本实用新型专利技术公开了一种高温扩散炉，包括扩散炉管和加热丝，扩散炉管内部具有容纳通道；加热丝缠绕于扩散炉管的外周壁；其中，加热丝的横截面形状为非圆形。通过采用上述的结构，非圆形的加热丝在1050℃的高温工艺条件下仍具有良好的结构强度，加热丝在长时间高温工作后仍可以保持原状，大大地降低了加热丝因变形突起而挤压损坏扩散炉管的概率，保护了高温扩散炉。本实用新型专利技术还公开了扩散装置，包括输气组件及上述的高温扩散炉。通过采用上述的高温扩散炉，既可以延长高温扩散炉的使用寿命，同时降低了扩散装置的维护成本。时降低了扩散装置的维护成本。时降低了扩散装置的维护成本。
【技术实现步骤摘要】
一种高温扩散炉及扩散装置
[0001]本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种高温扩散炉及扩散装置。
技术介绍
[0002]众所周知硅片是制作太阳能电池的主要部件，企业在生产过程中需要采用高温扩散炉对硅片进行掺杂，使得硅片内部形成PN结，具体地，太阳能电池的制造过程中，硅片的表面需要在高温扩散炉中进行扩散工艺处理，其主要其利用杂质原子向半导体芯片内部扩散的方法，改变半导体芯片表面层的导电类型，从而形成P
‑
N结，这也是形成P
‑
N结的主要工艺，在生产过程中，需要采用石英舟装载待处理的硅片并放置于高温扩散炉，然后在高温扩散炉内通入工艺气体进行扩散处理。
[0003]目前TOPCon电池占据市场的主流，制作TOPCon电池的硅片时，需要将硅片放进高温扩散炉进行扩散掺入硼，形成PN结，在该扩散工序中要求最高工艺温度达到了1050℃，对于高温扩散炉是很大的考验，现在的高温扩散炉一般包括采用如下结构：包括内部中空的炉体，炉体的内部设置有石英炉管，石英炉管的内部开设有用于放置硅片的容纳通道，石英炉管的外周壁缠绕有通电能够发热的加热丝，加热丝的截面为圆形，加热丝沿着石英炉管的长度方向螺旋缠绕并形成多圈加热圈，加热丝位于炉体的内壁与石英炉管的外周壁之间。
[0004]上述的高温扩散炉虽然能够满足企业在温度高达1050℃的条件下对硅片进行扩散掺杂的需求，但是高温扩散炉在使用3至4个月后，圆形的加热丝就发出现变形突起，由于加热丝缠绕于石英炉管的外周壁，因此加热丝在变形突起的过程中容易挤压石英炉管的外周壁，从而使得石英炉管的开裂或破损，严重影响高温扩散炉的生产。
技术实现思路
[0005]本技术旨在至少一定程度上解决现有技术问题之一。为此，本技术第一方面提出了一种高温扩散炉，能够尽可能地降低加热丝在高温条件下变形的概率，有助于保护高温扩散炉；本技术第二方面提出了一种采用上述高温扩散炉的扩散装置，有助于降低扩散装置的维护成本。
[0006]根据本技术第一方面的一种高温扩散，包括：扩散炉管，所述扩散炉管内部具有容纳通道；加热丝，所述加热丝缠绕于所述扩散炉管的外周壁；其中，所述加热丝的横截面形状为非圆形。
[0007]根据本技术的一种高温扩散炉，具有如下有益效果：
[0008]通过采用横截面形状为非圆形的加热丝加热扩散炉管，在1050℃的高温工艺条件下，非圆形的加热丝仍具有良好的结构强度，因此加热丝在长时间高温工作后仍可以保持原状，大大地降低了加热丝因变形突起而挤压损坏扩散炉管的概率，延长了扩散炉管的使用寿命，保护了高温扩散炉，降低维护成本。
[0009]在一些实施方式中，所述加热丝螺旋缠绕于所述扩散炉管的外周壁并形成多个加
热圈；
[0010]相邻的两个所述加热圈之间设置至少一个绝缘件，所述绝缘件一端与其中一个所述加热圈抵接，所述绝缘件的另一端与另外一个所述加热圈抵接。
[0011]在一些实施方式中，所述绝缘件的两个端部均开设有与所述加热圈外形轮廓相适配的开口槽，所述加热圈嵌装于所述开口槽内。
[0012]在一些实施方式中，所述加热丝的横截面形状为矩形，所述开口槽为矩形槽。
[0013]在一些实施方式中，还包括内部中空的炉体，所述炉体套设于所述加热丝外周。
[0014]在一些实施方式中，所述炉体内壁周向布置有保温层，所述保温层位于所述炉体内壁与所述加热丝外壁之间。
[0015]在一些实施方式中，所述炉体为金属筒件，所述保温层紧贴所述金属筒件的内壁。
