一种具有高切换速率的双极性脉冲恒流源制造技术

技术编号:39424576 阅读:35 留言:0更新日期:2023-11-19 16:11
本发明专利技术为一种具有高切换速率的双极性脉冲恒流源,属于电力电子技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种具有高切换速率的双极性脉冲恒流源


[0001]本专利技术属于电力电子
,具体是一种具有高切换速率的双极性脉冲恒流源


技术介绍

[0002]高精度

低温漂

高可靠性

高切换速率的恒流源被广泛应用于功率半导体器件瞬态热特性测试

温度敏电参数测量

时钟电路

震荡器等各个领域

这些高精度仪器以及高精度测量对恒流源提出了非侵入性

快速响应

高精度的需求,特别是在功率半导体器件温敏电参数测量中,准确测量功率半导体器件的结温是器件实时状态监测

可靠性评估的前提,因此功率半导体器件的结温提取在电力电子系统中有着重要地位

在实际应用中,常使用温敏电参数法实时获取功率半导体器件结温,该方法具有非侵入性

快速响应

高精度

低成本等优点
r/>随着电力电子相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种具有高切换速率的双极性脉冲恒流源,包括正脉冲恒流源以及负脉冲恒流源;其特征在于,正脉冲恒流源包括正参考电位选取电路

正向恒流源电路和正脉冲恒流源控制电路;负脉冲恒流源包括负参考电位选取电路

反向恒流源电路和负脉冲恒流源控制电路;所述正脉冲恒流源控制电路包含
MOS

M1

M4、
驱动电阻
R4

R8、
二极管
D1

D2、
电容
C2、
三极管
Q2
以及正脉冲电流控制端;其中,三极管
Q2

NPN
三极管,
MOS

M1

M4

N
沟道
MOS
管,
MOS

M2

M3

P
沟道
MOS
管;
MOS

M1
的漏极与正向恒流源电路的三极管
Q1
的集电极相连,
MOS

M1
的源极接地,
MOS

M1
的栅极与驱动电阻
R4
的一端相连,驱动电阻
R4
的另一端和驱动电阻
R5
的一端与二极管
D1
的阴极相连,二极管
D1
的阳极与驱动电阻
R5
的另一端

驱动电阻
R6
的一端

驱动电阻
R8
的一端以及正脉冲恒流源控制端相连;驱动电阻
R6
的另一端与
MOS

M3

MOS

M4
的栅极相连,
MOS

M4
的源极与负电压源相连,
MOS

M4
的漏极与
MOS

M3
的漏极以及驱动电阻
R7
的一端相连,驱动电阻
R7
的另一端与电容
C2
的另一端相连,电容
C2
的一端和
MOS

M2
的源极与正向恒流源电路的三极管
Q1
的集电极相连;驱动电阻
R8
的另一端与三极管
Q2
的基极相连,三极管
Q2
的发射极与
MOS

M3
的源极以及
MOS

M2
的栅极相连,三级管
Q2
的集电极与
MOS

M2
的源极相连,
MOS

M2
的漏极与二极管
D2
的阳极相连,二极管
D2
的阴极为正脉冲恒流源的输出端;所述负脉冲恒流源控制电路包括
MOS

M5

M8、
驱动电阻
R12

R16、
二极管
D3

D4、
电容
C4、
三极管
Q4
和负脉冲电流控制端;其中,
MOS

M7

M8

N
沟道
MOS
管,
MOS

M5

M6

P
沟道
MOS
管,三极管
Q4

PNP
三极管;
MOS

M5
的源极接地,
MOS

M5
的漏极与反向恒流源电路的三极管
Q3
的集电极相连,
MOS

M5
的栅极与驱动电阻
R12
的一端相连,驱动电阻
R12
的另一端与驱动电阻
R13
的一端和二极管
D3
的阳极相连,二极管
D3
的阴极与驱动电阻
R13
的另一端

驱动电阻
R14
的一端

驱动电阻
R16
的一端以及负脉冲电流控制端相连;驱动电阻
R14
的另一端与
MOS

M6

MOS

M7
的栅极相连,
MOS

M6
的源极与正电压源相连,
MOS

M6
的漏极与
MOS

M7
的漏极以及驱动电阻
R15
的一端相连,驱动电阻
R15
的另一端与电容
C4
的一端相连,电容
C4
的另一端
、MOS

M8
的源极以及三极管
Q4
的集电极与反向恒流源电路的三极管
Q3
的集电极相连;驱动电阻
R16
的另一端与三极管
Q4
的基极相连,三极管
Q4
的发射极与
MOS

M7
的源极以及
MOS

M8
的栅极相连,三极管
Q4
的集电极与
MOS

M8
的源极相连,
MOS

M8
的漏极与二极管
D4
的阴极相连,二极管
D4
的阳极为负脉冲恒流源的输出端
。2.
根据权利要求1所述的具有高切换速率的双极性脉冲恒流源,其特征在于,所述正参考电位选取电路包括分压电阻
R1、R2
和噪声滤除电容
C1
;分压电阻
R1
的一端与正电压源连接,另一端与分压电阻
R2
的一端

噪声滤除电容
C1
的一端以及正向恒流源电路的运算放大器
U1
的同相输入端相连,分压电阻
R2
以及噪声滤除电容
C1
的另一端接地;或者正参考电位选取电路采用
DAC
信号经过同相比例运算电路输出正参考电位
。3.
根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:辛振王新宇
申请(专利权)人:河北工业大学
类型:发明
国别省市:

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