作为用于高生长速率含硅膜的前体的官能化环硅氮烷制造技术

本文描述了官能化环硅氮烷前体化合物以及通过热原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺或其组合来沉积含硅膜的包含该前体化合物的组合物和方法，该含硅膜例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或碳掺杂氧化硅。碳氮氧化硅或碳掺杂氧化硅。

【技术实现步骤摘要】
作为用于高生长速率含硅膜的前体的官能化环硅氮烷
[0001]本申请是申请日为2018年5月23日、申请号为201880047342.5、专利技术名称为“作为用于高生长速率含硅膜的前体的官能化环硅氮烷”的中国专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请根据35U.S.C.
§
119(e)要求2017年5月24日提交的美国临时专利申请号62/510,506且根据35U.S.C.
§
120要求2018年5月22日提交的美国专利申请号15/986,030的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术介绍

[0004]本文描述的是官能化环硅氮烷前体化合物以及通过热原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺或其组合来沉积含硅膜的包含该前体化合物的组合物和方法，含硅膜例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或碳掺杂氧化硅。更具体地，本文描述的是用于在约600℃或更低的一个或多个沉积温度下，包括例如约25℃至约300℃，形成化学计量的或非化学计量的含硅膜或材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.根据式B、C、D或E之一的硅前体化合物：其中R1‑3各自独立地选自氢、甲基和有机氨基(NR
’
R”)，其中R
’
和R”各自独立地选自氢、C1‑
10
直链烷基、C3‑
10
支链烷基、C3‑
10
环烷基、C2‑
10
烯基、C4‑
10
芳基和C4‑
10
杂环基，条件是R
’
和R”不可均为氢；R4和R5各自独立地选自氢、C1‑
10
直链烷基、C3‑
10
支链烷基、C3‑
10
环烷基、C2‑
10
烯基、C4‑
10
芳基和C4‑
10
杂环基；R6‑8各自独立地选自氢、甲基、如上定义的有机氨基(NR
’
R”)、C3‑
10
支链烷基、C3‑
10
环烷基、C2‑
10
烯基、C4‑
10
芳基和C4‑
10
杂环基，条件是R
’
和R”不可均为氢；其中取代基R1‑8、R
’
和R”中的两个或更多个可连接以形成取代或未取代的、饱和或不饱和的环状基团，并且其中R6‑8中的至少一个必须是氢，且R6‑8中的至少两个必须不是甲基。2.根据权利要求1所述的组合物，其还包含至少一种吹扫气体。3.根据权利要求1所述的组合物，其中选自式B至E之一的所述至少一种硅前体化合物包括选自以下中的至少一种：1
‑
甲硅烷基
‑
2,2,4,4,6,6
‑
六甲基环三硅氮烷、1
‑
(异丙基氨基甲硅烷基)
‑
2,2,4,4,6,6
‑
六甲基环三硅氮烷、1
‑
(二甲基氨基甲硅烷基)
‑
2,2,4,4,6,6
‑
六甲基环三硅氮烷、1
‑
(异丙基氨基甲硅烷基)
‑
2,2,4,4,6,6
‑
六甲基环三硅氮烷、1
‑
(甲基氨基甲硅烷基)
‑
2,2,4,4,6,6
‑
六甲基环三硅氮烷、1
‑
(二甲基氨基甲基甲硅烷基)
‑
2,2,4,4,6,6
‑
六甲基环三硅氮烷、1
‑
(二甲基氨基
‑
甲基甲硅烷基)
‑
2,4,6
‑
三甲基环三硅氮烷、1,2,3
‑
三甲硅烷基
‑
2,2,4,4,6,6
‑
六甲基环三硅氮烷、1,2,3
‑
三甲硅烷基
‑
2,4,6
‑
三甲基环三硅氮烷、2,2,4,4,5,6,6
‑
七甲基
‑
1,3
‑
二氧杂
‑5‑
氮杂
‑
2,4,6
‑
三硅杂环己烷、5
‑
乙基
‑
2,2,4,4,6,6
‑
六甲基
‑
1,3
‑
二氧杂
‑5‑
氮杂
‑
2,4,6
‑
三杂硅环己烷、5
‑
正丙基
‑
2,2,4,4,6,6
‑
六甲基
‑
1,3
‑
二氧杂
‑5‑
氮杂
‑
2,4,6
‑
三硅杂环己烷、5
‑
异丙基
‑
2,2,4,4,6,6
‑
六甲基
‑
1,3
‑
二氧杂
‑5‑
氮杂
‑
2,4,6
‑
三硅杂环己烷、5
‑
甲硅烷基
‑
2,2,4,4,6,6
‑
六甲基
‑
1,3
‑
二氧杂
‑5‑
氮杂
‑
2,4,6
‑
三硅杂环己烷、5
‑
甲基甲硅烷基
‑
2,2,4,4,6,6
‑
六甲基
‑
1,3
‑
二氧杂
‑5‑
氮杂
‑
2,4,6
‑
三硅杂环己烷、5
‑
(二甲基氨基甲硅烷基)
‑
2,2,4,4,6,6
‑
六甲基
‑
1,3
‑
二氧杂
‑5‑
氮杂
‑
2,4,6
‑
三硅杂环己烷、5
‑
(二甲基氨基甲基甲硅烷基)
‑
2,2,4,4,6,6
‑
六甲基
‑
1,3
‑
二氧杂
‑5‑
氮杂
‑
2,4,6
‑
三硅杂环己烷。4.一种组合物，其包含选自式B、C、D或E之一的至少一种硅前体化合物：
其中R1‑3各自独立地选自氢、甲基和有机氨基(NR
’
R”)，其中R
’
和R”各自独立地选自氢、C1‑
10
直链烷基、C3‑
10
支链烷基、C3‑
10
环烷基、C2‑
10
烯基、C4‑
10
芳基和C4‑
10
杂环基，条件是R
’
和R”不可均为氢；R4和R5各自独立地选自氢、C1‑
10
直链烷基、C3‑
10
支链烷基、C3‑
10
环烷基、C2‑
10
烯基、C4‑
10
芳基和C4‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧满超，M，
申请(专利权)人：弗萨姆材料美国有限责任公司，
类型：发明
国别省市：