制造纳米棒信息存储介质的方法技术

一种制造信息存储介质的方法，该方法包括以下步骤：利用具有多个纳米棒图案的掩模，通过溅射在基底上形成多个纳米棒记录层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的各方面涉及一种制造纳米棒(nanorod)信息存储介质的方法，通过该方 法使用了纳米棒的偏振吸收特性和波长吸收特性。
技术介绍
通常，具有预定长径比(aspect ratio)的纳米棒对预定波长的光表现出高吸收特 性，纳米棒的物理特性和光学特性可被应用到各种领域中。通常利用化学离析法(chemical eduction method)制造纳米棒。为了使用通过化学离析法制造的纳米棒，将纳米棒涂覆到 目标的表面，然后利用多种传统的固定方法使纳米棒固定到目标的表面。传统的固定方法 在许多方面具有缺点，因此在许多领域的应用受到限制。另外，根据化学离析法，在材料性 质方面，纳米棒的长径比的范围宽，但是不容易调节纳米棒的长径比。通过容易地 调节纳米 棒的长径比，可将纳米棒应用到更宽的领域范围，纳米棒可用于更广泛的目的。因此，需要 对容易地调节纳米棒的长径比进行研究。通过使用由于纳米棒的光学特性变化和纳米棒的取向方向的变化而出现的偏振 吸收特性，纳米棒可用于信息记录领域，其中，通过调节纳米棒的长径比导致纳米棒的光学 特性变化。
技术实现思路
本专利技术的各方面提供一种制造高密度容量信息存储介质的方法。根据本专利技术的一方面，提供一种制造信息存储介质的方法，该方法包括利用包括 与第一纳米棒阵列对应的多个第一图案的第一掩模，通过溅射在基底上形成第一纳米棒记录层。该方法还可包括利用分别具有不同取向角度的不同的多个图案的多个掩模，重 复地执行多次形成纳米棒记录层的步骤，来形成包括多个记录层的记录堆。形成纳米棒记录层的步骤可包括利用分别具有不同取向角度的不同的多个图案 的掩模来形成纳米棒记录层。形成纳米棒记录层的步骤可包括利用掩模通过沉积形成多个纳米棒；形成掩埋 所述多个纳米棒的埋层。该方法还可包括在纳米棒记录层之间形成隔层。该方法还可包括形成分别包括多个纳米棒记录层的多个记录堆，所述多个纳米 棒记录层通过重复地执行多次形成纳米棒记录层的步骤来形成；在所述多个记录堆的每个 之间形成隔层。根据本专利技术的另一方面，提供一种通过记录和/或再现设备实现的信息存储介质，所述信息存储介质包括第一纳米棒记录层，包括具有第一取向角度的第一纳米棒阵 列，以使记录和/或再现设备能够利用具有与第一取向角度平行的偏振方向的光来向第一 纳米棒记录层记录信息或从第一纳米棒记录层再现信息；第二纳米棒记录层，包括具有与 第一取向角度不同的第二取向角度的第二纳米棒阵列，以使记录和/或再现设备能够利用 具有与第二取向角度平行的偏振方向的光来向第二纳米棒记录层记录信息或从第二纳米 棒记录层再现信息。根据本专利技术的另一方面，提供一种将数据记录到信息存储介质的记录设备，所述信息存储介质包括包括具有第一取向角度的第一纳米棒阵列的第一纳米棒记录层和包括 具有与第一取向角度不同的第二取向角度的第二纳米棒阵列的第二纳米棒记录层，所述设 备包括光源，发射记录光；偏振调节器，设定发射的光的偏振方向；控制器，当在第一记录 层上记录数据时，控制偏振调节器以将发射的光的偏振方向设定为与第一取向角度平行， 当在第二记录层上记录数据时，控制偏振调节器以将发射的光的偏振方向设定为与第二取 向角度平行。根据本专利技术的又一方面，提供一种从信息存储介质再现数据的设备，所述信息存 储介质包括包括具有第一取向角度的第一纳米棒阵列的第一纳米棒记录层和包括具有 与第一取向角度不同的第二取向角度的第二纳米棒阵列的第二纳米棒记录层，所述设备包 括光源，发射再现光；偏振调节器，设定发射的光的偏振方向，控制器，当从第一记录层再 现数据时，控制偏振调节器以将发射的光的偏振方向设定为与第一取向角度平行，当从第 二记录层再现数据时，控制偏振调节器以将发射的光的偏振方向设定为与第二取向角度平 行。