本发明专利技术涉及一种除害设备互相备用装置及其控制方法，所属硅片加工技术领域，包括TOOLⅠ和TOOLⅡ，所述的TOOLⅠ、TOOLⅡ为LPCVD的主设备，所述的TOOLⅠ对应设有与TOOLⅠ相管路连通的除害设备Ⅱ，所述的除害设备Ⅱ与TOOLⅠ间设有进气管Ⅰ，所述的进气管Ⅰ上设有三通电磁阀Ⅱ，所述的TOOLⅡ对应设有与TOOLⅡ相管路连通的除害设备Ⅰ，所述的三通电磁阀Ⅱ与除害设备Ⅰ间设有补流管Ⅰ，所述的除害设备Ⅰ与TOOLⅡ间设有进气管Ⅱ，所述的进气管Ⅱ上设有三通电磁阀Ⅰ，所述的三通电磁阀Ⅰ与除害设备Ⅱ间设有补流管Ⅱ。当除害设备一台或两台出现故障时，实现管路切换到另一台除害设备的进气端，保证主设备排气连续不中断处理。排气连续不中断处理。排气连续不中断处理。
【技术实现步骤摘要】
除害设备互相备用装置及其控制方法
[0001]本专利技术涉及硅片加工
，具体涉及一种除害设备互相备用装置及其控制方法。
技术介绍
[0002]硅片切割时，会产生大量细微的硅尘粉末，长期吸入会造成呼吸道黏膜损伤，还容易引起尘肺病、过敏性哮喘。在硅片切割中需要除害设备对硅尘粉末进行清除，确保操作人员的身体健康及车间环境无尘化作业。
[0003]低压力化学气相沉积法(LPCVD)是一种常用的薄膜制备技术,它利用化学反应在低压力下将气态前驱体转化为固态薄膜。LPCVD技术具有高纯度、高均匀性、高质量、高可控性等优点,因此在微电子、光电子、材料科学等领域得到广泛应用。
[0004]LPCVD技术的基本原理是将气态前驱体引入反应室中,在高温下进行化学反应,生成固态薄膜。反应室内的压力通常在10
‑
3至10
‑
1Torr之间,这种低压力环境有利于减少气体分子之间的碰撞,从而提高反应速率和薄膜质量。
[0005]低压力化学气相沉积法广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉积,过程在管炉中执行，要求也相当高的温度，同时在硅片低压化学气相沉积业需要进行除害。原主设备LPCVD采用单独对应一台除害设备，除害设备故障或异常，主设备lpcvd就会报警中断，造成产品异常，工艺气体就得不到无害处理而排放，除害设备保养时，主设备必须停止正常生产才能进行，影响主设备的连续生产。
技术实现思路
[0006]本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种除害设备互相备用装置及其控制方法，当除害设备一台或两台出现故障时，实现管路切换到另一台除害设备的进气端，保证主设备排气连续不中断处理。
[0007]本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种除害设备互相备用装置，包括TOOLⅠ和TOOLⅡ，所述的TOOLⅠ、TOOLⅡ为LPCVD的主设备，所述的TOOLⅠ对应设有与TOOLⅠ相管路连通的除害设备Ⅱ，所述的除害设备Ⅱ与TOOLⅠ间设有进气管Ⅰ，所述的进气管Ⅰ上设有三通电磁阀Ⅱ，所述的TOOLⅡ对应设有与TOOLⅡ相管路连通的除害设备Ⅰ，所述的三通电磁阀Ⅱ与除害设备Ⅰ间设有补流管Ⅰ，所述的除害设备Ⅰ与TOOLⅡ间设有进气管Ⅱ，所述的进气管Ⅱ上设有三通电磁阀Ⅰ，所述的三通电磁阀Ⅰ与除害设备Ⅱ间设有补流管Ⅱ。
