探针尖端的制备方法及通过其制备的探针尖端技术

根据本公开的多种实施例的探针尖端包括：第一镀层，所述第一镀层包括第一金属；第二镀层，所述第二镀层配置在所述第一镀层的一面，且包括与所述第一金属不同的材质的第二金属；及第三镀层，所述第三镀层配置在所述第二镀层的一面，且包括所述第一金属，所述第一镀层、所述第二镀层及所述第三镀层分别沿着所述探针尖端的长度方向延长，所述第一镀层、所述第二镀层、所述第三镀层可沿着所述探针尖端的厚度方向进行层叠。方向进行层叠。方向进行层叠。

【技术实现步骤摘要】
探针尖端的制备方法及通过其制备的探针尖端


[0001]本公开的多种实施例涉及一种探针尖端的制备方法及通过其制备的探针尖端。

技术介绍

[0002]在用于检测被检测体的电特性的电特性检测(EDS：electrical die sorting)中，探针卡(probe card)为电连接测试器(tester)和被检测体的接口。探针卡从被检测体接收电信号的传递，并传递至测试器(例：半导体检测装置)，用于检测被检测体的不合格与否。
[0003]探针卡可包括与被检测体的焊盘(例：外部信号的连接端子)直接接触并收发电信号的探针尖端。探针卡可包括多个探针尖端，多个探针尖端可分别与被检测体接触并收发电信号。随着半导体集成电路的集成度提高，被检测体的焊盘之间的间距也在缩小，与焊盘接触的探针尖端也在小型化。

技术实现思路

[0004]要解决的技术问题
[0005]随着半导体元件微型化、微细化，半导体元件的焊盘大小也会缩小，用于电特性检测的探针尖端也可实现微细化。由于微细化的探针尖端的刚性低下，与被检测体反复接触导致的破损可能性会变高。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种探针尖端，其中，包括：第一镀层，所述第一镀层沿着所述探针尖端的厚度方向具有第一厚度，并包括第一金属；第二镀层，所述第二镀层配置在所述第一镀层的一面，沿着所述探针尖端的厚度方向具有第二厚度，且包括与所述第一金属不同的材质的第二金属；及第三镀层，所述第三镀层配置在所述第二镀层的一面，沿着所述探针尖端的厚度方向具有第三厚度，且包括所述第一金属，所述第二镀层的硬度形成得比所述第一镀层的硬度及所述第三镀层的硬度高，所述第二厚度形成得比所述第一厚度及所述第三厚度厚，所述第一镀层、所述第二镀层及所述第三镀层分别沿着所述探针尖端的长度方向延长，所述第一镀层、所述第二镀层、所述第三镀层沿着所述探针尖端的厚度方向进行层叠。2.根据权利要求1所述的探针尖端，其中，所述第一镀层的第一厚度形成得与所述第三镀层的第三厚度相同，所述第一镀层的硬度形成得与所述第三镀层的硬度相同。3.根据权利要求1所述的探针尖端，其中，所述第一镀层的第一厚度和所述第三镀层的第三厚度相互不同地形成。4.根据权利要求1所述的探针尖端，其中，所述第一镀层的硬度及所述第三镀层的硬度为520Hv～720Hv，所述第二镀层的硬度为900Hv～1000Hv。5.根据权利要求1所述的探针尖端，其中，所述第二镀层的第二厚度形成得比所述第一镀层的第一厚度与所述第三镀层的第三厚度之和厚。6.根据权利要求5所述的探针尖端，其中，所述第二镀层的第二厚度形成为所述探针尖端的整体厚度的55％～95％。7.一种探针尖端的制备方法，其中，包括：形成基底层的步骤；形成光刻胶层的步骤，所述光刻胶层在所述基底层的一面包括有开口；形成第一镀层的步骤，所述第一镀层在所述光刻胶层的所述开口的至少一部分，沿着与所述基底层的一面垂直的方向具有第一厚度，且包括第一金属；形成第二镀层的步骤，所述第二镀层在所述第一镀层的一面，沿着与所述第一镀层的一面垂直的方向具有第二厚度，并包括与所述第一金属不同的材质的第二金属；及形成第三镀层的步骤，所述第三镀层在所述第二镀层的一面，沿着与所述第二镀层的一面垂直的方向具有第三厚度，并包括所述第一金属，所述第二镀层的硬度形成得比所述第一镀层的硬度及所述第三镀层的硬度高，所述第二厚度形成得比所述第一厚度及所述第三厚度厚，所述第一镀层、所述第二镀层、所述第三镀层沿着从所述基底层的一面远离的方向进行层叠。8.根据权利要求7所述的探针尖端的制备方法，其中，
所述第一镀层的第一厚度形成得与所述第三镀层的第三厚度相同,所述第一镀层的硬度形成得与所述第三镀层的硬度相同。9.根据权利要求7所述的探针尖端的制备方法，其中，所述第一镀层的第一厚度和所述第三镀层的第三厚度相互不同地形成。10.根据权利要求7所述的探针尖端的制备方法，其中，所述第一镀层及所述第三镀层的硬度为520Hv～720H...

【专利技术属性】
技术研发人员：李映旼，郑浩泳，
申请(专利权)人：TSE有限公司，
类型：发明
国别省市：