本发明专利技术实施例公开了一种用于清洗晶圆的装置和方法，该装置可以包括：清洗槽体；第一泵，所述第一泵用于在将所述晶圆浸入容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液的过程中，经由所述清洗槽体外部将所述清洗槽体的底部处的刻蚀液泵送至容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液的液面处，以使容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液整体上向下移动成使得相对于所述晶圆保持静止；第二泵，所述第二泵用于在将所述晶圆从容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液移出的过程中，经由所述清洗槽体外部将所述液面处的刻蚀液泵送至所述清洗槽体的底部处，以使容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液整体上向上移动成使得相对于所述晶圆保持静止。圆保持静止。圆保持静止。
【技术实现步骤摘要】
一种用于清洗晶圆的装置和方法
[0001]本专利技术涉及半导体晶圆生产领域，尤其涉及一种用于清洗晶圆的装置和方法。
技术介绍
[0002]在目前采用的清洗晶圆的方式中，其中的一种方式为将晶圆浸入清洗液中，清洗液含有的化学成份会对晶圆产生刻蚀作用，晶圆表面的污染物会随被刻蚀掉的晶圆材料一起脱离晶圆。
[0003]晶圆在清洗之前，通常会被夹持以便于在包括清洗装置在内的各种处理装置之间转移，另一方面，晶圆的夹持通常通过夹持机构与晶圆的周缘接触来实现，这样，导致晶圆的周缘处会携带有大量的比如污染颗粒、金属之类的污染物。
[0004]在常规的清洗方式中，为了实现清洗需要将晶圆浸入到清洗装置的清洗槽所容纳的清洗液中，在这一过程中，晶圆周缘处所携带的大量污染物会在清洗液的冲击作用下相对于晶圆向上移动，而晶圆通常是以保持竖直的方式浸入到清洗液中的，因此周缘携带的污染物会转移至晶圆的主表面，导致对于主表面的清洗效果降低，本来存在于周缘处的大量的局部光点散射(Localized Light Scatter，LLS)颗粒无法从主表面清洗掉，另一方面，在晶圆清洗完成后，需要将晶圆从清洗槽所容纳的清洗液中取出，在这一过程中，尽管脱离晶圆的周缘存在于清洗液中但仍然聚集在晶圆周缘附近的大量污染物会相对于晶圆向下移动，而晶圆通常是以保持竖直的情况下沿着竖向向上的方法被取出的，因此这样的污染物仍然会转移至晶圆的主表面，对主表面的清洗效果造成不利影响，大量的LLS颗粒仍然存在于晶圆的主表面。在晶圆的使用过程中，晶圆的周缘可能会在一些处理过程中去除掉，但是晶圆的除周缘以外的部分却是会被实际利用的，因此如果主表面的洁净度不高或者说仍然存在有污染物的话，会对后续获得的比如电子元器件之类的产品的性能造成不利影响。
技术实现思路
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术实施例期望提供一种用于清洗晶圆的装置和方法，在为了实现清洗将晶圆浸入到清洗液的过程中以及在清洗完成后将晶圆从清洗液移出的过程中，能够避免晶圆周缘处所携带的大量污染物转移至晶圆的主表面，从而获得更好的清洗效果，提高由晶圆制造的产品的性能。
[0006]本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0007]第一方面，本专利技术实施例提供了一种用于清洗晶圆的装置，所述装置包括：
[0008]清洗槽体；
[0009]第一泵，所述第一泵用于在将所述晶圆浸入容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液的过程中，经由所述清洗槽体外部将所述清洗槽体的底部处的刻蚀液泵送至容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液的液面处，以使容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液整体上向下移动成使得相对于所述晶圆保持静止；
[0010]第二泵，所述第二泵用于在将所述晶圆从容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液移出的
过程中，经由所述清洗槽体外部将所述液面处的刻蚀液泵送至所述清洗槽体的底部处，以使容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液整体上向上移动成使得相对于所述晶圆保持静止。
[0011]由于在将晶圆浸入到刻蚀液的过程中，刻蚀液整体上向下移动成相对于晶圆保持静止，或者说刻蚀液与晶圆之间是没有相对运动的，刻蚀液不会对晶圆产生冲击作用，因此，即使晶圆的周缘携带有大量的污染物，这样的污染物也不会转移至晶圆的主表面，保证了主表面的清洗效果，避免了本来存在于周缘处的大量的LLS颗粒无法从主表面清洗掉的情况出现，并且，由于在将晶圆从刻蚀液移出的过程中，刻蚀液整体上向上移动成相对于晶圆保持静止，或者说刻蚀液与晶圆之间是没有相对运动的，因此，脱离晶圆的周缘存在于刻蚀液中的大量的污染物会与刻蚀液一样相对于晶圆保持静止，并不会转移至晶圆的主表面，使主表面的清洗效果得到保持，避免了大量的LLS颗粒存在于晶圆的主表面的情况出现，这样，能够在清洗完成后使晶圆的主表面或者说会被实际利用的部分具有高的洁净度，保证了由清洗后的晶圆制造出的产品的性能。
