粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板和印刷电路板制造技术

提供一种能够兼顾优异的传输特性和掉粉的抑制的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面根据平均高度Rc(μm)和轮廓曲线元素的平均长度RSm(μm)通过Rc/(0.5

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板和印刷电路板


[0001]本专利技术涉及粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板。

技术介绍

[0002]在印刷电路板的制造工序中，铜箔以与绝缘树脂基材贴合的覆铜层叠板的形式被广泛使用。在这点上，为防止在印刷电路板制造时发生布线的剥落，期望铜箔与绝缘树脂基材间具有高密合力。因此，在通常的印刷电路板制造用铜箔中，会在铜箔的贴合面实施粗糙化处理从而形成由微细的铜颗粒构成的凹凸，并通过冲压加工使该凹凸咬入绝缘树脂基材的内部从而发挥锚固效果，由此提高密合性。
[0003]但是，随着近几年便携式电子设备等的高功能化，为了大容量数据的高速处理，无论是数字信号还是模拟信号，信号的高频化不断发展，要求适用于高频用途的印刷电路板。对于这种高频用印刷电路板，为了能够使高频信号不发生劣化地进行传输，期望对传输损耗进行抑制。印刷电路板具备加工成布线图案的铜箔和绝缘基材，但作为传输损耗中主要的损耗，可列举出由铜箔引起的导体损耗和由绝缘基材引起的介电损耗。
[0004]由于越是高频变得越明显的铜箔的趋肤效应，导体损耗可能会增加。因此，为抑制高频用途中的传输损耗，要求使粗糙化颗粒微细化以抑制铜箔的趋肤效应。作为具有微细的粗糙化颗粒的铜箔，例如，在专利文献1(国际公开第2014/133164号)中公开了一种具备使粒径10nm以上且250nm以下的铜颗粒(例如大致球状的铜颗粒)附着而粗糙化的黑色粗糙化面的表面处理铜箔。此外，在专利文献2(日本特开2011
‑
168887号公报)中，作为在高频区域中的传输特性优异的铜箔，公开了一种具有粗糙化处理后的表面粗糙度Rz为1.1μm以下的粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开第2014/133164号
[0008]专利文献2：日本特开2011
‑
168887号公报

