压电体膜制造技术

本发明专利技术涉及的压电体膜具备具有纤维锌矿型的晶体结构的压电材料作为主成分，所述压电体膜具有包含

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压电体膜、压电体膜的制造方法、压电组件和压电器件


[0001]本专利技术涉及压电体膜、压电体膜的制造方法、压电组件和压电器件。

技术介绍

[0002]压电体膜具有高压电性，因此具备压电体膜的压电组件例如，广泛用于压力传感器、加速度传感器等传感器、高频过滤器件、压电执行器等压电器件。
[0003]在基材等上使压电体膜结晶生长而形成时，通过使压电体膜的结晶沿c轴向取向化，从而压电体膜具有高压电特性，但是由于膜应力增大，因此压电体膜易于弯曲。因此，在设置压电体膜的基材为PET等低刚性基材的情况下，在基材上设置有压电体膜的层叠体产生翘曲，在翘曲过强的情况下，变形为筒状。另一方面，在基材为Si基板、玻璃基板等高刚性基材的情况下，由于压电体膜产生裂缝，基材与压电体层之间产生剥离变得容易，因此在将层叠体用于压电组件时，对于压电组件的压电特性带来不良影响。
[0004]因此，对于使压电体膜高取向化的同时抑制压电体膜的膜应力的方法进行了各种研究，提出了在基材与压电体膜之间配置有应力控制层的压电组件。
[0005]作为这样的压电组件，例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种压电体膜，其具备具有纤维锌矿型的晶体结构的压电材料作为主成分，所述压电体膜具有包含Kr的添加元素，所述压电材料包含选自由Zn、Al、Ga、Cd和Si所组成的组中的一种成分作为阳性元素，所述压电材料中的Kr元素的含量相对于含有元素的含量的比例为0.01atm％～0.05atm％。2.根据权利要求1所述的压电体膜，所述压电材料包含ZnO，结晶取向度为5
°
以下，膜密度为5.1g/cm3以下。3.根据权利要求1或2所述的压电体膜，所述压电材料包含ZnO，所述压电材料所包含的所述晶体结构的轴比c/a为1.59以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的压电体膜，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：圆冈岳，中村大辅，石川岳人，待永广宣，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：