使用量子点结构制造半导体结构和器件的方法及相关结构技术

制造光伏器件的方法包括在半导体材料上形成垂直堆叠设置的多个子电池，每个子电池是在与相邻子电池不同的温度下形成的，从而相邻子电池具有不同的有效带隙。制造方法还包括反转结构、将另一衬底附着到第二半导体材料上以及去除该衬底。例如，每个子电池可以包括III-氮化物材料，每个后续子电池可以包括不同于相邻子电池的铟含量。使用这种方法可以形成新颖的结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及半导体结构或器件的制造，例如包括量子点(quantum dot)结构的光伏器件，更特别地，涉及包括具有不同的有效带隙的多个吸收结构的中间结构。
技术介绍
太阳能是可以提供替代电能源的丰富资源。但是，太阳能在经济地收集、存储和运输方面可能存在问题。收集并利用太阳能的一种方式是通过将太阳能直接转换为电能的光伏(PV)电池来进行的。利用半导体材料中的i型(本征)、n型和ρ型导电区，从而产生当在半导体材料中形成电子-空穴对时所产生的光电压电势(photo-voltage potential) 和光电流，可以提供这种能量转换。这些电子-空穴对是作为光伏电池中的光子撞击的响应而形成的。半导体所吸收的能量取决于其特征带隙。半导体材料的“带隙能”被定义为使外层电子脱离其围绕原子核的轨道到自由状态所需要的能量。在半导体中，将电子从价带激发到半导体导带所需要的能量根据两个带之间的间隔(即带隙)而有所不同。不同的材料可能具有不同的特征带隙能。带隙工程是控制或改变材料的带隙的过程。光伏电池(PV)中所使用的常规的硅基半导体材料具有大约1. IeV的带隙能，也就是说只覆盖了在大约0. 4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·阿雷纳，H·麦克弗莱亚，
申请(专利权)人：SOITEC，
类型：发明
国别省市：