二次电源前置电路制造技术

技术编号:39364727 阅读:5 留言:0更新日期:2023-11-18 11:05
本实用新型专利技术提供一种二次电源前置电路,包括浪涌保护电路与滤波电路,所述浪涌保护电路包括源极与漏极接入输入正极Ui+至过渡端口正极B+支路中的开关MOS管Q,开关MOS管Q的栅极接入浪涌抑制芯片M的驱动引脚GATE;在过渡端口B的过渡端口正极B+与过渡端口负极B

【技术实现步骤摘要】
二次电源前置电路


[0001]本技术涉及开关电源电路
,具体涉及一种二次电源前置电路。

技术介绍

[0002]随着航空航天技术的发展,电子系统设备不断增加,使整机电磁干扰难以预测。一方面,其他仪器工作时的电磁干扰可能通过传导耦合等方式进入电源模块,影响二次电源模块的正常工作,进而影响整个控制器的正常工作;另一方面,由于二次电源模块通过MOS管周期性开关实现稳定输出,本身工作在高频状态,其产生的瞬态脉冲包含有能够发射电磁干扰的高频谐波,因此电源模块本身也是干扰源,其辐射和泄漏出去的干扰信号会污染发电系统的电磁环境,影响其输出电源的质量。此外,在恶劣条件下,电源模块还需要具备一定的极限条件下的工作能力,从而确保在恶劣条件,比如雷击、辐射下,电源模块能够实现自保护,并能够保证稳定工作、可靠输出。

技术实现思路

[0003]针对现有的开关电源要求更高的电源输出质量,并保证在极端条件下其能够可靠工作,本技术提供一种二次电源前置电路。
[0004]本技术的技术方案提供一种二次电源前置电路,包括浪涌保护电路与滤波电路,其特征在于,所述浪涌保护电路跨接在输入端口Ui与过渡端口B之间,所述滤波电路跨接于过渡端口B与输出端口Uo之间;
[0005]所述浪涌保护电路包括一个浪涌抑制芯片M;浪涌抑制芯片M的驱动引脚GATE与开关MOS管Q的栅极连接;开关MOS管Q的漏极与源极接入输入正极Ui+与过渡端口正极B+之间;在过渡端口B两端跨接有由分压上电阻R1与分压下电阻R2串联的支路,浪涌抑制芯片M的反馈引脚FB连接在分压上电阻R1与分压下电阻R2之间。
[0006]优选地,所述浪涌抑制芯片M的外部供电引脚VDD连接至输入正极Ui+,浪涌抑制芯片M的输出引脚OUT连接至过渡端口正极B+。
[0007]优选地,滤波电路包括跨接于过渡端口B两端的共模电感L5;共模电感L5包括分别串联在过渡端口正极B+至输出正极Uo+、过渡端口负极B

至输出负极Uo

两支路中的两个耦合电感;滤波电路还包括跨接于输出端口Uo两端的由Y电容V1与Y电容V2串联的支路,在过渡端口正极B+至输出正极Uo+、过渡端口负极B

至输出负极Uo

两支路的任一支路中。在共模电感L5之后串联有差模电感L1。
[0008]优选地,在所述共模电感L5后端还跨接有共模电感L2,所述共模电感L2包括分别串联在过渡端口正极B+至输出正极Uo+、过渡端口负极B

至输出负极Uo

两支路中的两个耦合电感;
[0009]在所述共模电感L2与所述共模电感L5之间还跨接有由Y电容V6与Y电容V7串联的支路。
[0010]优选地,在过渡端口正极B+至输出正极Uo+、过渡端口负极B

至输出负极Uo

两支
路之间跨接有电容V4。
[0011]优选地,在所述共模电感L2后端,在过渡端口正极B+至输出正极Uo+支路、过渡端口负极B

至输出负极Uo

支路两者其中一个支路上串联有差模电感L1。
[0012]优选地,所述输出端口Uo两端还跨接有X电容V3以及由电容V5与电阻R3串联形成的支路。
[0013]本技术的二次电源前置电路包括浪涌保护电路1以及滤波电路2,浪涌保护电路1通过浪涌抑制芯片M实现对一次电源中的输出电压进行检测并箝位,从而避免对二次电源产生过大的瞬时电压应力。滤波电路2通过磁耦线圈实现电路中高频谐波的抑制和滤除,抑制二次电源工作产生的高频谐波,从而保证一次电源的工作可靠性。
附图说明
[0014]图1为本技术的二次电源前置电路的电路原理示意图;
[0015]图2为本技术的二次电源前置电路的具体实施例的示意图。
[0016]图中,
[0017]1:浪涌保护电路2:滤波电路Ui:输入端口Uo:输出端口B:过渡端口B+:过渡端口正极B

