带压电膜基板及压电元件制造技术

本发明专利技术提供一种带压电膜基板及压电元件，该带压电膜基板在基板上依次具备下部电极层及压电膜，其中，在将B设为钙钛矿型结构中的B位元素的情况下，压电膜包含：第1区域，包含由下述通式Pb

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带压电膜基板及压电元件


[0001]本专利技术涉及一种带压电膜基板及压电元件。

技术介绍

[0002]作为具有优异的压电性及强介电性的材料，已知有锆钛酸铅(Pb(Zr，Ti)O3，以下称为PZT。)。PZT利用其强介电性而使用于非易失性存储器即FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory：铁电随机存取存储器)。此外，近年来，通过融合MEMS(Micro Electro
‑
Mechanical Systems：微机电系统)技术，具备PZT膜的MEMS压电元件逐渐被实际应用。PZT膜作为在基板上具备下部电极、压电膜及上部电极的压电元件中的压电膜来适用。该压电元件被开发成喷墨头(致动器)、微镜器件、角速度传感器、陀螺仪传感器及振动发电器件等各种器件。
[0003]将具备PZT膜的压电元件适用于压电器件的情况下，希望PZT膜的绝缘破坏电压(以下，称为耐压。)高。对PZT膜的施加电压与电压位移量单纯地成正比，因此能够对耐压高的PZT膜施加高电压，能够获得更大的压电位移量。并且，从耐久性的观点考本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种带压电膜基板，其在基板上依次具备下部电极层及压电膜，其中，在将B设为钙钛矿型结构中的B位元素的情况下，所述压电膜包含第1区域及第2区域，所述第1区域包含由下述通式(1)表示的钙钛矿型氧化物，Pb
δ
BO3(1)1≤δ≤1.5所述第2区域包含由与所述第1区域相同的元素构成的由下述通式(2)表示的氧化物，Pb
α
BO3(2)δ/3≤α＜δ，所述第2区域设置于所述压电膜的与所述下部电极层相反的一侧的最表层。2.根据权利要求1所述的带压电膜基板，其中，在所述通式(1)中，B＝(Zr
x
Ti1‑
x
)1‑
y
M
y

【专利技术属性】
技术研发人员：中村诚吾，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：