一种清洁靶材烧结窑炉硅钼棒发热体的方法技术

本发明专利技术公开了一种清洁靶材烧结窑炉硅钼棒发热体的方法，涉及靶材烧结加工技术领域，包括下列步骤：首先将烧结炉的温度提高至1200℃，通入氧气后，保温2小时；再将烧结炉的温度提高到1550℃至1620℃之间，保温8至14小时，温度越高，保温时间越短；再由通过鼓风机送风将烧结炉降温至室温状态，即完成对硅钼棒的清洁；本发明专利技术利用热处理实现对硅钼棒的清理，与以往的采用人为清理硅钼棒的方法相比，其不会对硅钼棒造成损伤，清洁的更加的彻底和完全，同时避免了人体与硅钼棒直接接触，降低了人为导致的硅钼棒破损和断裂的风险。导致的硅钼棒破损和断裂的风险。导致的硅钼棒破损和断裂的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种清洁靶材烧结窑炉硅钼棒发热体的方法


[0001]本专利技术涉及靶材烧结加工
，具体是一种清洁靶材烧结窑炉硅钼棒发热体的方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着显示领域的不断发展，不管在国际市场还是国内市场，陶瓷靶材的应用越来越广泛。在靶材的生产过程中，烧结窑炉的状态对靶材烧结效果至关重要。其中硅钼棒发热体又是烧结炉最重要的组成部分。
[0003]在硅钼棒使用过程中会遇到硅钼棒表皮剥落掉皮和粘连的情况。原因为硅钼棒在升温的过程中，会在其表面形成一层二氧化硅保护膜，以防止其进一步氧化，但是实际使用过程中硅钼棒的烧结次数和靶材烧结过程中挥发物的影响。往往使得反应并不能彻底完成，表面经常会存有一些反应物。
[0004]当发热体表面存在残留反应物时，会影响发热体的功率输出导致炉内温场不均匀，会使得靶材密度不合格。另外这些残留物在烧结过程中会掉落在靶材表面会使得靶材表面弯曲甚至是开裂等一系列问题。
[0005]目前主要是人为的采用物理方法进行剥离处理。但是这种处理方式由于杂质和发热体粘连紧密使得人为清理难以将表面的反应物杂质彻底清除干净。且采用人为剥离需要人体与硅钼棒直接接触，增加了硅钼棒破损和断裂的风险。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种清洁靶材烧结窑炉硅钼棒发热体的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的现有技术采用人为清理难以将硅钼棒表面清除干净，且人为剥离清理增加破损和断裂的风险的问题。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：r/>[0008]一种清洁靶材烧结窑炉硅钼棒发热体的方法，包括下列步骤：
[0009]步骤一：将烧结炉的温度提高至1200℃，通入氧气后，保温2小时；
[0010]步骤二：将烧结炉的温度提高到1550℃至1620℃之间，保温8至14小时，即在1550℃时保温14小时，在1620℃时，保温8小时；温度越高，保温时间越短；此过程持续通入氧气；
[0011]步骤三：通过鼓风机送风将烧结炉降温至室温状态，即完成对硅钼棒的清洁。
[0012]作为本专利技术进一步的方案：在步骤一中，通过分散设置的若干个通氧孔向硅钼棒的各位置送入氧气，以保证硅钼棒上各处杂质的反应均衡。
[0013]作为本专利技术进一步的方案：在通氧过程中，通过设置回流组件抽出炉腔内的气体，对抽出的气体进行过滤后，补入氧气混合再由通氧孔送回炉体内，以此提高氧气利用效率。
[0014]作为本专利技术进一步的方案：在步骤三中，所述鼓风机由分散设置的多个通风槽向炉体内吹送气流，实现对炉体的快速均匀的降温冷却。
[0015]作为本专利技术进一步的方案：通过清理槽在鼓风机进行送气中进行抽气，将鼓风机
送出的高温气流进行抽取排出，并对其中的灰尘杂质进行滤除收集。
[0016]作为本专利技术进一步的方案：在高温气流抽出，通过热电转换机构将气流热量转化为电能并储存利用。
[0017]本专利技术的有益效果是：与以往的采用人为清理硅钼棒的方法相比，本专利技术利用热处理实现对硅钼棒的清理，不会对硅钼棒造成损伤，清洁的更加的彻底和完全，同时避免了人体与硅钼棒直接接触，降低了人为导致的硅钼棒破损和断裂的风险；且本专利技术的清理方法采取常压加热的方式，更加易于操作；
[0018]本申请通过分散设置的若干个通氧孔向硅钼棒的各位置送入氧气，以保证硅钼棒上各处杂质的反应均衡；在通氧过程中，通过设置回流组件抽出炉腔内的气体，对抽出的气体进行过滤后，补入氧气混合再由通氧孔送回炉体内，以此提高氧气利用效率。