[0008]作为优选，所述的除害设备Ⅰ、除害设备Ⅱ侧边设有除害设备Ⅲ，所述的除害设备Ⅲ上设有进气管Ⅲ，所述的进气管Ⅲ与补流管Ⅰ间、进气管Ⅲ与补流管Ⅱ间均设有三通电磁阀Ⅲ。
[0009]作为优选，所述的TOOLⅠ和TOOLⅡ外侧设有尾气回收管，所述的尾气回收管分别与除害设备Ⅰ、除害设备Ⅱ、除害设备Ⅲ间均设有尾气排放管。
[0010]作为优选，所述的进气管Ⅲ与三通电磁阀Ⅲ间分别设有分流管Ⅰ和分流管Ⅱ。
[0011]作为优选，所述的三通电磁阀Ⅰ与TOOLⅡ间、三通电磁阀Ⅱ与TOOLⅠ间均设有流量计。
[0012]一种除害设备互相备用装置的控制方法，包括如下操作步骤：第一步：当除害设备Ⅰ、除害设备Ⅱ均正常运行时，TOOLⅠ的有害气体通过进气管Ⅰ进入除害设备Ⅱ进行处理；TOOLⅡ的有害气体通过进气管Ⅱ进入除害设备Ⅰ进行处理。
[0013]第二步：当除害设备Ⅰ出现故障时，三通电磁阀Ⅱ的状态是进气管Ⅰ通，补流管Ⅰ不通，三通电磁阀Ⅰ的状态是进气管Ⅱ不通，补流管Ⅱ通，TOOLⅠ和TOOLⅡ的有害气体通过除害设备Ⅱ进行处理。
[0014]第三步：当除害设备Ⅱ出现故障时，三通电磁阀Ⅱ的状态是进气管Ⅰ不通，补流管Ⅰ通，三通电磁阀Ⅰ的状态是进气管Ⅱ通，补流管Ⅱ不通，TOOLⅠ和TOOLⅡ的有害气体通过除害设备Ⅰ进行处理。
[0015]作为优选，当流量计预警除害设备Ⅰ、除害设备Ⅱ单台处理有害气体超负荷时，进气管Ⅱ或进气管Ⅰ不通，补流管Ⅰ或补流管Ⅱ通过三通电磁阀Ⅲ，使得有害气体分别经过分流管Ⅰ或分流管Ⅱ从进气管Ⅲ进入除害设备Ⅲ进行处理。
[0016]作为优选，当除害设备Ⅰ、除害设备Ⅱ均出现故障时，进气管Ⅱ和进气管Ⅰ均不通，补流管Ⅰ和补流管Ⅱ通过三通电磁阀Ⅲ，使得有害气体分别经过分流管Ⅰ和分流管Ⅱ从进气管Ⅲ进入除害设备Ⅲ进行处理。
[0017]本专利技术能够达到如下效果：本专利技术提供了一种除害设备互相备用装置及其控制方法，与现有技术相比较，当除害设备一台或两台出现故障时，实现管路切换到另一台除害设备的进气端，保证主设备排气连续不中断处理。
附图说明
[0018]图1是本专利技术的结构示意图。
[0019]图2是本专利技术的过载分流的结构示意图。
[0020]图中：流量计1，TOOLⅠ2，补流管Ⅰ3，TOOLⅡ4，三通电磁阀Ⅰ5，尾气回收管6，尾气排放管7，进气管Ⅱ8，除害设备Ⅰ9，除害设备Ⅱ10，补流管Ⅱ11，进气管Ⅰ12，三通电磁阀Ⅱ13，分流管Ⅰ14，三通电磁阀Ⅲ15，除害设备Ⅲ16，进气管Ⅲ17，分流管Ⅱ18。
具体实施方式
[0021]下面通过实施例，并结合附图，对专利技术的技术方案作进一步具体的说明。
[0022]实施例：如图1和图2所示，一种除害设备互相备用装置，包括TOOLⅠ2和TOOLⅡ4，TOOLⅠ2、TOOLⅡ4为LPCVD的主设备，TOOLⅠ2对应设有与TOOLⅠ2相管路连通的除害设备Ⅱ10，除害设备Ⅱ10与TOOLⅠ2间设有进气管Ⅰ12，进气管Ⅰ12上设有三通电磁阀Ⅱ13，TOOLⅡ4对应设有与TOOLⅡ4相管路连通的除害设备Ⅰ9，三通电磁阀Ⅱ13与除害设备Ⅰ9间设有补流管Ⅰ3，除害设备Ⅰ9与TOOLⅡ4间设有进气管Ⅱ8，进气管Ⅱ8上设有三通电磁阀Ⅰ5，三通电磁阀Ⅰ5与除害设备Ⅱ10间设有补流管Ⅱ11，三通电磁阀Ⅰ5与TOOLⅡ4间、三通电磁阀Ⅱ13与TOOLⅠ2间均设有流量计1。除害设备Ⅰ9、除害设备Ⅱ10侧边设有除害设备Ⅲ16，除害设备Ⅲ16上设有
