方块电阻的测量方法、电子设备和存储介质技术

本申请公开一种方块电阻的测量方法、电子设备和存储介质，涉及半导体制造技术领域。在该方法中，获取待测晶圆的实时测量温度和相应的实时测量方块电阻；检测实时测量温度是否与预设的标准温度相匹配；在确定实时测量温度与标准温度不匹配的情况下，根据实时测量温度和标准温度确定电阻校正系数；基于电阻校正系数校正实时测量方块电阻，以得到待测晶圆的目标方块电阻。由此，将方块电阻的测量值自动校正到统一温度下，方便用户横向对比，有利于快速发现制作工艺中的问题。发现制作工艺中的问题。发现制作工艺中的问题。

【技术实现步骤摘要】
方块电阻的测量方法、电子设备和存储介质


[0001]本申请属于半导体制造
，尤其涉及一种方块电阻的测量方法、电子设备和存储介质。

技术介绍

[0002]探针电阻测量仪应用在半导体工艺领域中，测量如注入、扩散、外延、金属涂层的薄膜方块电阻或电阻率。仪器能为用户通过薄膜方块电阻的精确测量，从而加快工艺问题的识别流程，缩短工艺调试周期。可适用于工艺应用中晶圆特性和关键生产过程监控。但现有的探针都只能测量常温下的方块电阻，忽略了外界温度对测量结果的影响。
[0003]材料的电阻率随温度变化而变化，特别是对金属、金属合金材料。比如金属铝，电阻温度系数为0.00429aR/℃（20℃），在20℃时，100欧的铝电阻，当温度升高到30℃时，它的电阻将变为104.37欧姆，相差4.37%。因此，温差变化对探针电阻测量仪的测量结果会产生直接的影响，在测量过程中会导致晶圆方块的电阻测量不准确，进而影响生产工艺。
[0004]针对上述问题，目前业界暂未提出较佳的技术解决方案。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种方块电阻的测量方法、电子设备和存储介质，用于至少解决上述技术问题之一。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种方块电阻的测量方法，该方法包括：获取待测晶圆的实时测量温度和相应的实时测量方块电阻；检测所述实时测量温度是否与预设的标准温度相匹配；在确定所述实时测量温度与所述标准温度不匹配的情况下，根据所述实时测量温度和所述标准温度确定电阻校正系数；基于所述电阻校正系数校正所述实时测量方块电阻，以得到所述待测晶圆的目标方块电阻。
[0007]可选地，所述根据所述实时测量温度和所述标准温度确定电阻校正系数，包括：获取所述待测晶圆的目标材料类型；根据预设的材料电阻校正表，确定与所述目标材料类型匹配的目标电阻温度系数；所述材料电阻校正表包含多个材料类型和相应的电阻温度系数；计算所述实时测量温度与所述标准温度之间的温差值，并根据所述温差值和所述目标电阻温度系数确定电阻校正系数。
[0008]可选地，所述基于所述电阻校正系数校正所述实时测量电阻，以得到所述待测晶圆的目标方块电阻，包括：
[0009]其中，TCR表示所述目标电阻温度系数，表示所述目标电阻，表示所述实时测量电阻，表示所述实时测量温度，以及表示所述标准温度。
[0010]可选地，所述材料电阻校正表是通过包括以下的操作而确定的：获取标定晶圆在多个标定表面温度下的方块电阻测量值；根据各个所述标定表面温度和相应的电阻测量值，确定所述标定晶圆的方块电阻温度关系；所述方块电阻温度关系定义了所述标定晶圆的方块电阻测量值与标定表面温度之间的关系；根据所述方块电阻温度关系，确定所述标定晶圆所对应的标定电阻温度系数；将所述标定电阻温度系数和所述标定晶圆的标定材料类型进行关联，以确定所述材料电阻校正表。
[0011]可选地，所述根据各个所述标定表面温度和相应的电阻测量值，确定所述标定晶圆的方块电阻温度关系，包括：根据各个所述标定表面温度和相应的电阻测量值，进行基于最小二乘法的线性拟合，以确定相应的方块电阻温度关系：
[0012]其中，T表示标定表面温度，R表示相应的电阻测量值，a和b分别表示用于确定R的第一中间参数值和第二中间参数值，i表示所述标定表面温度的数量，i= 1,2,3
……
n；基于所述方块电阻温度关系，确定所述标定晶圆的方块电阻温度关系。
[0013]可选地，通过包括以下方式来确定所述标定晶圆所对应的标定电阻温度系数：
[0014]其中，T
标准
表示所述标准温度。
[0015]可选地，所述获取标定晶圆在多个标定表面温度下的方块电阻测量值，包括：控制晶圆加热模块对所述标定晶圆的标准测量区域进行加热，并通过晶圆测温模块测量所述标准测量区域的晶圆表面温度；针对各个标定表面温度，在所测量的所述标准测量区域的晶圆表面温度达到所述标定表面温度时，采集所述标定晶圆的方块电阻测量值。
[0016]可选地，在所述控制晶圆加热模块对所述标定晶圆的标准测量区域进行加热之前，所述方法还包括：获取所述标定晶圆的标准测量区域的区域位置；根据所述区域位置，控制移动所述晶圆加热模块和所述晶圆测温模块。
