一种半导体器件的制备方法及振荡器技术

本申请提供一种半导体器件的制备方法及振荡器，该方法包括如下的步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括多个第一晶粒，第二晶圆包括多个第二晶粒；将第一晶圆进行切割，以将多个第一晶粒分离；将分离后的多个第一晶粒与第二晶圆上的第二晶粒进行键合，以形成半导体键合结构；将半导体键合结构进行切割，以形成多个半导体器件

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制备方法及振荡器


[0001]本申请主要涉及微机电系统
，特别是涉及一种半导体器件的制备方法及振荡器
。

技术介绍

[0002]微机电系统
(MEMS
，
Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System)
是一种基于微电子技术和微加工技术的一种高科技领域
。
而微机电系统器件具有微小
、
智能
、
可执行
、
可集成
、
工艺兼容性好
、
成本低等诸多优点
。
利用微机电技术所制作的各类微机电系统器件等在航空
、
航天
、
汽车
、
生物医学
、
环境监控
、
军事，物联网等领域中都有着十分广阔的应用前景
。
[0003]其中，微机电系统是微电路和微机械按功能要求在芯片上的集成，尺寸通常在毫米或微米级
。
一般而言，电路部分往往设计于控制芯片上，微机械结构于器件芯片上设计，器件芯片与控制芯片耦合
。
[0004]在芯片完成制作后，要对芯片进行封装，芯片进行封装的主要目的是对芯片进行保护，同时也要确保芯片经过封装之后应当满足集成电路芯片内部电路和外部系统的电气连接
。
其次封装也起着固定
、
密封的作用，为芯片提供一个长期稳定可靠的工作环境，并且可以增强芯片电热性能，保证芯片正常工作的高稳定性和可靠性
。
而在芯片贴装工艺中，传统工艺将已完成某种工艺制程的硅晶圆
(Wafer)
上分割而成的一个个的晶粒
(DIE)
，将不同的晶圆分开切割加工形成多个不同的半成品晶粒，对不同的半成品晶粒进行贴装键合，再对已经完成键合后的晶粒进行注塑封装
。
这种工艺在操作步骤上显得十分的繁琐，工序步骤多，生产效率低，整体的损耗大，从而导致生产的成本高，不利于加工生产
。