:过渡端口负极GATE:驱动引脚FB:反馈引脚VDD:外部供电引脚OUT:输出引脚M:浪涌抑制芯片Q:开关MOS管R2:分压下电阻R1:分压上电阻R3:电阻V1:Y电容V2:Y电容V3:X电容V4:电容V5:电容V6:Y电容V7:Y电容L1:差模电感L2:共模电感L5:共模电感Ui+:输入正极Ui

:输入负极Uo+:输出正极Uo

:输出负极
具体实施方式
[0018]以下结合附图和具体实施例,对本技术进行详细说明,在本说明书中,附图尺寸比例并不代表实际尺寸比例,其只用于体现各部件之间的相对位置关系与连接关系,名称相同或标号相同的部件代表相似或相同的结构,且仅限于示意的目的。
[0019]图1是本技术的二次电源前置电路的电路原理图示意。该二次电源前置电路包括浪涌保护电路1与滤波电路2,浪涌保护电路1跨接在输入端口Ui与过渡端口B之间用于将自输入端口Ui输入的瞬时浪涌电压限制在安全范围内后输出至过渡端口B,滤波电路2跨接在过渡端口B与输出端口Uo之间将二次电源工作产生的高频干扰滤除,保护一次电源的电磁环境。
[0020]浪涌保护电路1主要包括一个浪涌抑制芯片M。浪涌抑制芯片M的驱动引脚GATE与一开关MOS管Q的栅极连接,开关MOS管Q的源极与漏极接入输入正极Ui+与过渡端口正极B+之间。在过渡端口B端口的过渡端口正极B+与过渡端口负极B

之间串联有分压上电阻R1与分压下电阻R2,浪涌抑制芯片M的反馈引脚FB连接在分压上电阻R1与分压下电阻R2相连接段以探测过渡端口B的电压。
[0021]反馈引脚FB通过检测分压上电阻R1两端的压降来监视过渡端口B的电压,当过渡端口B的输出电压升高时,反馈引脚FB的电位升高,浪涌抑制芯片M的驱动引脚GATE驱动开关MOS管Q的栅极以调节和限制输出电压。
[0022]如图2所示,浪涌保护电路1中,浪涌抑制芯片M可以采用LTC4366芯片,浪涌抑制芯片M的外部供电引脚VDD连接至输入正极Ui+,浪涌抑制芯片M的输出引脚OUT连接至过渡端
口正极B+。当输入电压低于设定的箝位电压时,开关MOS管Q断开,输出引脚OUT的电压等于输入电压。
[0023]一方面,外部的电磁干扰可能通过传导耦合等方式进入电源模块,影响二次电源模块的正常工作,进而影响一次电源的正常工作。另一方面,由于二次电源工作在高频状态,其产生的瞬态脉冲包含能够发射电磁干扰的高频谐波,辐射和泄漏出去的干扰信号会污染一次电源的电磁环境。
[0024]滤波电路2包括接入过渡端口正极B+到输出正极Uo+支路、过渡端口负极B

与输出负极Uo

支路之间的共模电感L5,共模电感L5包括两个耦合电感,分别串联在两支路中。在共模电感L5后端,由Y电容V6与Y电容V7串联的共模本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二次电源前置电路,包括浪涌保护电路与滤波电路,其特征在于,所述浪涌保护电路跨接在输入端口Ui与过渡端口B之间,所述滤波电路跨接于过渡端口B与输出端口Uo之间;所述浪涌保护电路包括一个浪涌抑制芯片M;浪涌抑制芯片M的驱动引脚GATE与开关MOS管Q的栅极连接;开关MOS管Q的漏极与源极接入输入正极Ui+与过渡端口正极B+之间;在过渡端口B两端跨接有由分压上电阻R1与分压下电阻R2串联的支路,浪涌抑制芯片M的反馈引脚FB连接在分压上电阻R1与分压下电阻R2之间。2.如权利要求1所述的二次电源前置电路,其特征在于,所述浪涌抑制芯片M的外部供电引脚VDD连接至输入正极Ui+,浪涌抑制芯片M的输出引脚OUT连接至过渡端口正极B+。3.如权利要求1或2所述的二次电源前置电路,其特征在于,滤波电路包括跨接于过渡端口B两端的共模电感L5;共模电感L5包括分别串联在过渡端口正极B+至输出正极Uo+、过渡端口负极B

至输出负极Uo

两支路中的两个耦合电感;滤波电路还包括跨接于输出端口Uo两端的由Y电容V1与Y电容V2串联的支路,在过渡端口正极B+至输出正极Uo+、过渡端口负极B

【专利技术属性】
技术研发人员:陈波吴磊解光庆胡进李兰兰郭靖
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十三研究所
类型:新型
国别省市:

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