【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电阻式衰减器，具体涉及一种电阻式衰减器及其制备方法。
技术介绍
1、在微波发射与接收系统中，对信号电平都会有一个安全或正常的要求，过高的电平将引起过载，使放大部件出现不能容忍的非线性失真甚至烧毁，从而使整个系统不能工作。而衰减器能将信号电平调整到需要的水平，衰减器在调整微波发射与接收系统增益方面有不可替代的作用，被广泛应用于微波发射与接收系统中。
2、根据组成衰减器的元器件不同，衰减器可以分为有源衰减器和无源衰减器。电阻式衰减器作为无源衰减器的一种，由于其具有高可靠、高精度、高频响等优点，得到了越来越广泛的应用。根据装配使用方式不同，电阻式衰减器可以分为贴片式衰减器和金丝键合式衰减器。相比于金丝键合式衰减器，贴片式衰减器的高频寄生效应更小，且装配方式更简单，所以其应用范围更宽。然而，随着使用频率的升高，用户对衰减器的性能提出了越来越高的要求。因此，如何减小衰减器的高频寄生效应，拓宽衰减器的使用频段范围，成为行业内急需解决的一个问题。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中的不足，本专利技术的目的在于提供一种电阻式衰减器及其制备方法。
2、为实现上述目的，本专利技术采用了以下技术方案：
3、在本专利技术的第一方面，公开了一种电阻式衰减器。
4、该衰减器包括基底和设置在所述基底上的微带层、电阻层、介质层和电极层；
5、所述基底采用陶瓷基片；
6、所述电阻层设置在所述基底正面的中间位置处；
7
8、所述介质层在所述电阻层的上方位置处；
9、所述电极层在所述介质层的上方位置处。
10、进一步的，所述基底采用厚度为0.5mm、纯度为99.6％的氧化铝陶瓷基片。
11、进一步的，所述第三微带图形和所述第七微带图形通过第六微带图形实现导通。
12、进一步的，所述第四微带图形和所述第八微带图形通过第五微带图形实现导通。
13、进一步的，所述微带层为输入/输出端口对称结构。
14、进一步的，所述微带层为钛/镍/金微带层，其中，钛层的厚度为0.2～0.3μm，镍层的厚度为3～5μm，金层的厚度为0.3～0.5μm。
15、进一步的，所述介质层为sin材料，采用sin材料的介质层的厚度为2～8μm。
16、进一步的，所述电极层为钛电极层，钛电极层的厚度为0.2～0.3μm。
17、在本专利技术的第二方面，公开了一种上述电阻式衰减器的制备方法。
18、该方法包括：
19、s1、制备衰减器单元的基底
20、选取陶瓷基片作为基底，采用激光划片工艺在陶瓷基片上制作出镂空的区域，并采用电子清洗剂对陶瓷基片进行清洗；
21、s2、制备微带图形
22、采用真空镀膜工艺在陶瓷基片的正面和背面分别溅射一层钛ti，并采用光刻工艺在陶瓷基片的正面和背面分别制作出相应的微带图形；在溅射正面和背面的钛ti时，陶瓷基片的侧面也会溅射上钛层。
23、s3、制备电阻层
24、采用光刻工艺在陶瓷基片的正面制作出电阻图形，并采用真空镀膜工艺在陶瓷基片的正面溅射一层氮化钽tan作为电阻层；
25、s4、光刻胶一次去除
26、采用剥离工艺将陶瓷基片的正面的光刻胶去除；
27、s5、电阻层阻值调整
28、采用激光调阻工艺对电阻层进行阻值调整；
29、s6、制备介质层与电极层
30、采用光刻工艺在陶瓷基片的正面制作出介质/电极图形，并采用真空镀膜工艺在陶瓷基片的正面溅射一层氮化硅sin作为介质层，溅射一层钛ti作为电极层；
31、s7、光刻胶二次去除
32、采用剥离工艺对陶瓷基片的正面的光刻胶进行去除，得到衰减器单元；
33、s8、衰减器单元切割
34、采用激光划片工艺对衰减器单元进行切割，得到若干个衰减器；
35、s9、采用电镀工艺在衰减器的微带图形上电镀镍/金ni/au，衰减器制备完成。
36、进一步的，所述电阻层阻值调整，包括：
37、对电阻层中的每个电阻的阻值进行控制，使输入/输出阻抗满足50±1ω的要求。
38、和现有技术相比，本专利技术的优点为：
39、(1)本专利技术所述的电阻式衰减器通过陶瓷基片侧面溅射钛层以及在微带图形上电镀镍/金层的方式实现正面和背面的接地区域导通。相比于现有的在侧面涂覆导电胶实现正面和背面的接地区域导通的方式，本专利技术采用的侧面金属化方式减小了高频寄生效应，有效地扩大了衰减器的使用频段范围。
40、(2)本专利技术所述的电阻式衰减器在电阻层(图1中的区域ⅰ0)上方制作了介质层作为补偿电容(图1中的区域ⅰ1)，可以在频率升高的时候补偿高频寄生电感，有效地提高衰减器的使用频段范围。
41、(3)本专利技术所述的电阻式衰减器设计为输入/输出端口对称结构，使用过程中输入/输出端口可以无差别使用，属于有效的防呆设计。
42、(4)本专利技术所述的电阻式衰减器采用薄膜工艺制造，微带图形的尺寸和电阻的阻值更精确，高频响应更好，可靠性更高。
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1.一种电阻式衰减器，其特征在于，该衰减器包括基底和设置在所述基底上的微带层、电阻层、介质层和电极层；
2.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其特征在于，
9.一种根据权利要求1～8任意一项所述的电阻式衰减器的制备方法，其特征在于，该方法包括：
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种电阻式衰减器，其特征在于，该衰减器包括基底和设置在所述基底上的微带层、电阻层、介质层和电极层；
2.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘牛，姚艺龙，汤春江，刘俊夫，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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