根据本专利技术的再一方面，提供一种将数据记录在信息存储介质上的方法，所述信 息存储介质包括包括具有第一取向角度的第一纳米棒阵列的第一纳米棒记录层和包括具 有与第一取向角度不同的第二取向角度的第二纳米棒阵列的第二纳米棒记录层，该方法包 括以下步骤发射记录光；当在第一记录层上记录数据时，利用记录设备将发射的光的偏 振方向控制为与第一取向角度平行，当在第二记录层上记录数据时，利用记录设备将发射 的光的偏振方向控制为与第二取向角度平行。根据本专利技术的另一方面，提供一种从信息存储介质在线数据的方法，所述信息存 储介质包括包括具有第一取向角度的第一纳米棒阵列的第一纳米棒记录层和包括具有与 第一取向角度不同的第二取向角度的第二纳米棒阵列的第二纳米棒记录层，该方法包括以 下步骤发射再现光；当从第一记录层再现数据时，利用再现设备将发射的光的偏振方向 控制为与第一取向角度平行，当从第二记录层再现数据时，利用再现设备将发射的光的偏 振方向控制为与第二取向角度平行。将在下面的说明中部分地阐述本专利技术的其它方面和/或优点，并且部分地将通过 描述而明白，或者可通过实施本专利技术而习知。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术的示例实施例，本专利技术的上述和其它特征和优点将 变得更加清楚，在附图中图IA示出了在光照射到金(Au)纳米棒上之前的Au纳米棒，以及根据Au纳米棒的长度的吸收波长峰值；图IB示出了 Au纳米棒的长径比的变化，以及根据Au纳米棒的长径比的变化的吸收波长峰值的移动；图2A示出了根据本专利技术实施例的制造信息存储介质的方法中所使用的基底；图2B示出了根据本专利技术实施例的制造信息存储介质的方法中所使用的掩模；图3A示出了根据本专利技术实施例的在制造信息存储介质的方法中所使用的通过使 用纳米棒结构来形成多个记录层的溅射工艺；图3B示出了在根据本专利技术实施例的制造信息存储介质的方法中形成的纳米棒；图4是示出根据入射光的偏振方向的金属纳米棒的光吸收特性的曲线图；图5示出了当分别利用水平偏振光和垂直偏振光在纳米棒记录层的相同区域中 记录字符“A”和“B”时，根据入射光的偏振方向的再现结果；图6A和图6B示意性地示出了根据本专利技术实施例的利用制造信息存储介质的方法 制造的信息存储介质；图7A是示出根据本专利技术实施例的制造图6A中示出的信息存储介质的方法的流程 图；图7B是示出根据本专利技术另一实施例的制造图6B中示出的信息存储介质的方法的 流程图；图8示意性地示出了根据本专利技术实施例的如在图6A和图6B中示出的第一至第四 纳米棒记录层；图9示意性地示出了根据本专利技术实施例的将图8中示出的第一至第四纳米棒记录 层重复地形成多次纳米棒记录堆的堆叠结构；图10示意性地示出了根据本专利技术另一实施例的如在图6A和图6B中示出的第一至第三记录层的三层结构；图11示意性地示出了根据本专利技术实施例的将图10中的第一至第三记录层重复地 形成多次纳米棒记录堆的堆叠结构；图12示意性地示出了根据本专利技术实施例的用于在如图6A和图6B中示出的信息 存储介质上记录信息或从如图6A和图6B中示出的信息存储介质再现信息的设备；图13和图14示意性地示出了根据本专利技术实施例的图12所示的设备中所使用的 光拾取器的主要光学结构。具体实施例方式现在将详细描述本专利技术的实施例，在附图中示出了实施例的示例，在附图中，相同 的标号始终表示相同的元件。下面通过参照附图来描述实施例，以解释本专利技术。应该理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造信息存储介质的方法，该方法包括以下步骤：利用包括与第一纳米棒阵列对应的多个第一图案的第一掩模，通过溅射在基底上形成第一纳米棒记录层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金朱镐，洪涛，金大焕，吴承真，崔善洛，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]