一种声表面波滤波器及滤波元件制造技术

本发明专利技术公开了一种声表面波滤波器及滤波元件，该声表面波滤波器包括：衬底；多个叉指电极，位于衬底的一侧，多个叉指电极包括多个第一电极和多个第二电极，第一电极与第二电极沿第一方向依次交替设置且均沿第二方向延伸，沿第二方向，第一电极的延伸长度小于第二电极的延伸长度；第一方向与第二方向相交；至少一个第一负载结构，位于第一电极远离衬底的一侧，且第一负载结构在衬底上的正投影与至少一个第一电极在衬底上的正投影交叠

【技术实现步骤摘要】
一种声表面波滤波器及滤波元件


[0001]本专利技术涉及滤波器
，尤其涉及一种声表面波滤波器及滤波元件
。

技术介绍

[0002]由于声表面波滤波器具有性能优越
、
成本低廉和一致性好的优点，被广泛应用于移动通信系统中
。
随着通信技术的不断发展，对声表面波滤波器的要求越来越苛刻
。
各种类型的滤波器被不断研发出来，以满足不同情况下的性能需求
。
随着
5G
时代的到来，滤波器行业面临重大挑战和机遇
。
[0003]滤波器在产生主模的同时还会激发其他不需要的杂波模态，比如横向模
。
横向模会导致谐振器的
Q
值降低，并且使滤波器的插入损耗恶化，从而影响滤波器的性能
。
虽然，假指可以抑制横向模，但是抑制程度有限，因此，减少横向模带来的影响对当前滤波器的发展有重要影响
。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种声表面波滤波器及滤波元件，能够减小声表面波在第一负载结构设置区域的传播速度，进而产生声速差，能够抑制横向模，提高声表面波滤波器的
Q
值
。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种声表面波滤波器，包括：
[0006]衬底；
[0007]多个叉指电极，位于所述衬底的一侧，多个所述叉指电极包括多个第一电极和多个第二电极，所述第一电极与所述第二电极沿第一方向依次交替设置且均沿第二方向延伸，沿所述第二方向，所述第一电极的延伸长度小于所述第二电极的延伸长度；所述第一方向与所述第二方向相交；
[0008]至少一个第一负载结构，位于所述第一电极远离所述衬底的一侧，且所述第一负载结构在所述衬底上的正投影与至少一个所述第一电极在所述衬底上的正投影交叠
。
[0009]可选的，所述第一负载结构与所述第一电极一一对应；
[0010]或者，所述第一负载结构在所述衬底上的正投影与在所述第一方向上相邻设置的至少两个所述第一电极在所述衬底上的正投影交叠
。
[0011]可选的，所述第一负载结构与所述第一电极一一对应；
[0012]沿所述第二方向，所述第一电极包括靠近所述第二电极一侧的第一端部；
[0013]至少部分所述第一负载结构在所述衬底上的正投影与所述第一端部在所述衬底上的正投影交叠
。
[0014]可选的，所述声表面波滤波器还包括至少一个第二负载结构；
[0015]所述第二负载结构位于所述第二电极远离所述衬底的一侧，且所述第二负载结构在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影交叠
。
[0016]可选的，所述第二负载结构包括沿所述第一方向依次交替排列的第一子负载结构
与第二子负载结构；
[0017]沿所述第二方向，所述第二电极包括靠近所述第一电极的第二端部和中间部，所述第一子负载结构在所述衬底上的正投影与所述第二端部在所述衬底上的正投影交叠；所述第二子负载结构在所述衬底上的正投影与所述中间部在所述衬底上的正投影交叠
。
[0018]可选的，沿所述第一方向，所述第一负载结构的尺寸为
d1
，所述第二负载结构的尺寸为
d2
，所述第一电极与所述第二电极的尺寸相同且均为
d3
；
[0019]其中，
d1≥d2
＞
d3。
[0020]可选的，所述声表面波滤波器还包括：反射栅区，沿所述第一方向，所述反射栅区至少位于所述叉指电极的一侧；
[0021]所述反射栅区包括多个反射栅，所述反射栅沿所述第二方向延伸，多个所述反射栅沿所述第一方向排列；
[0022]所述声表面波滤波器还包括第三负载结构，所述第三负载结构在所述衬底上的正投影与至少一个所述反射栅在所述衬底上的正投影交叠；
[0023]沿所述第一方向，所述第三负载结构位于所述第一负载结构一侧，且所述第三负载结构与所述第一负载结构连接，或者所述第三负载结构与所述第一负载结构独立设置
。
[0024]可选的，所述声表面波滤波器还包括：反射栅区，沿所述第一方向，所述反射栅区至少位于所述叉指电极的一侧；
[0025]所述反射栅区包括多个反射栅，所述反射栅沿所述第二方向延伸，多个所述反射栅沿所述第一方向排列；
[0026]所述声表面波滤波器还包括第四负载结构，所述第四负载结构在所述衬底上的正投影与至少一个所述反射栅在所述衬底上的正投影交叠；
[0027]沿所述第一方向，所述第四负载结构位于所述第二负载结构一侧，且所述第四负载结构与所述第二负载结构连接，或者所述第四负载结构与所述第二负载结构独立设置
。
[0028]可选的，所述声表面波滤波器还包括：介质层以及温度补偿层；
