【技术实现步骤摘要】
一种快速响应的三环LDO电路结构
[0001]本专利技术属于半导体集成电路领域，尤其涉及一种快速响应的三环
LDO
电路结构
。
技术介绍
[0002]低压差线性稳压器在集成电路中扮演着极其重要的角色，且在有线通讯和无线通讯系统中亦是关键电路，可提供稳定
、
可调的电压
。
目前很多
LDO
电路主要采用传统单调整管结构或
FVF
结构
。
传统单调整管结构
LDO
一般是误差放大器和调整管组成的负反馈环路，这种结构的
LDO
通常可以拥有较好的
PSR
，但其对变化的负载的响应速度受带宽和压摆率与压摆率限制
。
与传统结构的
LDO
相比，
FVF LDO
结构简单且静态功耗较低，同时自身具有反馈环路，且有较大环路带宽，因此做到快速响应，在没有片外电容的情况下也能保持较好的稳定性
。
然而，折叠电路拓扑结构降低了
FVF LDO
的环路增益，导致电源噪声抑制比降低，在纳米级别工艺中这一现象尤为明显
。
为了实现高电源抑制比，一般需要增加额外的增益级，但这会导致环路带宽的下降，从而导致响应速度减慢
。
综上，如何合理设计
LDO
电路，在保证高瞬态响应速度的同时保证高电源抑制比是设计关键
。
[0003]如图3所示为文献“M....
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种快速响应的三环
LDO
电路结构，其特征在于，包括运算放大器电路
(1)、
控制电压产生电路
(2)
和翻转电压跟随器
(3)
三个部分；运算放大器电路
(1)
输出端与负输入端相连，参考电压源
V
REF
接运算放大器电路
(1)
正输入端，运算放大器电路
(1)
的负输入端接输出端构成单位增益负反馈，运算放大器电路
(1)
输出端的电压等于参考电压源
V
REF
；运算放大器电路
(1)
的输出端接控制电压产生电路
(2)
的输入端，产生控制电压产生电路
(2)
输出电压
V
CTRL
；控制电压产生电路
(2)
输出端接翻转电压跟随器
(3)
输入端，然后通过将控制电压产生电路
(2)
将参考电压源
V
REF
复制到翻转电压跟随器
(3)
的输出端
V
OUT
；
所述翻转电压跟随器包括推挽输出级，快速负反馈环路和超级源跟随器；所述推挽输出级包括第四
MOS
管
M4
和第一
MOS
管
M1
；所述快速负反馈环路包括第四
MOS
管
M4、
第三
MOS
管
M3、
第二
MOS
管
M2、
第一
MOS
管
M1
；所述超级源跟随器包括第三
MOS
管
M3
和第十五
MOS
管
M15
；第一
MOS
管
M1
的漏极接第二
MOS
管
M2
的源极
、
第四
MOS
管
M4
的漏极；第二
MOS
管
M2
的漏极接第三
MOS
管
M3
的栅极
、
第四
MOS
管
M4
的栅极；第一
MOS
管
M1
的栅极接第三
MOS
管
M3
的源极
、
第十五
MOS
管
M15
的漏极；第三
MOS
管
M3
的漏极接第十五
MOS
管
M15
的栅极
。2.
根据权利要求1所述的快速响应的三环
LDO
电路结构，其特征在于，所述运算放大器电路
(1)
包括运算放大器
OPA
；所述控制电压产生电路
(2)
包括第十
MOS
管
M10、
第十二
MOS
管
M12
；所述翻转电压跟随器
(3)
还包括第七
MOS
管
M7、
第八
MOS
管
M8、
第九
MOS
管
M9、
第十三
MOS
管
M13、
第十四
MOS
管
M14、
第十六
MOS
管
M16
；第一
MOS
管
M1
的源极
、
第五
MOS
管
M5
的源极
、
第六
MOS
管
M6
的源极
...
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