用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法技术

本发明专利技术提供了用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法。公开了碳化硅(SiC)晶片(8A)和相关方法，其包括配置以减少与由于重力或先前存在的结晶应力所造成的这些晶片(8A)的变形、弯曲或下垂有关的生产问题的故意或强加的晶片(8A)形状。故意或强加的晶片(8A)形状可以包括具有相对于其硅面的松弛正弯的SiC晶片(8A)。以这种方式，可以降低与SiC晶片(8A)，并且具体地大面积SiC晶片(8A)的变形、弯曲或下垂有关的影响。公开了用于提供具有松弛正弯的SiC晶片(8A)的相关方法，所述方法提供了减小的块状晶体材料(70、90、92A、92)的切割损失。这些方法可以包括SiC(6H)晶片(8A)与块状晶体材料(70、90、92A、92)的激光辅助分离。92)的激光辅助分离。92)的激光辅助分离。

【技术实现步骤摘要】
用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法
[0001]本申请是申请日为2020年3月13日、专利技术名称为“用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法”的中国专利申请号202080036469.4的分案申请。
[0002]相关申请
[0003]本申请主张2020年2月7日提交的美国专利申请序列号16/784,311和2019年5月17日提交的美国专利申请序列号16/415,721的权益，以上申请的公开内容以其全部内容作为参考并入本文。


[0004]本公开涉及用于处理晶体材料的方法，并且更具体地涉及用于从块状晶体材料形成晶片的方法。

技术介绍

[0005]多种微电子、光电子和微制造应用需要晶体材料薄层作为制造多种有用系统的起始结构。用于从晶体材料的大直径晶锭切下薄层(例如，晶片)的传统方法包括线锯的使用。线锯技术已应用于多种晶体材料，如硅(Si)、蓝宝石和碳化硅(SiC)。线锯工具包括通过一个或多个导辊的凹槽的特细钢丝(通常具有0.2mm或更少的直径)。存在两种切片法，即放松研磨切片和固定研磨切片。放松研磨切片包括浆液(通常是研本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅(SiC)晶片，包括：硅面和碳面；至少200毫米(mm)的直径；以及从所述硅面的松弛正弯。2.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在大于0μm至50μm的范围内。3.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在大于0μm至40μm的范围内。4.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在大于0μm至15μm的范围内。5.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在包括30μm至50μm的范围内。6.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述松弛正弯在包括8μm至16μm的范围内。7.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片包含n
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型导电SiC晶片。8.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片包含半绝缘SiC晶片。9.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片包含无意掺杂的SiC晶片。10.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片的所述碳面包含对应于从所述硅面的松弛正弯的形状。11.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中通过所述松弛正弯所限定的硅面的轮廓不同于SiC晶片的所述碳面的轮廓。12.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中SiC晶片设置有小于250μm的切割损失。13.根据权利要求1所述的SiC晶片，其中所述直径在200mm至205mm的...

【专利技术属性】
技术研发人员：西蒙，
申请(专利权)人：沃孚半导体公司，
类型：发明
国别省市：