一种CSAMT全区视电阻率-深度剖面的生成方法技术

本发明专利技术公开了一种CSAMT全区视电阻率

【技术实现步骤摘要】
一种CSAMT全区视电阻率
‑
深度剖面的生成方法


[0001]本专利技术属于电磁法勘探领域，具体涉及一种CSAMT全区视电阻率
‑
深度剖面的生成方法。

技术介绍

[0002]通常的CSAMT(controlled source audio
‑
frequency magneto
‑
telluric)勘探，往往包括了远区、中区和近区的信息(Zonge and Hughes,1991,p750)。在从远区进入到近区的过程中，随着平面波和非平面波占比的变化，记录点从观测点下方向源移动，由此产生的场源复印和阴影效应(Zonge and Hughes,1991,p769～784)，对视电阻率剖面解释造成困扰。
[0003]例如现有专利CN113960684A公开了一种短偏移距电磁勘探的视电阻率
‑
深度剖面生成方法，在测点至偏移距中点的区间内给出了一种记录点随感应数移动的算法，提高了视电阻率
‑
深度剖面解释法的适应性。但这种方法遗漏了偏移距中点本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CSAMT全区视电阻率
‑
深度剖面的生成方法，其特征在于，以记录点的水平位置和垂直位置作为视电阻率的赋值点，在远区，记录点位于测点正下方的探测深度处；在中区，波前的半径随感应数的减小线性地减小，记录点位于波前与探测深度至源点直线的交点上且随感应数的减小从测点向源点趋近；在近区，随着感应数的继续减小，记录点的水平位置从源点附近向偏移距中点趋近，垂直位置从源点下方附近向定值趋近：垂直位置从源点下方附近向定值趋近：垂直位置从源点下方附近向定值趋近：其中，为感应数，r
i
为偏移距探测深度，为探测深度，i＝1,2,
…
,m是测点号，j＝1,2,
…
,n是频点号，cri
far
‑
mid
是远区和中区的临界值，cri
mid
‑
near
是中区和近区的临界值；
①
轴向装置，设源点与直角坐标系的原点O重合、测线沿x轴布置，将公式1a、1b、1c中的上标r换成x，那么在测线方向的xOz平面上，各测点的记录点水平位置记为记录点垂直位置记为此位置就是轴向装置在xOz平面上各测点视电阻率的赋值点；1条轴向装置的测线，生成1条沿测线方向的视电阻率
‑
深度剖面；
②
赤道向装置，1条具有m个测点的赤道向装置，会生成1条沿测线的剖面，以及m条沿源点至测点的剖面，为此设测线的中点为坐标原点O
′
，使源点与圆柱坐标系原点O重合、连线OO
′
与测线相垂直，设测线方向为直角坐标系的x
′
轴，将式1a中的上标r换成x
′
，那么在沿测线方向的x
′
O
′
z平面上，各测点的记录点水平位置记为记录点垂直位置记为此记录点位置就是赤道向装置在x
′
O
′
z平面上各测点视电阻率的赋值点；每条沿源点至测点的剖面所在的每个rOz平面上，各测点的记录点水平位置和垂直位置仍为公式1a、1b、1c所示，此记录点位置就是赤道向装置在rOz平面上各测点视电阻率的赋值点。2.根据权利要求1所述的一种CSAMT全区视电阻率
‑
深度剖面的生成方法，其特征在于，所述定值与偏移距成比例，表示为：定值等于偏移距r
i
除以远区和中区的临界值cri
far
‑
mid
。
3.根据权利要求1所述的一种CSAMT全区视电阻率
‑
深度剖面的生成方法，其特征在于，赤道向装置中偏移距r
i
与测点位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹清华，闫述，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：