半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体存储装置，包括衬底、有源结构、浅沟渠隔离以及多个字线。有源结构设置于衬底内，并包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，各个第一有源片段以及各个第二有源片段相互平行地朝着第一方向延伸，第二有源片段设置在所有的第一有源片段外侧。浅沟渠隔离设置于衬底内，环绕有源结构并包括多个第一部分以及多个第二部分。字线相互平行地沿着第二方向延伸并设置于所述衬底内。所述字线中至少两条仅与所述第二有源片段交错，或者至少一条不穿过任何第二部分。藉此，可有效地避免字线与位线直接导通。避免字线与位线直接导通。避免字线与位线直接导通。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001]本案是中国专利CN 202110837426.2、半导体存储装置的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种半导体存储装置，尤其是涉及一种包括有源结构以及浅沟渠隔离的半导体存储装置。

技术介绍

[0003]随着半导体装置微小化以及集成电路的复杂化，组件的尺寸不断地减小，结构亦不断地变化，因此，维持小尺寸半导体组件的效能为目前业界的主要目标。在半导体制作工艺中，多半是在衬底上定义出多个有源区域作为基础，再于所述有源区域上形成所需组件。一般来说，有源区域为利用光刻及蚀刻等制作工艺在衬底上所形成多个图案，但在尺寸微缩的要求下，有源区域的宽度逐渐缩减，而各个有源区域之间的间距也渐缩小，使得其制作工艺也面临许多限制与挑战，以至于无法满足产品需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术之一目的在于提供一种半导体存储装置，其设置于外侧的字线系作为虚设字线，以保护设置于内侧的字线，避免设置于内侧的字线透过有源结构而与后续形成的位线直接导通。在此设置下，本专利技术之半导体存储装置可达到较为优化的组件效能。
[0005]为达上述目的，本专利技术之一实施例提供一种半导体存储装置，包括衬底、有源结构、浅沟渠隔离以及多个字线。所述有源结构设置于所述衬底内，并包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，各个所述第一有源片段以及各个所述第二有源片段相互平行地朝着第一方向延伸，所述第二有源片段设置在所有的所述第一有源片段外侧。其中，所述第一有源片段在所述第一方向上具有第一长度，所述第二有源片段在所述第一方向上具有第二长度，所述第二长度大于或小于所述第一长度。所述浅沟渠隔离设置于所述衬底内，以环绕所述有源结构。所述字线相互平行地沿着第二方向延伸并设置于所述衬底内，所述第二方向相交且不垂直于所述第一方向，所述字线中至少一条与至少三个连续排列的所述第二有源片段交错。
[0006]为达上述目的，本专利技术之一实施例提供另一种半导体存储装置，包括衬底、有源结构、浅沟渠隔离以及多个字线。所述有源结构设置于所述衬底内，并包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，各个所述第一有源片段以及各个所述第二有源片段相互平行地朝着第一方向延伸，所述第二有源片段设置在所有的所述第一有源片段外侧，所述第一有源片段在所述第一方向上皆具有相同的第一长度，所述第二有源片段在所述第一方向上分别具有不同于所述第一长度的长度。所述浅沟渠隔离设置于所述衬底内，以环绕所述有源结构。所述字线相互平行地沿着不垂直于所述第一方向的第二方向延伸并设置于所述衬底内。所述第二有源片段在远离所述第一有源片段的一端具有第一端部，所述第一端部在第三方向上与所述第二有源片段的另一端部之间的距离为第一距离，所述第一端部在第三方
向上与至少一个所述字线远离所述第一端部的一侧之间的距离为第二距离，所述第三方向垂直于所述第二方向，所述第一距离大于所述第二距离。
附图说明
[0007]图1至图2绘示本专利技术第一优选实施例中半导体存储装置的示意图；其中
[0008]图1为本专利技术的半导体存储装置的俯视示意图；以及
[0009]图2为图1沿切线A
‑
A
’
的剖面示意图。
[0010]图3绘示本专利技术第二优选实施例中半导体存储装置的示意图。
[0011]图4绘示本专利技术第三优选实施例中半导体存储装置的示意图。
[0012]其中，附图标记说明如下：
[0013]300、400、500半导体存储装置
[0014]110 衬底
[0015]112 浅沟渠
[0016]120 浅沟渠隔离
[0017]130 有源结构
[0018]131 第一有源区
[0019]131a 第一有源片段
[0020]131b第二有源片段
[0021]133、433、533第二有源区
[0022]133a、433a、533a第一侧边
[0023]133b、43b3、533b第二侧边
[0024]140 埋藏式闸极结构
[0025]140a 第一字线
