一种利用电磁力转移的mini-LED芯板制作方法及电路板技术

本发明专利技术提供了一种利用电磁力转移的mini

【技术实现步骤摘要】
一种利用电磁力转移的mini
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LED芯板制作方法及电路板


[0001]本专利技术涉及电路板生产
，尤其涉及一种利用电磁力转移的mini
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LED芯板制作方法及电路板。

技术介绍

[0002]mini
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LED芯板是一种新兴的显示技术，它是在传统LED（Light
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Emitting Diode，发光二极管）技术基础上的进一步发展。mini
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LED采用了更小尺寸的LED芯片，并将它们密集地组合在一个基板上，形成一个像素点阵列。与传统的LED显示技术相比，mini
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LED具有更高的像素密度和更高的亮度。
[0003]mini
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LED的核心技术是使用尺寸更小的LED芯片。传统的LED显示技术在一个LED芯片上通常只有一个独立的发光单元，而mini
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LED的LED芯片可以包含多个发光单元。这种设计使得mini
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LED芯板能够在相同面积上容纳更多的LED芯片，从而提升了显示的像素密度。由于mini
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LED使用了更小尺寸的LED芯片，它能够提供更高的色彩精度和更准确的局部调光控制，实现更高的对比度和更细致的画面细节，为显示器产品带来了显著的提升。尽管mini
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LED具有突出的优点和巨大的潜力，但由于mini
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LED芯片尺寸小，导致mini
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LED的生产难度大增，且制造工艺复杂、生产成本高，这大大限制了mini
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LED的推广应用。另外，由于mini
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LED制造过程中，需要将微小尺寸的芯片转移到基板上。由于mini
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LED的LED芯片尺寸小，现有的通过机械手获取LED芯片进行转移技术在转移精度上难以满足生产需求，导致mini
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LED的生产效率低，无法匹配市场对mini
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LED的需求。
[0004]因此，需要对现有的mini
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LED的生产过程进行改进，以克服现有技术的缺陷。

