检测晶圆缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种检测晶圆缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法；该检测晶圆缺陷类型的方法包括：接收采集到的待测晶圆的过渡区域图像；所述过渡区域为在晶圆的径向表面与边缘之间所存在的2mm至5mm的区域；根据所述过渡区域图像的图像特征确定存在缺陷的待识别区域；获取所述待识别区域内所存在的缺陷的形貌特征；根据所述形貌特征以及所述待识别区域特征确定所述待识别区域内所存在的缺陷的类型。陷的类型。陷的类型。

【技术实现步骤摘要】
检测晶圆缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种检测晶圆缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法。

技术介绍

[0002]在集成电路制造的过程中，在每个工艺流程中都有可能在晶圆上形成缺陷。随着半导体工艺的发展，半导体器件越来越趋向于小型化，晶圆上的缺陷在半导体工艺中的影响越来越大，因此在集成电路制造的过程中，需要对晶圆进行缺陷检测，以检测结果为依据分析产生缺陷的原因，以对生产工艺或工艺设备进行调整，减少缺陷产生。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例期望提供一种检测晶圆缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法；能够对由晶圆的径向表面至晶圆边缘的过渡区域的缺陷类型进行检测，提高晶圆检测的全面性以及检测良率，降低了缺陷检测的漏检率以及出货风险。
[0004]本专利技术实施例的技术方案是这样实现的：
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种检测晶圆缺陷类型的方法，包括：
[0006]接收采集到的待测晶圆的过渡区域图像；所述过渡区域为在晶圆的径向表面与边缘之间所存在的2mm至5mm的区域；
[0007]根据所述过渡区域图像的图像特征确定存在缺陷的待识别区域；
[0008]获取所述待识别区域内所存在的缺陷的形貌特征；
[0009]根据所述形貌特征以及所述待识别区域特征确定所述待识别区域内所存在的缺陷的类型。
[0010]第二方面，本专利技术实施例提供了一种检测晶圆缺陷类型的装置，所述装置包括：接收部分、确定部分、获取部分和识别部分；其中，
[0011]所述接收部分，经配置为接收采集到的待测晶圆的过渡区域图像；所述过渡区域为在晶圆的径向表面与边缘之间所存在的2mm至5mm的区域；
[0012]所述确定部分，经配置为根据所述过渡区域图像的图像特征确定存在缺陷的待识别区域；
[0013]所述获取部分，经配置为获取所述待识别区域内所存在的缺陷的形貌特征；
[0014]所述识别部分，经配置为根据所述形貌特征以及所述待识别区域特征确定所述待识别区域内所存在的缺陷的类型。
[0015]第三方面，本专利技术实施例提供了一种计算设备，所述计算设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如第一方面所述的检测晶圆缺陷类型的方法。
[0016]第四方面，本专利技术实施例提供了一种计算机存储介质，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如第一方面所述的检测晶圆缺陷类
型的方法。
[0017]第五方面，本专利技术实施例提供了一种晶圆加工方法，所述方法包括：
[0018]对通过设定方法拉制的单晶硅锭实施晶圆加工处理，获得多个晶圆；
[0019]针对所述多个晶圆中的每一个进行边缘检测，获得晶圆的边缘检测结果；
[0020]将边缘检测结果为良品的晶圆通过第一方面所述的检测晶圆缺陷类型的方法进行检测，以确定晶圆在过渡区域所存在的缺陷类型。
[0021]本专利技术实施例提供了一种检测晶圆缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法；对于晶圆的过渡区域图像，在获取存在缺陷的待识别区域之后，结合能够框选住缺陷的待识别区域特征以及缺陷的形貌特征对过渡区域缺陷类型进行识别，提高晶圆检测的全面性以及检测良率，降低了缺陷检测的漏检率以及出货风险。
附图说明
[0022]图1(a)为本专利技术实施例提供的晶圆的结构示意图；
[0023]图1(b)为本专利技术实施例提供的过渡区域示意图；
[0024]图2为本专利技术实施例提供的实施环境示意图；
[0025]图3为本专利技术实施例提供的一种识别晶圆边缘缺陷类型的方法流程示意图；
[0026]图4为本专利技术实施例提供的过渡区域存在的缺陷类型示意图；
[0027]图5为本专利技术实施例提供的待识别区域的示意图；
[0028]图6为本专利技术实施例提供的一种检测晶圆缺陷类型的装置组成示意图；
[0029]图7为本专利技术实施例提供的一种计算设备的结构示意图；
[0030]图8为本专利技术实施例提供的一种晶圆加工方法流程示意图；