技术实现思路

[0005]为解决上述问题，本申请一种半导体器件的制备方法及振荡器，能够减少了加工的步骤，优化了加工流程，提高生产效率，减少总体材料的损耗，降低了生产的总成本
。
[0006]本申请采用的一个技术方案是：提供一种半导体器件的制备方法，该方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括多个第一晶粒，第二晶圆包括多个第二晶粒；将第一晶圆进行切割，以将多个第一晶粒分离；将分离后的多个第一晶粒与第二晶圆上的第二晶粒进行键合，以形成半导体键合结构；将半导体键合结构进行切割，以形成多个半导体器件
。
[0007]在一实施例中，将第一晶圆进行切割，以将多个第一晶粒分离之前，还包括：在第一晶圆的第一表面形成第一焊盘，以及在第二晶圆的第一表面形成第二焊盘；将分离后的多个第一晶粒与第二晶圆上的第二晶粒进行键合，以形成半导体键合结构，包括：将分离后的多个第一晶粒上的第一焊盘与第二晶圆上的第二焊盘焊接，以使多个第一晶粒与第二晶圆上的第二晶粒进行键合，以形成半导体键合结构
。
[0008]在一实施例中，该方法还包括，在第二晶圆的第二表面形成第三焊盘
。
[0009]在一实施例中，在第一晶圆的第一表面形成第一焊盘，以及在第二晶圆的第一表
面形成第二焊盘之前，还包括：对第一晶圆和第二晶圆进行减薄处理，减薄处理后的第一晶圆的厚度为
200
μ
m
‑
250
μ
m
，减薄后的第二晶圆的厚度为
50
μ
m
‑
150
μ
m。
[0010]在一实施例中，将分离后的多个第一晶粒与第二晶圆上的第二晶粒进行键合，以形成半导体键合结构，包括：对分离后的多个第一晶粒和第二晶圆上的第二晶粒进行测试，得到测试结果；根据测试结果将多个第一晶粒与第二晶圆的第二晶粒进行键合，以形成半导体键合结构
。
[0011]在一实施例中，对分离后的多个第一晶粒和第二晶圆上的第二晶粒进行测试，得到测试结果，包括：对分离后的多个第一晶粒进行测试，得到第一标记图，以及对第二晶圆上的第二晶粒进行测试，得到第二标记图，标记图用于对合格的晶粒进行标记；根据测试结果将多个第一晶粒与第二晶圆的第二晶粒进行键合，以形成半导体键合结构，包括：根据第一标记图和第二标记图，挑选合格的第一晶粒与第二晶圆上合格的第二晶粒进行键合，以形成半导体键合结构
。
[0012]在一实施例中，将半导体键合结构进行切割，以形成多个半导体器件，包括：对半导体键合结构进行注塑封装，得到半导体注塑封装结构；将半导体注塑封装结构进行切割，再分别键合至基板以形成多个半导体器件
。
[0013]在一实施例中，第一晶粒的尺寸小于第二晶粒的尺寸
。
[0014]在一实施例中，第一晶圆为经过微机电制程的晶圆，第二晶圆为经过集成电路制程的晶圆
。
[0015]本申请采用的另一个技术方案是：提供一种振荡器，该振荡器是采用如上述的制备方法制作而成的半导体器件
。
[0016]本申请提供的半导体器件的制备方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括多个第一晶粒，第二晶圆包括多个第二晶粒；将多个第一晶圆进行切割，以将多个第一晶粒分离；将分离后的多个第一晶粒与第二晶圆上的第二晶粒进行键合，以形成半导体键合结构；将半导体键合结构进行切割，以形成多个半导体器件
。
通过上述方法，将不同晶圆整体贴装键合塑封制作后再进行分割，无需对对每个晶粒单独进行贴装键合塑封等步骤，减少了加工的步骤，优化了加工流程，提高生产效率，减少总体材料的损耗，降低了生产的总成本
。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
其中：
[0018]图1是本申请提供的微机电系统振荡器一实施例的结构示意图；
[0019]图2是本申请提供的半导体器件一实施例的结构示意图；
[0020]图3是本申请提供的半导体器件的制备方法一实施例的流程示意图；
[0021]图4是本申请提供的半导体器件的制备方法一实施例的键合过程的结构示意图
。
具体实施方式
[0022]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述
。
可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请，而非对本申请的限定
。
另外还需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆
、
第二晶圆和基板，所述第一晶圆包括多个第一晶粒，所述第二晶圆包括多个第二晶粒；将所述第一晶圆进行切割，以将多个所述第一晶粒分离；将分离后的多个所述第一晶粒与所述第二晶圆上的第二晶粒进行键合，以形成半导体键合结构；将所述半导体键合结构进行切割，以形成多个半导体器件
。2.
根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述将所述第一晶圆进行切割，以将多个所述第一晶粒分离之前，还包括：在所述第一晶圆的第一表面形成第一焊盘，以及在所述第二晶圆的第一表面形成第二焊盘；所述将分离后的多个所述第一晶粒与所述第二晶圆上的第二晶粒进行键合，以形成半导体键合结构，包括：将分离后的多个所述第一晶粒上的第一焊盘与所述第二晶圆上的第二焊盘焊接，以使所述多个第一晶粒与所述第二晶圆上的第二晶粒进行键合，以形成半导体键合结构
。3.
根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述第二晶圆的第二表面形成第三焊盘
。4.
根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述第一晶圆的第一表面形成第一焊盘，以及在所述第二晶圆的第一表面形成第二焊盘之前，还包括：对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行减薄处理，减薄处理后的所述第一晶圆的厚度为
200
μ
m
‑
250
μ
m
，减薄后的所述第二晶圆的厚度为
50
μ
m
‑
150
μ
m。5.
根据权利要求1所述的半导体器件的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷永庆，冯军，向兴林，
申请(专利权)人：麦斯塔微电子深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：