳能作为新能源为全球的能源结构提供了新的可能性。太阳能取之不尽用之不竭，解决了能源不足的后顾之忧。太阳能电池是实现光能到电能转换的重要器件，异质结电池是目前最具前景的一种太阳能电池。
[0003]现有技术的异质结电池中的非晶硅层的载流子横向传输性能较差，且异质结电池的内部和各个膜层的分界面之间也存在诸多缺陷态会使得很多载流子在传输过程中被复合造成电流损失，从而降低了异质结电池的转换效率。比如现有的异质结电池的掺杂层分别与半导体衬底层或钝化层直接贴合，掺杂层与半导体衬底层分界面的缺陷使得载流子在传输过程中被复合，造成电流损失。不仅异质结电池，只要存在非晶硅层结构的太阳能电池，均存在载流子被复合造成电流损失的问题。
[0004]克服现有技术中的太阳能电池的转换效率低的缺陷，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
[0005]...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，包括半导体衬底层，其特征在于，还包括：第一钝化层，位于所述半导体衬底层的一侧表面，所述第一钝化层的材料包括非晶硅或纳米晶硅；第一掺杂半导体层，位于所述第一钝化层背离所述半导体衬底层的一侧，所述第一掺杂半导体层的材料包括非晶硅、纳米晶硅、掺氧非晶硅、掺氧纳米晶硅、掺碳非晶硅或者掺碳纳米晶硅中的任意一种；第一载流子收集层，采用导电材料且位于所述第一钝化层和所述第一掺杂半导体层之间，对所述半导体衬底层所产生的载流子预收集并进行横向传输，所述第一载流子收集层的导电材料包括氧化锡和氧化铟的混合物、或者氧化钨和氧化铟的混合物，所述第一载流子收集层的导电材料包括氧化锡和氧化铟的混合物时，所述第一载流子收集层中氧化锡的质量与氧化铟的质量之比为1：9
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1：300；所述第一载流子收集层的导电材料包括氧化钨和氧化铟的混合物时，所述第一载流子收集层中氧化钨的质量与氧化铟的质量之比为1：9
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1：300，所述第一载流子收集层的折射率为1.8
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2.2，所述第一载流子收集层适于调节太阳能电池内部光线的传播角度，所述第一载流子收集层的折射率小于所述第一钝化层的折射率，所述第一载流子收集层的折射率小于所述第一掺杂半导体层的折射率；第一透明导电层，位于所述第一掺杂半导体层背离所述半导体衬底层的一侧表面；其中，所述第一掺杂半导体层的导电类型与所述半导体衬底层的导电类型相同，所述第一掺杂半导体层相对于所述半导体衬底层所在侧为所述太阳能电池的向光面。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：第二钝化层，位于所述半导体衬底层的另一侧表面；第二掺杂半导体层，位于所述第二钝化层背离所述半导体衬底层的一侧，所述第二掺杂半导体层的导电类型与所述第一掺杂半导体层的导电类型相反；第二透明导电层，位于所述第二掺杂半导体层背离所述半导体衬底层的一侧表面；第二载流子收集层，采用导电材料且位于所述第二钝化层和所述第二掺杂半导体层之间。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一载流子收集层的厚度与所述第一透明导电层的厚度之比为1：1
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1：5；所述第一载流子收集层的厚度为20nm
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120nm，所述第一透明导电层的厚度为50nm
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150nm。4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二载流子收集层的厚度与所述第二透明导电层的厚度之比为1：1
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1：5；所述第二载流子收集层的厚度为20nm
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120nm，所述第二透明导电层的厚度为50nm
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150nm。5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二载流子收集层的导电材料包括氧化锡和氧化铟的混合物、或者氧化钨和氧化铟的混合物；所述第二载流子收集层的导电材料包括氧化锡和氧化铟的混合物时，所述第二载流子收集层中氧化锡的质量与氧化铟的质量之比为1：9
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1：300；所述第二载流子收集层的导电材料包括氧化钨和氧化铟的混合物时，所述第二载流子收集层中氧化钨的质量与氧化铟的质量之比为1：9
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1：300。
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【专利技术属性】
技术研发人员：梅志纲，于长悦，辛科，张鑫义，缪亮亮，
申请(专利权)人：安徽华晟新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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