[0016]在一些实施方式中，所述保温层设置于所述炉体内壁的中部，且所述炉体的两端内壁均设置有搁置槽位，每个所述搁置槽位均设置有保温圈。
[0017]在一些实施方式中，所述加热丝的横截面形状为凸字形或椭圆形或工字形。
[0018]根据本技术第二方面的扩散装置，包括输气组件及上述的高温扩散炉，所述输气组件用于向所述容纳通道内部输送工艺气体。
[0019]根据本技术的扩散装置，具有如下有益效果：
[0020]通过采用上述的高温扩散炉，既可以延长高温扩散炉的使用寿命，同时降低了扩散装置的维护成本。
附图说明
[0021]图1是本技术某些实施例的高温扩散炉的结构示意图；
[0022]图2是图1中示出的高温扩散炉的结构分解示意图；
[0023]图3是图1中A处的放大示意图；
[0024]图4是图1中B处的放大示意图；
[0025]图5是图1中示出的高温扩散炉中加热丝的第一实施例的横截面结构示意图；
[0026]图6是图1中示出的高温扩散炉中加热丝的第二实施例的横截面结构示意图；
[0027]图7是图1中示出的高温扩散炉中加热丝的第三实施例的横截面结构示意图；
[0028]图8是图1中示出的高温扩散炉中加热丝的第四实施例的横截面结构示意图。
具体实施方式
[0029]下面详细描述本实施方式的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实施方式，而不能理解为对本实施方式的限制。
[0030]本实施方式所使用的附图为示意性的、原理性的，仅是为了便于描述本实施方式和简化描述，因此不能理解为对本实施方式的限制。
[0031]在本实施方式的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0032]本实施方式的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实施方式中的具体含义。
[0033]图1至图8是本技术的一种高温扩散炉的某种实施方式的示意图。
[0034]参照图1至图5，根据本实施方式的一种高温扩散炉(为便于说明，后面有时仅称“高温扩散炉”)，用于对硅片进行扩散工艺处理，使得硅片内部形成PN结，具体地，太阳能电池的制造过程中，硅片的表面需要在高温扩散炉中进行扩散工艺处理，其主要其利用杂质原子向半导体芯片内部扩散的方法，改变半导体芯片表面层的导电类型，从而形成P
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N结，这也是形成P
‑
N结的主要工艺。
[0035]本实施例的一种高温扩散炉，包括一个内部具有容纳通道110的扩散炉管100，在本实施例中，扩散炉管100为采用石英材料制作而成的圆柱状筒件，圆柱状筒件的内部中空并形成上述的容纳通道110，即容纳通道110沿着扩散炉管100的长度方向延伸并贯穿整个扩散炉管100，上述的容纳通道110可用于放置待进行扩散本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高温扩散炉，其特征在于，包括：扩散炉管，所述扩散炉管内部具有容纳通道；加热丝，所述加热丝缠绕于所述扩散炉管的外周壁；其中，所述加热丝的横截面形状为非圆形。2.根据权利要求1所述的高温扩散炉，其特征在于：所述加热丝螺旋缠绕于所述扩散炉管的外周壁并形成多个加热圈；相邻的两个所述加热圈之间设置至少一个绝缘件，所述绝缘件一端与其中一个所述加热圈抵接，所述绝缘件的另一端与另外一个所述加热圈抵接。3.根据权利要求2所述的高温扩散炉，其特征在于：所述绝缘件的两个端部均开设有与所述加热圈外形轮廓相适配的开口槽，所述加热圈嵌装于所述开口槽内。4.根据权利要求3所述的高温扩散炉，其特征在于：所述加热丝的横截面形状为矩形，所述开口槽为矩形槽。5.根据权利要求1所述的高温扩散炉，其特征在于：还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨宝立，邓金生，张数俊，
申请(专利权)人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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