一种氮化硅陶瓷基板切割装置制造方法及图纸

技术编号:39453885 阅读:13 留言:0更新日期:2023-11-23 14:52
本实用新型专利技术属于氮化硅陶瓷基板加工技术领域,具体涉及一种氮化硅陶瓷基板切割装置,包括基座、升降机构、平移机构和切割头,所述升降机构安装在基座上,且升降机构的输出端朝向基座设置,所述平移机构安装在升降机构的输出端上,所述切割头安装在平移机构的驱动端上,所述切割头上设有第一吸尘组件。本实用新型专利技术一种氮化硅陶瓷基板切割装置,在进行切割时,将氮化硅陶瓷基板放置在基座,启动切割头并通过升降机构和平移机构驱动切割头移动沿着移动槽进行切割,且在切割的同时第二吸尘组件跟随切割头在移动槽内移动继续吸收氮化硅陶瓷基板下面的粉尘,而第一吸尘组件跟随切割头移动吸收氮化硅陶瓷基板上面的粉尘,实现清理切割后的粉尘。后的粉尘。后的粉尘。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化硅陶瓷基板切割装置


[0001]本技术属于氮化硅陶瓷基板加工
,具体涉及一种氮化硅陶瓷基板切割装置。

技术介绍

[0002]氮化硅陶瓷,是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷,氮化硅的强度很高,尤其是热压氮化硅,是世界上最坚硬的物质之一,具有高强度、低密度、耐高温等性质,Si3N4陶瓷是一种共价键化合物,基本结构单元为[SiN4]四面体,硅原子位于四面体的中心,在其周围有四个氮原子,分别位于四面体的四个顶点,然后以每三个四面体共用一个原子的形式,在三维空间形成连续而又坚固的网络结构,氮化硅陶瓷在生产加工时需要对其进行切割处理。
[0003]现有的氮化硅陶瓷切割时不便对切割后的粉尘进行收集,工作人员后期对装置内部的粉尘清理时较为不便,为此我们提出一种氮化硅陶瓷来解决现有的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于现有技术的不足,本技术所要解决的技术问题是提供一种氮化硅陶瓷基板切割装置,它能够很好的进行清理切割后的粉尘。
[0005]为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案是:一种氮化硅陶瓷基板切割装置,包括基座、升降机构、平移机构和切割头,所述升降机构安装在基座上,且升降机构的输出端朝向基座设置,所述平移机构安装在升降机构的输出端上,所述切割头安装在平移机构的驱动端上,所述切割头上设有第一吸尘组件,所述基座沿着平移机构的驱动方向设有移动槽,所述移动槽内设有第二吸尘组件,所述第一吸尘组件与第二吸尘组件之间设有容纳氮化硅陶瓷基板的间隙。
[0006]所述第一吸尘组件包括滑动管、吸入器和储存箱,所述滑动管滑动套设在切割头的切割端上,所述切割头上设有与滑动管连接的弹簧件,所述储存箱安装在切割头的一侧设置,所述吸入器安装在储存箱内,并且吸入器的输入端与滑动管连通管设置。
[0007]所述滑动管与氮化硅陶瓷基板接触的管口边缘设有刷毛。
[0008]所述第二吸尘组件包括移动器、吸入管、吸尘机和收集箱,所述移动器驱动安装在移动槽内,所述吸入管安装在移动器上,所述吸尘机和收集箱均安装在基座内,所述吸尘机的输入端设有与吸入管连通的软管,所述吸尘机的输出端与收集箱连通设置。
[0009]所述升降机构包括支撑架和升降气缸,所述支撑架固定安装在基座上,所述升降气缸安装在支撑架上。
[0010]所述基座上安装有固定氮化硅陶瓷基板的固定件。
[0011]与现有技术相比,本技术具有以下有益效果:
[0012]本技术一种氮化硅陶瓷基板切割装置,在进行切割时,将氮化硅陶瓷基板放置在基座,启动切割头并通过升降机构和平移机构驱动切割头移动沿着移动槽进行切割,且在切割的同时第二吸尘组件跟随切割头在移动槽内移动继续吸收氮化硅陶瓷基板下面
的粉尘,而第一吸尘组件跟随切割头移动吸收氮化硅陶瓷基板上面的粉尘,实现清理切割后的粉尘。
附图说明
[0013]图1为本技术切割装置的结构示意图;
[0014]图2为本技术第二吸尘组件的剖面结构示意图;
[0015]图3为本技术第一吸尘组件的剖面结构示意图。
[0016]图中标记:1、基座;2、升降机构;3、平移机构;4、切割头;5、第一吸尘组件;6、第二吸尘组件;7、滑动管;8、吸入器;9、储存箱;10、刷毛;11、移动器;12、吸入管;13、吸尘机;14、收集箱。
具体实施方式
[0017]为了让本技术的上述特征和优点更明显易懂,下面特举实施例,并配合附图,作详细说明如下。
[0018]如图1