[0029]所述介质层位于所述叉指电极远离所述衬底的一侧；所述第一负载结构位于所述介质层远离所述衬底的一侧；
[0030]所述温度补偿层位于所述第一负载结构远离所述衬底的一侧
。
[0031]可选的，所述声表面波滤波器包括第二电极交叠区，在所述第一方向相邻设置的两个所述第二电极沿所述第一方向在所述第二电极交叠区交叠；
[0032]沿所述声表面波滤波器的厚度方向，所述温度补偿层至少覆盖所述第二电极交叠区
。
[0033]可选的，沿所述声表面波滤波器的厚度方向，所述温度补偿层覆盖所述衬底
。
[0034]可选的，沿所述声表面波滤波器的厚度方向，所述温度补偿层的厚度为
h1
；
[0035]沿所述第一方向，任意相邻两个所述第一电极之间的尺寸为
λ1，任意相邻两个所述第二电极之间的尺寸为
λ2；
[0036]其中，
0.2
λ
1≤h1≤0.5
λ1；
0.2
λ
2≤h1≤0.5
λ
2。
[0037]可选的，所述声表面波滤波器还包括：汇流条以及金属层；
[0038]所述汇流条位于所述衬底的一侧，且与所述第一电极以及所述第二电极同层设置；
[0039]所述金属层位于所述汇流条远离所述衬底的一侧，沿所述声表面波滤波器的厚度方向，所述金属层在所述衬底上的投影覆盖所述汇流条在所述衬底上的投影
。
[0040]可选的，所述声表面波滤波器还包括：硅补偿层；
[0041]所述硅补偿层位于所述第一负载结构远离所述衬底的一侧
。
[0042]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种滤波元件，包括第一方面任一项所述的声表面波滤波器
。
[0043]本专利技术实施例提供的技术方案，声表面波滤波器包括衬底
、
多个叉指电极以及至少一个第一负载结构
。
沿第二方向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：衬底；多个叉指电极，位于所述衬底的一侧，多个所述叉指电极包括多个第一电极和多个第二电极，所述第一电极与所述第二电极沿第一方向依次交替设置且均沿第二方向延伸，沿所述第二方向，所述第一电极的延伸长度小于所述第二电极的延伸长度；所述第一方向与所述第二方向相交；至少一个第一负载结构，位于所述第一电极远离所述衬底的一侧，且所述第一负载结构在所述衬底上的正投影与至少一个所述第一电极在所述衬底上的正投影交叠
。2.
根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一负载结构与所述第一电极一一对应；或者，所述第一负载结构在所述衬底上的正投影与在所述第一方向上相邻设置的至少两个所述第一电极在所述衬底上的正投影交叠
。3.
根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一负载结构与所述第一电极一一对应；沿所述第二方向，所述第一电极包括靠近所述第二电极一侧的第一端部；至少部分所述第一负载结构在所述衬底上的正投影与所述第一端部在所述衬底上的正投影交叠
。4.
根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器还包括至少一个第二负载结构；所述第二负载结构位于所述第二电极远离所述衬底的一侧，且所述第二负载结构在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影交叠
。5.
根据权利要求4所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第二负载结构包括沿所述第一方向依次交替排列的第一子负载结构与第二子负载结构；沿所述第二方向，所述第二电极包括靠近所述第一电极的第二端部和中间部，所述第一子负载结构在所述衬底上的正投影与所述第二端部在所述衬底上的正投影交叠；所述第二子负载结构在所述衬底上的正投影与所述中间部在所述衬底上的正投影交叠
。6.
根据权利要求4所述的声表面波滤波器，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一负载结构的尺寸为
d1
，所述第二负载结构的尺寸为
d2
，所述第一电极与所述第二电极的尺寸相同且均为
d3
；其中，
d1≥d2
＞
d3。7.
根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器还包括：反射栅区，沿所述第一方向，所述反射栅区至少位于所述叉指电极的一侧；所述反射栅区包括多个反射栅，所述反射栅沿所述第二方向延伸，多个所述反射栅沿所述第一方向排列；所述声表面波滤波器还包括第三负载结构，所述第三负载结构在所述衬底上的正投影与至少一个所述反射栅在所述衬底上的正投影交叠；沿所述第一方向，所述第三负载结构位于所述第一负载结构一侧，且所述第三负载结构与所述第一负载结构连接，或者所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓军，陶健斌，毕秀文，刘止愚，马阳阳，姚若妍，
申请(专利权)人：天通瑞宏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：