[0012]在本专利技术的优选实施例中，所述装置还包括第一管路，所述第一泵设置在所述第一管路中，所述第一管路的第一开口在所述清洗槽体的底部处通往所述清洗槽体内部，所述第一管路的第二开口设置在所述清洗槽体的顶部处。
[0013]这样，在第一泵对刻蚀液进行泵送的情况下，由于第一管路的第一开口在清洗槽体的底部处通往清洗槽体内部，因此清洗槽体的底部处的刻蚀液便会离开清洗槽体，另一方面，由于第一管路的第二开口设置在清洗槽体的顶部处，因此刻蚀液便会在清洗槽体的顶部处离开第一管路并由此到达容纳在清洗槽体中的刻蚀液EL的液面处。
[0014]在本专利技术的优选实施例中，所述装置还包括第二管路，所述第二泵设置在所述第二管路中，所述第二管路的第一开口在所述清洗槽体的底部处通往所述清洗槽体内部，所述第二管路的第二开口设置在容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液的液面下方并且与所述液面相邻的位置处。
[0015]这样，在第二泵对刻蚀液进行泵送的情况下，由于第二管路的第二开口设置在容纳在清洗槽体中的刻蚀液的液面下方并且与液面相邻的位置处，因此液面处的刻蚀液便会离开清洗槽体，另一方面，由于第二管路的第一开口在清洗槽体的底部处通往清洗槽体内部，因此刻蚀液便会在清洗槽体的底部处离开第二管路并由此到达清洗槽体的底部处。
[0016]在本专利技术的优选实施例中，所述装置还包括溢流槽体，当额外的刻蚀液注入到所述清洗槽体中时，所述液面处的刻蚀液从所述清洗槽体溢流至所述溢流槽体中，所述第二泵对所述溢流槽体中的刻蚀液进行泵送。
[0017]由于溢流槽体的存在，使得对液面处的刻蚀液进行泵送变得更为简单易行，因为不需要考虑是否是在对液面处的刻蚀液进行泵送。
[0018]在本专利技术的优选实施例中，所述装置还包括溢流管路，所述第二泵设置在所述溢流管路中，所述溢流管路的第一开口通往所述溢流槽体内部，所述溢流管路的第二开口在所述清洗槽体的底部处通往所述清洗槽体内部。
[0019]这样，在第二泵对刻蚀液进行泵送的情况下，由于溢流管路的第一开口通往溢流槽体内部，因此可以对溢流槽体中的刻蚀液进行泵送，另一方面，由于溢流管路的第二开口在清洗槽体的底部处通往清洗槽体内部，因此刻蚀液便会在清洗槽体的底部处离开溢流管路并由此到达清洗槽体的底部处。
[0020]在本专利技术的优选实施例中，所述装置还包括第一过滤器，所述第一过滤器用于对所述第一泵的泵送路径中流动的刻蚀液进行过滤。
[0021]这样，在比如来自晶圆的杂质或污染物进入到第一泵的泵送路径中的情况下，能够通过过滤避免这样的杂质或污染物返回到清洗槽体中。
[0022]在本专利技术的优选实施例中，所述装置还包括第二过滤器，所述第二过滤器用于对所述第二泵的泵送路径中流动的刻蚀液进行过滤。
[0023]这样，在比如来自晶圆的杂质或污染物进入到第二泵的泵送路径中的情况下，能够通过过滤避免这样的杂质或污染物返回到清洗槽体中。
[0024]在本专利技术的优选实施例中，所述刻蚀液用于将所述晶圆表面的氧化膜去除。
[0025]在本专利技术的优选实施例中，所述刻蚀液为氢氟酸液。
[0026]第本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于清洗晶圆的装置，其特征在于，所述装置包括：清洗槽体；第一泵，所述第一泵用于在将所述晶圆浸入容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液的过程中，经由所述清洗槽体外部将所述清洗槽体的底部处的刻蚀液泵送至容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液的液面处，以使容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液整体上向下移动成使得相对于所述晶圆保持静止；第二泵，所述第二泵用于在将所述晶圆从容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液移出的过程中，经由所述清洗槽体外部将所述液面处的刻蚀液泵送至所述清洗槽体的底部处，以使容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液整体上向上移动成使得相对于所述晶圆保持静止。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第一管路，所述第一泵设置在所述第一管路中，所述第一管路的第一开口在所述清洗槽体的底部处通往所述清洗槽体内部，所述第一管路的第二开口设置在所述清洗槽体的顶部处。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第二管路，所述第二泵设置在所述第二管路中，所述第二管路的第一开口在所述清洗槽体的底部处通往所述清洗槽体内部，所述第二管路的第二开口设置在容纳在所述清洗槽体中的刻蚀液的液面下方并且与所述液面相邻的位置处。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括溢流槽体，当额外的刻蚀液注入到所述清洗槽体中时，所述液面处的刻蚀液从所述清洗槽体溢流至所述溢流槽体中，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙介楠，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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