图3所示,本实施例提供一种氮化硅陶瓷基板切割装置,包括基座1、升降机构2、平移机构3和切割头4,升降机构2安装在基座1上,且升降机构2的输出端朝向基座1设置,平移机构3安装在升降机构2的输出端上,切割头4安装在平移机构3的驱动端上,切割头4上设有第一吸尘组件5,基座1沿着平移机构3的驱动方向设有移动槽,移动槽内设有第二吸尘组件6,第一吸尘组件5与第二吸尘组件6之间设有容纳氮化硅陶瓷基板的间隙。具体地,基座1上安装有固定氮化硅陶瓷基板的固定件,方便固定氮化硅陶瓷基板。在进行切割时,将氮化硅陶瓷基板放置在基座1,启动切割头4并通过升降机构2和平移机构3驱动切割头4移动沿着移动槽进行切割,且在切割的同时第二吸尘组件6跟随切割头4在移动槽内移动继续吸收氮化硅陶瓷基板下面的粉尘,而第一吸尘组件5跟随切割头4移动吸收氮化硅陶瓷基板上面的粉尘,实现清理切割后的粉尘。
[0019]进一步地,第一吸尘组件5包括滑动管7、吸入器8和储存箱9,滑动管7滑动套设在切割头4的切割端上,切割头4上设有与滑动管7连接的弹簧件,储存箱9安装在切割头4的一侧,吸入器8安装在储存箱9内,并且吸入器8的输入端与滑动管7连通管设置。具体地,滑动管7与氮化硅陶瓷基板接触的管口边缘设有刷毛10。通过弹簧件的设置使得滑动管7有一自适应的伸缩力,使得切割头4在切割时,滑动管7带着刷毛10稳定贴合氮化硅陶瓷基板,配合吸入器8进行稳定吸尘。
[0020]进一步地,第二吸尘组件6包括移动器11、吸入管12、吸尘机13和收集箱14,移动器11驱动安装在移动槽内,吸入管12安装在移动器11上,吸尘机13和收集箱14均安装在基座1内,吸尘机13的输入端设有与吸入管12连通的软管,吸尘机13的输出端与收集箱14连通设置。通过移动器11驱动吸入管12沿着移动槽移动,并配合吸尘机13进行稳定吸尘。
[0021]进一步地,升降机构2包括支撑架和升降气缸,支撑架固定安装在基座1上,升降气缸安装在支撑架上。
[0022]以上显示和描述了本专利技术创造的基本原理和主要特征及本专利技术的优点,本行业的技术人员应该了解,本技术不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理,在不脱离本专利技术创造精神和范围的前提下,本技术还会有
各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内,本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅陶瓷基板切割装置,其特征在于:包括基座、升降机构、平移机构和切割头,所述升降机构安装在基座上,且升降机构的输出端朝向基座设置,所述平移机构安装在升降机构的输出端上,所述切割头安装在平移机构的驱动端上,所述切割头上设有第一吸尘组件,所述基座沿着平移机构的驱动方向设有移动槽,所述移动槽内设有第二吸尘组件,所述第一吸尘组件与第二吸尘组件之间设有容纳氮化硅陶瓷基板的间隙。2.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷基板切割装置,其特征在于:所述第一吸尘组件包括滑动管、吸入器和储存箱,所述滑动管滑动套设在切割头的切割端上,所述切割头上设有与滑动管连接的弹簧件,所述储存箱安装在切割头的一侧设置,所述吸入器安装在储存箱内,并且吸入器的输入端与滑动管连通管设置。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:施纯锡冯家伟
申请(专利权)人:福建华清电子材料科技有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1