附图说明
[0019]图1为本专利技术方法的流程图；
[0020]图2为本专利技术硅钼棒的结构图；
[0021]图3为本专利技术炉体的侧视截面图；
[0022]图4为本专利技术的俯视截面图。
[0023]图中：1、炉体；2、通氧孔；3、硅钼棒；4、回流气板；5、回流孔；6、回流管；7、通风槽；8、送风管；9、抽气管；10、清理槽。
具体实施方式
[0024]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0025]请参阅图1
[0026]实施例1：本实施例中，一种清洁靶材烧结窑炉硅钼棒发热体的方法，包括下列步骤：
[0027]步骤一：将烧结炉的温度提高至1200℃，通入氧气后，保温2小时；
[0028]步骤二：将烧结炉的温度提高到1550℃，保温14小时，此过程持续通入氧气；
[0029]步骤三：通过鼓风机送风将烧结炉降温至室温状态，即完成对硅钼棒3的清洁。
[0030]作为本专利技术进一步的方案：在步骤一中，通过分散设置的若干个通氧孔2向硅钼棒3的各位置送入氧气，以保证硅钼棒3上各处杂质的反应均衡。
[0031]作为本专利技术进一步的方案：在通氧过程中，通过设置回流组件抽出炉腔内的气体，对抽出的气体进行过滤后，补入氧气混合再由通氧孔2送回炉体1内，以此提高氧气利用效率。
[0032]作为本专利技术进一步的方案：在步骤三中，所述鼓风机由分散设置的多个通风槽7向炉体1内吹送气流，实现对炉体1的快速均匀的降温冷却。
[0033]作为本专利技术进一步的方案：通过清理槽10在鼓风机进行送气中进行抽气，将鼓风机送出的高温气流进行抽取排出，并对其中的灰尘杂质进行滤除收集。
[0034]作为本专利技术进一步的方案：在高温气流抽出，通过热电转换机构将气流热量转化为电能并储存利用。
[0035]请参阅图2
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4，本实施例还提供一种用于施行上述清洁方法的烧结炉结构，包括炉体1，炉体1内腔的顶部固定安装有垫板，垫板的底部固定安装有硅钼棒3；垫板的中部开设有若干个通氧孔2，垫板的顶部固定连接有分流罩，分流罩的一侧固定连接有通氧管，通氧管的一端与外接氧气输送设备的输出端连通；在进行清洁时，由硅钼棒3启动升温实现对炉内温度的调节控制，在需要进行通氧时，由外接氧气输送设备送出氧气，经由分流罩分流后由若干个通氧孔2将氧气分散送入炉体1内，氧气是硅钼棒3在高温条件下形成致密的玻璃膜的必要反应物，通过分散均匀的通入氧气，保证硅钼棒3各位置反应的均衡稳定；
[0036]炉体1内腔的底部中心设置有回流组件，回流组件包括回流气板4，回流板的中部开设有若干个回流孔5，回流板的底部固定连接有回流罩，回流罩的底部固定连接有回流管6，回流管6的底部与外接过滤机构对气流进行过滤，去除其中杂质保留氧气，再与外接的氧气输送设备的输出端连通；炉体1内腔的底部一侧开设有清理槽10，清理槽10的底部固定连接有清理罩板，清理罩板的底部固定连接有抽气管9，抽气管9一端固定连接有抽气泵，抽气管9的中部固定安装有过滤器，通过过滤器过滤后的气体，送入外接的热电转换机构，将气体中的热量转换为电能储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洁靶材烧结窑炉硅钼棒发热体的方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤一：将烧结炉的温度提高至1200℃，通入氧气后，保温2小时；步骤二：将烧结炉的温度提高到1550℃至1620℃之间，保温8至14小时，温度越高，保温时间越短，此过程持续通入氧气；步骤三：通过鼓风机送风将烧结炉降温至室温状态，即完成对硅钼棒(3)的清洁。2.根据权利要求1所述的一种清洁靶材烧结窑炉硅钼棒发热体的方法，其特征在于，在步骤一中，通过分散设置的若干个通氧孔(2)向硅钼棒(3)的各位置送入氧气，以保证硅钼棒(3)上各处杂质的反应均衡。3.根据权利要求2所述的一种清洁靶材烧结窑炉硅钼棒发热体的方法，其特征在于，在通氧过程中，通过设置回流组件抽出炉腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐涛，汪强，高建成，张莉兰，
申请(专利权)人：先导薄膜材料安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：