[0031]图9为本专利技术实施例提供的EZB缺陷中的小型划伤缺陷示意图。
具体实施方式
[0032]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0033]通过直拉法拉制获得单晶硅锭之后，可以对单晶硅锭依次进行切割、研磨、抛光、清洗等加工处理工序，从而得到抛光晶圆；在一些情况下，还会在抛光晶圆的径向表面通过化学气相沉积等方式形成具有单晶硅外延层以得到外延晶圆。
[0034]不论抛光晶圆以及外延晶圆，其存在的缺陷对于后续的集成电路制造工艺过程以及产品良率的影响都越来越大。如图1(a)所示，晶圆1具有上表面2以及下表面3，由于这两个表面与晶圆1的径向方向一致，因此在本专利技术实施例中也可被称之为晶圆的径向表面。并且晶圆1还于周缘端部具有由上表面侧的倒角面4、下表面侧的倒角面5以及边缘面6所构成的边缘部分。此外，晶圆1还包括与上表面侧的倒角面4为相邻的上表面的最外周部7a以及与下表面侧的倒角面5为相邻的下表面的最外周部7b。
[0035]对于边缘(edge)部分来说，上表面侧的倒角面4以及下表面侧的倒角面5相对于上表面2以及下表面3呈倾斜方向，边缘面6是边缘部分中除上表面侧的倒角面4以及下表面侧的倒角面5以外的部分，且相对于上表面2以及下表面3呈垂直的部分。边缘面6亦可为些微的曲面。上表面侧的倒角面4以及下表面侧的倒角面5分别与边缘面6的边界如图1(a)所示，
通常平滑地形成。上表面的最外周部7a以及下表面的最外周部7b分别可以由上表面2以及下表面3的一部分所构成且分别与上表面2以及下表面3处于同一个平面。
[0036]结合图1(b)所示，目前大多数方案均针对晶圆(wafer)的上、下表面(surface)(例如图1(a)中的上表面2和下表面3)以及晶圆的边缘(edge)部分(例如图1(a)中的上表面侧的倒角面4、下表面侧的倒角面5以及边缘面6)，但是都忽略了在晶圆的径向表面与边缘之间，存在一段大约2mm至5mm的过渡区域，例如图1(a)中的7a和7b。针对这部分过渡区域，由于晶圆在下游厂商加工过程中，通常不会使用距离晶圆边缘大约3mm区域部分，因此在对晶圆的径向表面进行检测过程中，不会检测上述不会在加工过程中使用的区域部分。基于此，晶圆过渡区域处的缺陷，既无法通过晶圆的径向表面缺陷检测方法检测到，也无法由晶圆边缘检测方法检测到，导致目前相关的晶圆缺陷检测方案存在晶圆缺陷检测的真空区域，或“盲区”。但是，若该过渡区域存在缺陷，同样会影响后续集成电路制造工艺过程的产品良率。
[0037]基于此，本专利技术实施例提供一种针对晶圆中该过渡区域的缺陷检测方案，提高晶圆检测的全面性以及检测良率，降低了缺陷检测的漏检率以及出货风险。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检测晶圆缺陷类型的方法，其特征在于，包括：接收采集到的待测晶圆的过渡区域图像；所述过渡区域为在晶圆的径向表面与边缘之间所存在的2mm至5mm的区域；根据所述过渡区域图像的图像特征确定存在缺陷的待识别区域；获取所述待识别区域内所存在的缺陷的形貌特征；根据所述形貌特征以及所述待识别区域特征确定所述待识别区域内所存在的缺陷的类型。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述过渡区域图像的图像特征确定存在缺陷的待识别区域，包括：在所述过渡区域图像对应的灰度图像中，选取灰度波动值小于设定的第一阈值的位置处的灰度值作为基准值；将与所述基准值存在灰度波动幅度值大于设定的第二阈值的区域作为待扩展区域；以所述待扩展区域内的中心，分别沿水平方向和竖直方向获取所述待扩展区域的边界的最长距离，形成所述待识别区域的宽度边和高度边；根据所述待识别区域的宽度边和高度边以及所述待扩展区域内的中心确定所述待识别区域。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形貌特征包括：所述缺陷在所述待识别区域内的面积占比以及所述缺陷的最长轴与最短轴之间的比值；所述待识别区域特征包括所述待识别区域的水平方向长度和竖直方向长度以及所述缺陷所占区域的亮度标准差。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述形貌特征以及所述待识别区域特征确定所述待识别区域内所存在的缺陷的类型，包括：相应于所述缺陷在所述待识别区域内的面积占比不小于设定的第一面积占比阈值，将所述待识别区域内所存在的缺陷类型初步确定为小型缺口缺陷或者大型缺口缺陷；根据初步确定的小型缺口缺陷或者大型缺口缺陷，当所述缺陷在所述待识别区域宽度边长度和高度边长度均大于设定的长度阈值，则确定所述待识别区域内所存在的缺陷类型为大型缺口缺陷；否则确定为小型缺口缺陷；相应于所述缺陷在所述待识别区域内的面积占比小于设定的第一面积占比阈值，和/或所述缺陷的最长轴与最短轴的比值大于设定的长度比阈值，将所述待识别区域内所存在的缺陷类...

【专利技术属性】
技术研发人员：仝临杰，马强强，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：