压电层叠体及压电元件制造技术

本发明专利技术提供一种压电层叠体及压电元件，该压电层叠体在基板上依次具备下部电极层、压电膜，其中，下部电极层中的与压电膜接触的区域由金属层构成，金属层的(111)面相对于基板的表面具有1

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压电层叠体及压电元件


[0001]本专利技术涉及一种压电层叠体及压电元件。

技术介绍

[0002]作为具有优异的压电性及强介电性的材料，已知有锆钛酸铅(Pb(Zr，Ti)O3，以下称为PZT。)。PZT利用其强介电性而使用于非易失性存储器即FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory：铁电随机存取存储器)。此外，近年来，通过融合MEMS(Micro Electro
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Mechanical Systems：微机电系统)技术，具备PZT膜的MEMS压电元件逐渐被实际应用。PZT膜作为在基板上具备下部电极、压电膜、上部电极的压电元件中的压电膜来适用。该压电元件被开发成喷墨头(致动器)、微镜器件、角速度传感器、陀螺仪传感器及振动发电器件等各种器件。
[0003]在包含以上述PZT为代表的含有铅的钙钛矿型氧化物的压电膜中，在下部电极层上形成压电膜时，与下部电极层的界面容易生成杂质层即烧绿石相。由于烧绿石相为顺电性，因此当形成烧绿石相时，作为压电膜的介电常数及压电特性变差。将压电膜用作压电器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种压电层叠体，其在基板上依次具备下部电极层、压电膜，其中，所述下部电极层中的与所述压电膜接触的区域由金属层构成，所述金属层的(111)面相对于所述基板的表面具有1
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以上的斜率，所述压电膜包含含有Pb的钙钛矿型氧化物。2.根据权利要求1所述的压电层叠体，其中，构成所述金属层的金属为Ir、Pt、Au、Mo、Ta及Al中的至少1种。3.根据权利要求1或2所述的压电层叠体，其中，所述下部电极层具备：第1层，由所述金属层构成；及第2层，与所述第1层相邻，并且设置于所述基板侧，所述第2层将Ti及W中的至少一种作为主成分，并且包含大于5at％且小于50at％的氧或氮。4.根据权利要求1至3中任一项所述的压电层叠体，其中，在所述压电膜的X射线衍射图谱中，由下述式表示的所述压电膜中的烧绿石相相对于钙钛矿相的强度比率为2％以下，py(222)/{pr(100)+pr...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林宏之，梅田贤一，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：