进气管Ⅲ17，进气管Ⅲ17与补流管Ⅰ3间、进气管Ⅲ17与补流管Ⅱ11间均设有三通电磁阀Ⅲ15，进气管Ⅲ17与三通电磁阀Ⅲ15间分别设有分流管Ⅰ14和分流管Ⅱ18。TOOLⅠ2和TOOLⅡ4外侧设有尾气回收管6，尾气回收管6分别与除害设备Ⅰ9、除害设备Ⅱ10、除害设备Ⅲ16间均设有尾气排放管7。
[0023]一种除害设备互相备用装置的控制方法，包括如下控制步骤：当除害设备Ⅰ9、除害设备Ⅱ10均正常运行时，TOOLⅠ2的有害气体通过进气管Ⅰ12进入除害设备Ⅱ10进行处理；TOOLⅡ4的有害气体通过进气管Ⅱ8进入除害设备Ⅰ9进行处理。
[0024]当除害设备Ⅰ9出现故障时，三通电磁阀Ⅱ13的状态是进气管Ⅰ12通，补流管Ⅰ3不通，三通电磁阀Ⅰ5的状态是进气管Ⅱ8不通，补流管Ⅱ11通，TOOLⅠ2和TOOLⅡ4的有害气体通过除害设备Ⅱ10进行处理。
[0025]当除害设备Ⅱ10出现故障时，三通电磁阀Ⅱ13的状态是进气管Ⅰ12不通，补流管Ⅰ3通，三通电磁阀Ⅰ5的状态是进气管Ⅱ8通，补流管Ⅱ11不通，TOOLⅠ2和TOOL本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种除害设备互相备用装置，其特征在于：包括TOOLⅠ（2）和TOOLⅡ（4），所述的TOOLⅠ（2）、TOOLⅡ（4）为LPCVD的主设备，所述的TOOLⅠ（2）对应设有与TOOLⅠ（2）相管路连通的除害设备Ⅱ（10），所述的除害设备Ⅱ（10）与TOOLⅠ（2）间设有进气管Ⅰ（12），所述的进气管Ⅰ（12）上设有三通电磁阀Ⅱ（13），所述的TOOLⅡ（4）对应设有与TOOLⅡ（4）相管路连通的除害设备Ⅰ（9），所述的三通电磁阀Ⅱ（13）与除害设备Ⅰ（9）间设有补流管Ⅰ（3），所述的除害设备Ⅰ（9）与TOOLⅡ（4）间设有进气管Ⅱ（8），所述的进气管Ⅱ（8）上设有三通电磁阀Ⅰ（5），所述的三通电磁阀Ⅰ（5）与除害设备Ⅱ（10）间设有补流管Ⅱ（11）。2.根据权利要求1所述的除害设备互相备用装置，其特征在于：所述的除害设备Ⅰ（9）、除害设备Ⅱ（10）侧边设有除害设备Ⅲ（16），所述的除害设备Ⅲ（16）上设有进气管Ⅲ（17），所述的进气管Ⅲ（17）与补流管Ⅰ（3）间、进气管Ⅲ（17）与补流管Ⅱ（11）间均设有三通电磁阀Ⅲ（15）。3.根据权利要求2所述的除害设备互相备用装置，其特征在于：所述的TOOLⅠ（2）和TOOLⅡ（4）外侧设有尾气回收管（6），所述的尾气回收管（6）分别与除害设备Ⅰ（9）、除害设备Ⅱ（10）、除害设备Ⅲ（16）间均设有尾气排放管（7）。4.根据权利要求2所述的除害设备互相备用装置，其特征在于：所述的进气管Ⅲ（17）与三通电磁阀Ⅲ（15）间分别设有分流管Ⅰ（14）和分流管Ⅱ（18）。5.根据权利要求4所述的除害设备互相备用装置，其特征在于：所述的三通电磁阀Ⅰ（5）与TOOLⅡ（4）间、三通电磁阀Ⅱ（13）与TOOLⅠ（2）间均设有流量计（...
【专利技术属性】
技术研发人员：平铁卫，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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