一种晶界扩散源及高性能高丰度稀土磁体的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶界扩散源及高性能高丰度稀土磁体的制备方法，该晶界扩散源，包括(HRE

【技术实现步骤摘要】
一种晶界扩散源及高性能高丰度稀土磁体的制备方法


[0001]本专利技术属于稀土永磁材料制备领域，尤其涉及一种晶界扩散源及高性能高丰度稀土磁体的制备方法。

技术介绍

[0002]Nd
‑
Fe
‑
B磁体具有磁性强，体积小等诸多优势，随着新能源汽车及机器人等高新科技产业的不断发展，高性能Nd
‑
Fe
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B磁体的需求不断提升，这导致了低丰度稀土金属Nd,Dy和Tb的过度使用，寻找这些关键元素的替代变得迫切和重要。
[0003]稀土元素Ce含量高，价格较低，在Nd
‑
Fe
‑
B磁体生产中没有得到有效利用，因此，使用部分高丰度稀土Ce替代Nd将是探索稀土金属综合利用可持续发展的重要途径；然而，与Nd
‑
Fe
‑
B磁体相比，Ce2Fe14B的内禀磁性能远低于Nd2Fe14B，Ce替代Nd会导致强烈的磁稀释效应，使得磁体永磁性能降低，尤其是矫顽力降低最为明显。
[0004]最近发展的晶界扩散技术可以在不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶界扩散源，其特征在于：包括(HRE
x
La1‑
x
)
68
(M1‑
y
Ga
y
)
32
合金粉末，所述HRE是选自Dy或Tb的一种或多种，所述M是选自Fe、Co、Al、Ca、Cu、Ni、Ge、Zr、Ti、Nb、Mo、Hf、Ta或W中的一种或多种；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，x(HRE)+x(La)＝68at.％，x(M)+x(Ga)＝32at.％。2.一种高性能高丰度稀土磁体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1制备用于晶界扩散处理的含Ce元素的高丰度稀土钕铁硼毛坯；S2将烧结钕铁硼毛坯加工为晶界扩散处理的基片，并经过表面处理；S3制备如权利要求1所述的晶界扩散源的浆料，然后将晶界扩散源浆料附着在扩散磁体基片上形成晶界扩散层；S4将形成晶界扩散层的待扩散磁体转移到烧结炉进行扩散热处理，得到扩散磁体。3.如权利要求2所述的高性能高丰度稀土磁体的制备方法，其特征在于：在步骤S3中，将晶界扩散源浆料附着在扩散磁体基片上形成晶界扩散层的方式包括涂覆、丝网印刷和悬浮等离子喷涂。4.如权利要求2所述的高性能高丰度稀土磁体的制备方法，其特征在于，制备晶界扩散源浆料的步骤如下：S20)取粘合剂放入液体分散剂中搅拌溶解；S21)溶解后的胶体，放入手套箱内，开启手套箱氮气出气阀门，开启氮气进气阀门，让氮气排空手套箱内空气，使氧含量低于0.01％；S22)分别将粒度为3
‑
4um的晶界扩散源粉末以及保护层粉末，分多次加入到胶体中，每加一次搅拌均匀，直到完全加完后，再延长搅拌时间5分钟，使粉末完全被胶体覆盖后获得晶界扩散源浆料，其中，晶界扩散源粉末在浆料中的质量百分比1％
‑
90％。5.如权利要求2所述的高性能高丰度稀土磁体的制备方法，其特征在于，在步骤3中制备两种含量不同的晶界扩散源的浆料，然后将两种含量不同的晶界扩散源的浆料依次附着在扩散磁体基片上形成双层晶界扩散层；其中，第一种晶界扩散源的浆料为(HRE
x
La1‑
x
)
68
(M1‑
y
Ga
y
)
32
，0≤x≤0.3，0≤y≤0.3，x(HRE)+x(La)＝68at.％，x(M)+x(Ga)＝32at.％；第二种晶界扩散源的浆料为(HRE
x
La1‑
x
)
68
(M1‑
y
Ga
y
)
32
，0.7≤x≤1，0.7≤x≤1，x(HRE)+x(La)＝68at.％，x(M)+x(Ga)＝32at.％。6.如权利要求5所述的高性能高丰度稀土磁体的制备方法，其特征在于：所述双层晶界扩散层中两种...

【专利技术属性】
技术研发人员：代飞龙，牛锋钢，
申请(专利权)人：苏州磁亿电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：