【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及芯片检测预处理，尤其涉及一种晶圆的预对准方法及其边缘检测装置。
技术介绍
1、晶圆是具有单晶结构的晶圆片，不同的晶圆晶体方向具有不同的化学、电学和物理特性，因此，晶圆均要求具有特定的晶体方向，离子注入、光刻等工艺均以晶体方向作为参考，半导体设备对晶圆进行刻蚀和测量前，均需要对晶圆方向进行定位。晶圆具有缺口或切边作为晶体方向的可见参考，半导体设备通过识别晶圆的缺口或切边，将晶圆以特定角度传输到精密移动平台进行加工和测量。随着半导体工艺进入纳米级别，其对半导体设备的精确度要求越来越高，为实现高速自动化生产和测量，在对晶圆进行加工和测量前，普遍采用晶圆预对准机对晶圆进行预对准，减小传输误差，如光刻机、套刻测量仪、应力测量仪、扫描电子显微镜等，预对准机的性能直接影响半导体设备的加工测量精度和生产效率。
2、预对准机的晶圆预对准主要包括晶圆方向定位和晶圆圆心定位，目前预对准机普遍采用线阵型ccd或光纤传感器阵列进行晶圆边缘检测，线阵型ccd传感器包含了传感器、高速数据处理单元、发光控制单元、光路组件等，体积较大，价...
【技术保护点】
1.一种晶圆的预对准方法，采用晶圆的边缘检测装置对晶圆预对准，所述边缘检测装置包括控制模块、检测模块和移动平台；所述控制模块分别与所述检测模块和所述移动平台电连接；所述检测模块包括发光侧和受光侧，所述发光侧和所述受光侧相对设置且两者之间形成凹槽；其特征在于，所述控制方法包括：
2.根据权利要求1所述的预对准方法，其特征在于，旋转所述晶圆一周，获得各旋转角度对应的所述晶圆的边缘在所述检测模块上的遮挡距离，包括：
3.根据权利要求2所述的预对准方法，其特征在于，所述控制模块包括控制单元、恒流驱动单元、信号转换单元、第一采样单元、第二采样单元和差分放...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆的预对准方法，采用晶圆的边缘检测装置对晶圆预对准，所述边缘检测装置包括控制模块、检测模块和移动平台；所述控制模块分别与所述检测模块和所述移动平台电连接；所述检测模块包括发光侧和受光侧，所述发光侧和所述受光侧相对设置且两者之间形成凹槽；其特征在于，所述控制方法包括：
2.根据权利要求1所述的预对准方法，其特征在于，旋转所述晶圆一周，获得各旋转角度对应的所述晶圆的边缘在所述检测模块上的遮挡距离，包括：
3.根据权利要求2所述的预对准方法，其特征在于，所述控制模块包括控制单元、恒流驱动单元、信号转换单元、第一采样单元、第二采样单元和差分放大单元；所述控制单元生成一对相反的lon频率信号和lof频率信号；所述lon频率信号用于控制所述恒流驱动单元输出恒定驱动电流；
4.根据权利要求1所述的预对准方法，其特征在于，旋转所述晶圆一周，获得各旋转角度对应的所述晶圆的边缘在所述检测模块上的遮...
【专利技术属性】
技术研发人员：耿晓杨，相宇阳，戴金方，王文超，
申请(专利权)人：无锡卓海科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。