一种三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型及其应用制造技术

本发明专利技术属于压电晶体应用技术领域，具体涉及一种三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型及其应用。所述三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型选自以下任意一种：厚度方向为X，长度方向为Y的晶片，以宽度w方向为旋转轴遵循右手螺旋法则转动θ角度获得的(XYw/θ)切型，42

【技术实现步骤摘要】
一种三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型及其应用


[0001]本专利技术属于压电晶体应用
，具体涉及一种三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型及其应用。

技术介绍

[0002]公开该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
[0003]压电晶体是一种能将电能和机械能相互转化的材料。压电效应分为正压电效应和逆压电效应两种，正压电效应可以将机械能转化为电能，是制作大多数压电式传感器的理论基础。随着科学技术的发展，高性能压电传感器在许多领域得到了广泛的应用，但在结构健康监测、石油勘测等领域需要压电传感器能够适应更宽的温度范围。这就要求压电材料不仅要具有较高的压电性能和机电性能，而且要求材料的压电性能和机电性能具有较高的温度稳定性。
[0004]在常见的压电材料中，压电陶瓷的压电系数(d
33
＝300～800pC/N)是比较突出的，但是由于大部分压电陶瓷在160～330℃区间内存在居里相变，使得压电陶瓷材料在该温度范围内极易本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型，其特征在于，选自以下任意一种：厚度方向为X，长度方向为Y的晶片，以宽度w方向为旋转轴遵循右手螺旋法则转动θ角度获得的(XYw/θ)切型，42
°
≤|θ|≤54
°
；厚度方向为X，长度方向为Z的晶片，以长度l方向为旋转轴遵循右手螺旋法则转动α角度获得(XZl/α)切型，30
°
≤|α|≤55
°
；厚度方向为Y，长度方向为X的晶片，以宽度w方向为旋转轴遵循右手螺旋法则转动β角度获得的(YXw/β)切型，35
°
≤|β|≤60
°
。2.如权利要求1所述的三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型，其特征在于，所述(XYw/θ)切型的有效压电系数|d
’
11
|为12.28pC/N～21.4pC/N。3.如权利要求1所述的三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型，其特征在于，所述(XYw/θ)切型的有效热膨胀系数α*
11
为10.0～24.0
×
10
‑6K
‑1。4.如权利要求1所述的三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型，其特征在于，所述(XZl/α)切型的有效压电系数d
’
16
为31pC/N～40pC/N。5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：于法鹏，徐梦妍，马志鸿，刘学良，
申请(专利权)人：山东新港电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：