用于转移异质结构的层的方法技术

一种用于将异质结构的层转移至受体衬底的方法，包括以下连续的步骤：提供由第一材料制成的供体衬底

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于转移异质结构的层的方法


[0001]本专利技术涉及将异质结构的层转移至受体衬底的方法。

技术介绍

[0002]在微电子领域，层转移方法用于将来自称为供体衬底的第一衬底的层转移至称为受体衬底的第二衬底。
[0003]因此，对于绝缘体上硅(semi
‑
conducteur sur isolant)衬底以及其他复合衬底(例如，绝缘体上压电层(pi
é
zo
é
lectrique sur isolant)衬底)的制备，智能剥离
TM
(Smart Cut
TM
)方法广为人知。该方法包括通过将原子物种注入供体衬底来形成弱化区域，以界定要转移的感兴趣的层，将供体衬底结合至受体衬底，然后沿着弱化区域分离供体衬底，从而将感兴趣的层转移至受体衬底。
[0004]在某些情况下，无法将来自供体衬底的层直接转移至受体衬底，例如，由于与转移方法相关的限制。更具体地，将供体衬底结合至受体衬底可以通过在两个衬底的每个衬底的表面上预先形成的氧化硅层来实现。然而，为了设法分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于将异质结构(H)的层转移至受体衬底(3)的方法，包括以下连续的步骤：
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提供第一材料的供体衬底(1)和第二材料的载体衬底(2)，
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将供体衬底(1)结合至载体衬底(2)，
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减薄供体衬底(1)，以形成在载体衬底(2)上包括减薄的供体衬底(10)的所述异质结构(H)，形成异质结构(H)进一步包括从供体衬底(1、10)去除外围部分的步骤，
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在减薄的供体衬底(10)中形成弱化区域(12)，以界定要转移的第一材料的层(11)，
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将所述异质结构(H)结合至受体衬底(3)，要转移的第一材料的层(11)位于结合界面，
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沿弱化区域(12)分离供体衬底(10)，以将第一材料的层(11)转移至受体衬底(3)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，从供体衬底(1)去除外围部分的步骤在供体衬底(1)结合至载体衬底(2)之前执行。3.根据权利要求1所述的方法，其中，从供体衬底(1)去除外围部分的步骤在供体衬底结合至载体衬底之后执行。4.根据权利要求3所述的方法，其中，从供体衬底去除外围部分进一步包括从面向所述供体衬底(1)的载体衬底(2)去除外围部分。5.根据权利要求3和4中任一项所述的方法，其中，从供体衬底(1)去除外围部分的步骤在供体衬底至少部分地减薄之后执行。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，供体衬底(1、10)通过聚合物结合层(4)结合至载体衬底(2)。7.根据权利要求6所述的方法，其中，从供体衬底(1、10)去除的外围部分距供体衬底的边缘的宽度在300μm至1000μm之间，优选地，在300μm至500μm之间。8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，供体衬底(1、10)通过分子粘附结合至载体衬底(2)。9.根据权利要求8所述的方法，其中，从供体衬底去除的外围部分距供体衬底的边缘的宽度在1mm至3mm之间，优选地，在2mm至3mm之间。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，去除外围部分包括：
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将供体衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：SOITEC，
类型：发明
国别省市：