技术实现思路

[0009]如上所述，为了提高传输特性(高频特性)，尝试了对铜箔的与绝缘树脂基材的接合面进行微细的粗糙化处理。然而，在对铜箔单纯进行微细粗糙化处理的情况下，存在容易发生微细粗糙化颗粒因物理接触而剥落(所谓的掉粉)的问题。
[0010]本专利技术人等此次获得了如下见解：在粗糙化处理铜箔的表面，通过将基于平均高度Rc和轮廓曲线元素的平均长度RSm计算出的粗糙度斜率tanθ、以及基于平均高度Rc和尖度Sku计算出的尖锐指数分别控制在规定的范围，能够兼顾优异的传输特性和掉粉的抑制。
[0011]因此，本专利技术的目的在于提供一种能够兼顾优异的传输特性和掉粉的抑制的粗糙化处理铜箔。
[0012]根据本专利技术的一个方式，提供一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处
理面，
[0013]所述粗糙化处理面的粗糙度斜率tanθ为0.58以下、并且尖锐指数Rc
×
Sku为2.35以下，所述粗糙度斜率tanθ是根据平均高度Rc(μm)和轮廓曲线元素的平均长度RSm(μm)通过Rc/(0.5
×
RSm)的式子计算出的，所述尖锐指数Rc
×
Sku为所述平均高度Rc(μm)与尖度Sku的乘积，
[0014]所述Rc和RSm是依据JIS B0601
‑
2013在不进行基于截止值λs和截止值λc的截止的条件下测定的值，所述Sku是依据ISO25178在不进行基于S滤波器和L滤波器的截止的条件下测定的值。
[0015]根据本专利技术的另一方式，提供一种覆铜层叠板，其具备所述粗糙化处理铜箔。
[0016]根据本专利技术的其他另一方式，提供一种印刷电路板，其具备所述粗糙化处理铜箔。
附图说明
[0017]图1为对通过三角函数计算的粗糙度斜率tanθ进行说明的图。
具体实施方式
[0018]定义
[0019]以下示出用于限定本专利技术的术语和/或参数的定义。
[0020]在本说明书中，“平均高度Rc”或“Rc”是指表示依据JIS B0601
‑
2013测定的、基准长度上的轮廓曲线元素的高度平均值的参数。
[0021]在本说明书中，“平均长度RSm”或“RSm”是指表示依据JIS B0601
‑
2013测定的、基准长度上的轮廓曲线元素的长度平均值的参数。平均长度RSm是评价条纹、颗粒横向尺寸而非表面凹凸高度的参数。
[0022]关于Rc和RSm，在构成轮廓曲线元素的峰和/或谷限定了最低高度和最低长度，高度为最大高度Rz的10％以下，或者长度为基准长度的1％以下则被视作噪声，认为是前后连续的谷和/或峰的一部分。
[0023]在本说明书中，“粗糙度斜率tanθ”是指根据平均高度Rc(μm)和轮廓曲线元素的平均长度RSm(μm)通过Rc/(0.5
×
RSm)的式子计算出的参数。
[0024]在本说明书中，“尖度Sku”或“Sku”是指依据ISO25178测定的、表示高度分布的尖锐度的参数。Sku＝3是指高度分布为正态分布，Sku＞3则是在表面存在多个尖锐的峰或谷，Sku＜3是指表面平坦。
[0025]在本说明书中，“尖锐指数”是指通过平均高度Rc(μm)与尖度Sku的乘积(即Rc
×
Sku)计算出的参数。
[0026]在本说明书中，“界面扩展面积比Sdr”是指依据ISO25178测定的、表示定义区域的扩展面积(表面积)相对于定义区域的面积以百分比计增大多少的参数。该值越小，表示越为接近平坦的表面形状，完全平坦的表面的Sdr为0％。另一方面，该值越大，表示越为凹凸多的表面形状。
[0027]在本说明书中“算术平均高度Sa”或“Sa”是指依据ISO25178测定的、表示相对于表面的平均面，各点的高度差的绝对值的平均值的参数。即，相当于以轮廓曲线的算术平均高度Ra为面进行扩展的参数。
[0028]在本说明书中，“根均方高度Sq”或“Sq”是指依据ISO25178测定的、相当于距平均面的距离的标准偏差的参数。即，相当于以轮廓曲线的根均方高度Rq为面进行扩展的参数。
[0029]通过用市售的激光显微镜测定粗糙化处理面中的规定的测定长度的表面轮廓能够分别计算出RSm和Rc。另外，通过用市售的激光显微镜测定粗糙化处理面中的规定的测定面积的表面轮廓能够分别计算出Sku、Sdr、Sa和Sq。在本说明书中，RSm和Rc的各参数是在不进行基于截止值λs和截止值λc的截止的条件下测定的，Sku、Sdr、Sa和Sq的各参数是在不进行基于S滤波器和L滤波器的截止的条件下测定的。关于其它的基于激光显微镜的表面轮廓的优选的测定条件和分析条件如后述的实施例所示。
[0030]在本说明书中，电解铜箔的“电极面”是指在电解铜箔制造时与阴极接触侧的面。
[0031]在本说明书中，电解铜箔的“析出面”是指在电解铜箔制造时电解铜析出侧的面、即不与阴本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，所述粗糙化处理面的粗糙度斜率tanθ为0.58以下、并且尖锐指数Rc
×
Sku为2.35以下，所述粗糙度斜率tanθ是根据平均高度Rc(μm)和轮廓曲线元素的平均长度RSm(μm)通过Rc/(0.5
×
RSm)的式子计算出的，尖锐指数Rc
×
Sku为所述平均高度Rc(μm)与尖度Sku的乘积，所述Rc和RSm是依据JIS B0601
‑
2013在不进行基于截止值λs和截止值λc的截止的条件下测定的值，所述Sku是依据ISO25178在不进行基于S滤波器和L滤波器的截止的条件下测定的值。2.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的界面扩展面积比Sdr为15.0％以上且30.0％以下，所述Sdr是依据ISO25178在不进行基于S滤波器和L滤波器的截止的条件下测定的值。3.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的所述平均高度Rc为0.40μm以上且0.60μm以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：立冈步，加藤翼，川口彰太，杨博钧，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：