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本文描述了官能化环硅氮烷前体化合物以及通过热原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺或其组合来沉积含硅膜的包含该前体化合物的组合物和方法，该含硅膜例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或碳掺杂氧...
该专利属于弗萨姆材料美国有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过弗萨姆材料美国有限责任公司授权不得商用。

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