高阶补偿的带隙基准电压源制造技术

高阶补偿的带隙基准电压源，涉及电子技术，本发明专利技术包括带隙基准源电路，带隙基准源电路包括压控电流源和运放电路，压控电流源通过环路电阻连接第二参考点

【技术实现步骤摘要】
高阶补偿的带隙基准电压源


[0001]本专利技术涉及电子技术，特别涉及集成电路技术
。

技术介绍

[0002]带隙基准是模拟电路中非常重要的模块，为
AD/DA
芯片转换提供参考电压，带隙基准的温漂系数直接影响
AD/DA
转换精度
。
对于传统的带隙基准来说只有一阶补偿，如
CN201310030518.5
专利中所著带隙基准为一阶补偿的带隙基准，对于高精度应用不能够满足需求
。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种结构简单
、
便于校准的高阶补偿带隙基准电压源，实现温漂系数的高阶校准
。
[0004]本专利技术解决所述技术问题采用的技术方案是，高阶补偿的带隙基准电压源，包括带隙基准源电路，带隙基准源电路包括压控电流源和运算放大器电路，压控电流源通过环路电阻连接第二参考点
B
，第二参考点
B
连接运算放大器电路的正性支路和负性支路，运算放大器电路的正性支本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
高阶补偿的带隙基准电压源，包括带隙基准源电路，带隙基准源电路包括压控电流源和运放电路，压控电流源通过环路电阻连接第二参考点
B
，第二参考点
B
连接运放电路的正性支路和负性支路，运放电路的正性支路具有正温度系数电压端
(VCM)
；其特征在于，还包括补偿电路，所述补偿电路的第一输出端接压控电流源的输出端，所述环路电阻包括串联的第一电阻
(R1)
和第二电阻
(R2)
，补偿电路的第二输出端接第一电阻
(R1)
和第二电阻
(R2)
的连接点
。2.
如权利要求1所述的高阶补偿的带隙基准电压源，其特征在于，所述补偿电路包括分压电阻串
、
第一电流比较器
、
第二电流比较器和电流镜，第一电流比较器包括第三
PNP
管
(Q3)
和第四
PNP
管
(Q4)
，第三
PNP
管
(Q3)
和第四
PNP
管
(Q4)
的发射极连接第一电流源
(I1)
，第三
PNP
管
(Q3)
的基极接第一分压点
(E)
，集电极接第七参考点；第四
PNP
管
(Q4)
的基极接正温度系数电压端
(VCM)
，集电极接地；第二电流比较器包括第五
PNP
管
(Q5)
和第六
PNP
管
(Q6)
，第五
PNP
管
(Q5)
和第六
PNP
管
(Q6)
的发射极连接第二电流源
((I2))
，第六
PNP
管
(Q6)
的基极接第二分压点
(F)
，集电极接地；第五
PNP
管
(Q5)
的基极接正温度系数电压端
VCM
，集电极接第七参考点
(G)
；电流镜包括第一
NMOS
管
(QN...

【专利技术属性】
技术研发人员：武鹏，李永凯，乔仕超，牛义，杨平，沈堃，李向全，张靖，
申请(专利权)人：南京铭芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：