[0017]第二方面，本申请实施例提供一种电子设备，其包括：至少一个处理器，以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器，其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行上述方法的步骤。
[0018]第三方面，本申请实施例提供一种存储介质，所述存储介质中存储有一个或多个包括执行指令的程序，所述执行指令能够被电子设备（包括但不限于计算机，服务器，或者网络设备等）读取并执行，以用于执行本申请上述方法的步骤。
[0019]第四方面，本申请实施例还提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括存储在存储介质上的计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，当所述程序指令被计算机执行时，使所述计算机执行上述方法的步骤。
[0020]本申请实施例的有益效果在于：采集待测晶圆的实时测量温度和相应的实时测量方块电阻，将实时测量温度与标准温度进行匹配，并在实时测量温度和标准温度不匹配的情况下，利用实时测量温度和标准温度来确定电阻校正系数，继而对电阻校正系数进行校正。由此，在对晶圆的方块电阻进行测量时，通过将实时测量温度与标准温度进行比较，如果二者不匹配，则利用实时测量温度与标准温度确定电阻校正系数，并对实时测量方块电阻进行校准，能够有效补偿因在测量过程中温度变化所导致的晶圆的方块电阻测量值的浮动，在实际测量时不需要加热也可将测量值自动校正到统一温度下，方便用户横向对比，有利于快速发现制作工艺中的问题。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1示出了根据本申请实施例的方块电阻的测量方法的一示例的流程图；图2示出了根据本申请实施例的方块电阻的测量方法的另一示例的流程图；图3示出了根据本申请实施例的确定材料电阻校正表的一示例的流程图；图4示出了适于应用根据本申请实施例的方块电阻的测量方法的四探针方阻测量设备的一示例的测量状态示意图；图5示出了根据本申请实施例的基于四探针方阻测量设备测量晶圆的方块电阻的一示例的流程图；图6示出了晶圆在未校正时的方块电阻值和校正到23℃时的方块电阻值随温度变化的对比示意图；图7为本申请的电子设备的一实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0023]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方块电阻的测量方法，该方法包括：获取待测晶圆的实时测量温度和相应的实时测量方块电阻；检测所述实时测量温度是否与预设的标准温度相匹配；在确定所述实时测量温度与所述标准温度不匹配的情况下，根据所述实时测量温度和所述标准温度确定电阻校正系数；基于所述电阻校正系数校正所述实时测量方块电阻，以得到所述待测晶圆的目标方块电阻；所述根据所述实时测量温度和所述标准温度确定电阻校正系数，包括：获取所述待测晶圆的目标材料类型；根据预设的材料电阻校正表，确定与所述目标材料类型匹配的目标电阻温度系数；所述材料电阻校正表包含多个材料类型和相应的电阻温度系数；计算所述实时测量温度与所述标准温度之间的温差值，并根据所述温差值和所述目标电阻温度系数确定电阻校正系数；所述基于所述电阻校正系数校正所述实时测量电阻，以得到所述待测晶圆的目标方块电阻，包括：,其中，TCR表示所述目标电阻温度系数，表示所述目标电阻，表示所述实时测量电阻，表示所述实时测量温度，以及表示所述标准温度；所述材料电阻校正表是通过包括以下的操作而确定的：获取标定晶圆在多个标定表面温度下的方块电阻测量值；根据各个所述标定表面温度和相应的电阻测量值，确定所述标定晶圆的方块电阻温度关系；所述方块电阻温度关系定义了所述标定晶圆的方块电阻测量值与标定表面温度之间的关系；根据所述方块电阻温度关系，确定所述标定晶圆所对应的标定电阻温度系数；将所述标定电阻温度系数和所述标定晶圆的标定材料类型进行关联，以确定所述材料电阻校正表；所述根据各个所述标定表面温度和相应的电阻测量值，确定所述标定晶圆的方块电阻温度关系，包括：根据各个所述标定表面温度和相应的电阻测量值，进行基于最小二乘法的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王世俊，相宇阳，俞胜武，陈剑，
申请(专利权)人：无锡卓海科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：