[0026]140b 第二字线
[0027]141 沟渠
[0028]142 介电层
[0029]143 闸极介电层
[0030]144 闸极
[0031]145 盖层
[0032]401、402、501、502开口
[0033]D1 第一方向
[0034]D2 第二方向
[0035]D3 第三方向
[0036]g1、g2间隔
[0037]L1、L2、L3、L4、L5长度
[0038]P1间距
[0039]T1、W宽度
具体实施方式
[0040]为使熟悉本专利技术所属
的一般技术者能更进一步了解本专利技术，下文特列举本专利技术的数个优选实施例，并配合所附的附图，详细说明本专利技术的构成内容及所欲达成的功效。熟习本专利技术所属领域的技术人员能在不脱离本专利技术的精神下，参考以下所举实施例，而将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
[0041]请先参照图1至图2，所绘示者为本专利技术优选实施例中半导体存储装置300的制作工艺示意图，其中，图1以及图2分别为半导体存储装置300的俯视示意图以及剖面示意图。半导体存储装置300包括一衬底110，例如是一硅基底、含硅基底(如SiC、SiGe)或硅覆绝缘(silicon
‑
on
‑
insulator,SOI)基底等，衬底110内设置至少一浅沟渠隔离(shallow trenchisolation,STI)120，以在衬底110定义出一有源结构(active structure)130，意即，浅沟渠隔离120系环绕有源结构130设置。其中，有源结构130进一步包括设置在一区域(例如是组件积集度相对较高的存储区域)内的第一有源区131，以及设置在另一区域内的第二有源区133(例如是组件积集度相对较低的周边区域)。优选地，所述另一区域(例如是周边区域)系设置于所述区域(例如是存储区域)的外侧，使得第二有源区133可环绕设置于第一有源区131的外侧，如图1所示，但并不以此为限。
[0042]请参照图1以及图2所示，第一有源区131细部包括多个第一有源片段131a以及多个第二有源片段131b，第一有源片段131a以及第二有源片段131b系相互平行且相互间隔地沿着第一方向D1延伸，并且在第一方向D1上相互交替地设置，其中，第一方向D1例如是相交且不垂直于y方向(例如是第二方向D2)或x方向(例如是第三方向D3)。细部来说，各第一有源片段131a例如在第一方向D1上具有相同的长度L1，各第二有源片段131b则在第一方向D1上具有不同的长度，例如是长度L2、L3、L4、L5，皆不同于长度L1。其中，在第二方向D2或第三方向D3上相邻的任两个第二有源片段131b可优选地具有不同的长度，例如是皆大于长度L1的长本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：衬底；有源结构，设置于所述衬底内，所述有源结构包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，各个所述第一有源片段以及各个所述第二有源片段相互平行地朝着第一方向延伸，所述第二有源片段设置在所有的所述第一有源片段外侧，其中，所述第一有源片段在所述第一方向上具有第一长度，所述第二有源片段在所述第一方向上具有第二长度，所述第二长度大于或小于所述第一长度；浅沟渠隔离，设置于所述衬底内，以环绕所述有源结构；以及多个字线，相互平行地沿着第二方向延伸并设置于所述衬底内，所述第二方向相交且不垂直于所述第一方向，所述字线中至少一条与至少三个连续排列的所述第二有源片段交错。2.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述字线中至少两条仅与所述第二有源片段交错。3.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，任两相邻的所述第二有源片段在所述第一方向上具有不相同的所述第二长度以及第三长度。4.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述第一有源片段以及所述第二有源片段在所述第二方向上具有相同的第一间隔，所述第一有源片段以及所述第二有源片段在所述第一方向上具有相同的第二间隔，所述第二间隔大于所述第一间隔，并且，所述浅沟渠隔离包含分别填入所述第一间隔以及所述第二间隔的多个第一部分以及多个第二部分。5.依据权利要求第4项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述字线中至少一条不穿过任何所述第二部分。6.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述有源结构还包括有源区，环绕着所述第一有源片段以及所述第二有源片段设置，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张钦福，童宇诚，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：