技术实现思路

[0005]为克服相关技术中存在的问题，本专利技术的目的之一是提供一种利用电磁力转移的mini
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LED芯板制作方法，该方法通过电磁印章来吸取LED晶粒实现晶粒的转移，能够快速高效地将晶粒转移至目标衬底上，有助于提高mini
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LED的生产效率，降低mini
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LED的生产成本。
[0006]一种利用电磁力转移的mini
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LED芯板制作方法，包括将LED晶粒转移到目标基板上；转移LED晶粒过程中，使用电磁印章吸取LED晶粒，所述电磁印章具有吸附面，通过改变所述吸附面对晶粒的吸附力，将吸取的晶粒放置在目标基板的预定位置。
[0007]在本专利技术较佳的技术方案中，所述电磁印章包括磁响应材料、磁力传递腔以及形变腔，所述形变腔设置在所述磁力传递腔的一侧壁，所述磁响应材料设置在所述磁力传递腔背离所述形变腔的一侧壁，所述形变腔上设有所述吸附面；所述磁力传递腔包括可形变的第一壳体，所述第一壳体内填充有液体；所述形变腔包括第二壳体，所述第二壳体设置在所述第一壳体的一侧，所述第二壳体内填充有气体；所述吸附面包括镶嵌在所述第二壳体上的磁性材料；所述磁响应材料为随磁场变化发生形变的磁响应薄膜。
[0008]所述电磁印章放置在磁场中，当磁场发生改变时，所述磁响应材料发生形变，并通过所述磁力传递腔将形变传递至所述形变腔，使得所述形变腔上的吸附面发生形变。
[0009]在本专利技术较佳的技术方案中，所述磁响应薄膜上设置有多个磁响应单元，多个所述磁响应单元在磁响应材料成M行*N列的矩阵式分布，每个所述磁响应单元之间通过间隔条连接，所述M、N均为大于2的自然数。
[0010]在本专利技术较佳的技术方案中，所述制作方法还包括制备LED晶粒，所述制备LED晶粒包括：在晶粒衬底上生长LED晶粒的起始层；在起始层上生长外延层；在生长了外延层的晶粒衬底上制作电极，并形成连接线路；将晶粒衬底上的多个晶粒分割成单个独立的晶粒；对分割后的单个晶粒进行表面处理及封装。
[0011]在本专利技术较佳的技术方案中，所述制作方法还包括制备目标基板，所述制备目标基板：获取目标基板板材；在目标基板板材进行表面处理，使得目标基板上形成LED晶粒的安装位；其中目标基板板材的材质为蓝宝石、玻璃或硅基板中的任意一种。
[0012]在本专利技术较佳的技术方案中，所述将LED晶粒转移到目标基板上后，还包括：通过激光3D成型工艺，在目标基板上制作电路，使得LED晶粒与目标基板的电路连通。
[0013]在本专利技术较佳的技术方案中，在辅助基板上制作电路图形，并将辅助基材上的电路图形转移到目标基板上；通过激光3D成型工艺，根据转移的电路图形在目标基板上制作电路，使得LED晶粒与目标基板的电路连通。
[0014]在本专利技术较佳的技术方案中，在LED晶粒与目标基板的电路连通后，还包括：将晶粒与目标基板进行一次封装；在封装后的目标基板上制备线路图形，并进行二次封装、激光清理、检测后，得到mini
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LED芯板成品。
[0015]本专利技术的目的之二是提供一种电路板，采用如上项所述的利用电磁力转移的mini
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LED芯板制作方法制备而成。
[0016]本专利技术的有益效果为：本专利技术提供的利用电磁力转移的mini
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LED芯板制作方法，该制作方法包括：将LED晶粒转移到目标基板上；转移LED晶粒过程中，使用电磁印章吸取LED晶粒，电磁印章具有吸附面，通过改变吸附面对晶粒的吸附力，将吸取的晶粒放置在目标基板的预定位置。该方法在制作mini
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LED芯板时，通过电磁印章来吸取LED晶粒实现晶粒的转移，能够快速高效地将晶粒转移至目标衬底上，相对现有的通过机械手获取转移LED芯片的技术而言，能够一次转移多颗LED芯片，工作效率高；而且转移过程中一次将多块LED芯片放置在预定位置，无需逐一将单个LED芯片与目标基板进行对位，能够保证mini
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LED芯板的质量。
[0017]本申请还提供利用上述的电磁力转移的mini
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LED芯板制作方法的来制作的电路
板，该电路板生产成本较低，质量可靠，具有较高的市场竞争力。
附图说明
[0018]图1是本专利技术的提供的利用电磁力转移的mini
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LED芯板制作方法的流程图；图2是本专利技术的提供的制备LED晶粒的流程图；图3是本专利技术的提供的电磁印章的结构示意图；图4是本专利技术的提供的磁响应单元在磁响应材料上设置的结构示意图。
[0019]附图标记：1、电磁印章；11、磁响应材料；111、磁响应单元；112、间隔条；12、磁力传递腔；121、第一壳体；122、液体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用电磁力转移的mini
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LED芯板制作方法，包括将LED晶粒转移到目标基板上，其特征在于：转移LED晶粒过程中，使用电磁印章吸取LED晶粒，所述电磁印章具有吸附面，通过改变所述吸附面对晶粒的吸附力，将吸取的晶粒放置在目标基板的预定位置；所述电磁印章包括磁响应材料、磁力传递腔以及形变腔，所述形变腔设置在所述磁力传递腔的一侧壁，所述磁响应材料设置在所述磁力传递腔背离所述形变腔的一侧壁，所述形变腔上设有所述吸附面；所述磁力传递腔包括可形变的第一壳体，所述第一壳体内填充有液体；所述形变腔包括第二壳体，所述第二壳体设置在所述第一壳体的一侧，所述第二壳体内填充有气体；所述吸附面包括镶嵌在所述第二壳体上的磁性材料；所述磁响应材料为随磁场变化发生形变的磁响应薄膜；所述电磁印章放置在磁场中，当磁场发生改变时，所述磁响应材料发生形变，并通过所述磁力传递腔将形变传递至所述形变腔，使得所述形变腔上的吸附面发生形变。2.根据权利要求1项所述的利用电磁力转移的mini
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LED芯板制作方法，其特征在于：所述磁响应薄膜上设置有多个磁响应单元，多个所述磁响应单元在磁响应材料成M行*N列的矩阵式分布，每个所述磁响应单元之间通过间隔条连接；其中，M、N均为大于2的自然数。3.根据权利要求1所述的利用电磁力转移的mini
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LED芯板制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括制备LED晶粒，所述制备LED晶粒包括：在晶粒衬底上生长LED晶粒的起始层；在起始层上生长外延层；在生长了外延层的晶粒衬底上制作电极，并形成连接线路；将晶粒衬底上的多个晶粒分割成单个独立的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜怡锋，陈蓓，徐华胜，刘勇，
申请(专利权)人：深圳明阳电路科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：