高阶补偿的带隙基准电压源制造技术

高阶补偿的带隙基准电压源，涉及电子技术，本发明专利技术包括带隙基准源电路，带隙基准源电路包括压控电流源和运放电路，压控电流源通过环路电阻连接第二参考点

【技术实现步骤摘要】
高阶补偿的带隙基准电压源


[0001]本专利技术涉及电子技术，特别涉及集成电路技术
。

技术介绍

[0002]带隙基准是模拟电路中非常重要的模块，为
AD/DA
芯片转换提供参考电压，带隙基准的温漂系数直接影响
AD/DA
转换精度
。
对于传统的带隙基准来说只有一阶补偿，如
CN201310030518.5
专利中所著带隙基准为一阶补偿的带隙基准，对于高精度应用不能够满足需求
。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种结构简单
、
便于校准的高阶补偿带隙基准电压源，实现温漂系数的高阶校准
。
[0004]本专利技术解决所述技术问题采用的技术方案是，高阶补偿的带隙基准电压源，包括带隙基准源电路，带隙基准源电路包括压控电流源和运算放大器电路，压控电流源通过环路电阻连接第二参考点
B
，第二参考点
B
连接运算放大器电路的正性支路和负性支路，运算放大器电路的正性支路具有正温度系数电压端
(VCM)
；
[0005]还包括补偿电路，所述补偿电路的第一输出端接压控电流源的输出端，所述环路电阻包括串联的第一电阻
(R1)
和第二电阻
(R2)
，补偿电路的第二输出端接第一电阻
(R1)
和第二电阻
(R2)
的连接点
。
[0006]进一步的，所述补偿电路包括分压电阻串
、
第一电流比较器
、
第二电流比较器和电流镜，
[0007]第一电流比较器包括第三
PNP
管
(Q3)
和第四
PNP
管
(Q4)
，第三
PNP
管
(Q3)
和第四
PNP
管
(Q4)
的发射极连接第一电流源
(I1)
，第三
PNP
管
(Q3)
的基极接第一分压点
(E)
，集电极接第七参考点；第四
PNP
管
(Q4)
的基极接正温度系数电压端
(VCM)
，集电极接地；
[0008]第二电流比较器包括第五
PNP
管
(Q5)
和第六
PNP
管
(Q6)
，第五
PNP
管
(Q5)
和第六
PNP
管
(Q6)
的发射极连接第二电流源
((I2))
，第六
PNP
管
(Q6)
的基极接第二分压点
(F)
，集电极接地；第五
PNP
管
(Q5)
的基极接正温度系数电压端
VCM
，集电极接第七参考点
(G)
；
[0009]电流镜包括第一
NMOS
管
(QN1)
和第二
NMOS
管
(QN2)
，第二
NMOS
管
(QN2)
的栅极和漏极接第七参考点
(G)
，源极接地；第一
NMOS
管
(QN1)
的栅极接第七参考点，源极接地，漏极接第一电阻和第二电阻的连接点；
[0010]分压电阻串由串联的第六电阻
((R6))、
第七电阻
(R7)
和第八电阻
(R8)
组成，第六电阻
((R6))
设置于压控电流源的输出端和第一分压点
(E)
之间，第七电阻
(R7)
设置于第一分压点
(E)
和第二分压点
(F)
之间，第八电阻
(R8)
设置于第二分压点
(F)
和地之间
。
[0011]所述运算放大器电路包括：
[0012]负性支路，由第三电阻
(R3)
和第一
NPN
管
(Q1)
组成，第一
NPN
管
(Q1)
的集电极和基极通过第三电阻
(R3)
接第二参考点
(B)
，发射极接地；
[0013]正性支路，由第四电阻
(R4)
和第二
NPN
管
(Q2)
组成，第二
NPN
管
(Q2)
的集电极通过第四电阻
(R4)
接第二参考点
(B)
，发射极接正温度系数电压端
(VCM)
，基极接第一
NPN
管
(Q1)
的基极，发射极还通过第五电阻
(R5)
接地；
[0014]运算放大器，其负性输入端接第一
NPN
管
(Q1)
的集电极，正性输入端接第二
NPN
管
(Q2)
的集电极，输出端接压控电流源的控制端
。
[0015]所述压控电流源为
PMOS
管
(QP1)。
[0016]本专利技术的有益效果是，通过产生一个开口向上的抛物线型温度曲线，与一阶补偿基准温漂曲线进行叠加，产生具有三个极点的
W
型最优化温漂曲线，达到温漂最小化效果
。
与现有的高阶补偿技术相比较，本专利技术直观性更好，更有利于工程校准，使得实际温漂特性与理论温调特性符合的更好，降低了对工艺的依赖性
。
附图说明
[0017]图1是本专利技术的电路图
。
[0018]图2是传统温漂曲线图
。
[0019]图3是正温系数共模电压与零温系数基准电压比较图
。
[0020]图4是全温区范围内补偿电流温漂图
。
[0021]图5是补偿后基准输出温漂曲线图
。
具体实施方式
[0022]参见图1，高阶补偿的带隙基准电压源，包括带隙基准源电路，带隙基准源电路包括压控电流源和运算放大器电路，压控电流源通过环路电阻连接第二参考点
B
，第二参考点
B
连接运算放大器电路的正性支路和负性支路，运算放大器电路的正性支路具有正温度系数电压端
(VCM)
；
[0023]还包括补偿电路，所述补偿电路的第一输出端接压控电流源的输出端，所述环路电阻包括串联的第一电阻
(R1)
和第二电阻
(R2)
，补偿电路的第二输出端接第一电阻...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
高阶补偿的带隙基准电压源，包括带隙基准源电路，带隙基准源电路包括压控电流源和运放电路，压控电流源通过环路电阻连接第二参考点
B
，第二参考点
B
连接运放电路的正性支路和负性支路，运放电路的正性支路具有正温度系数电压端
(VCM)
；其特征在于，还包括补偿电路，所述补偿电路的第一输出端接压控电流源的输出端，所述环路电阻包括串联的第一电阻
(R1)
和第二电阻
(R2)
，补偿电路的第二输出端接第一电阻
(R1)
和第二电阻
(R2)
的连接点
。2.
如权利要求1所述的高阶补偿的带隙基准电压源，其特征在于，所述补偿电路包括分压电阻串
、
第一电流比较器
、
第二电流比较器和电流镜，第一电流比较器包括第三
PNP
管
(Q3)
和第四
PNP
管
(Q4)
，第三
PNP
管
(Q3)
和第四
PNP
管
(Q4)
的发射极连接第一电流源
(I1)
，第三
PNP
管
(Q3)
的基极接第一分压点
(E)
，集电极接第七参考点；第四
PNP
管
(Q4)
的基极接正温度系数电压端
(VCM)
，集电极接地；第二电流比较器包括第五
PNP
管
(Q5)
和第六
PNP
管
(Q6)
，第五
PNP
管
(Q5)
和第六
PNP
管
(Q6)
的发射极连接第二电流源
((I2))
，第六
PNP
管
(Q6)
的基极接第二分压点
(F)
，集电极接地；第五
PNP
管
(Q5)
的基极接正温度系数电压端
VCM
，集电极接第七参考点
(G)
；电流镜包括第一
NMOS
管
(QN...

【专利技术属性】
技术研发人员：武鹏，李永凯，乔仕超，牛义，杨平，沈堃，李向全，张靖，
申请(专利权)人：南京铭芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：