用于制备碳化硅基半导体结构和中间复合结构的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于制备半导体结构的方法，包括：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制备碳化硅基半导体结构和中间复合结构的方法


[0001]本专利技术涉及用于微电子组件的半导体材料领域
。
具体地，涉及用于制备包括有源层的半导体结构的方法，所述有源层由包括或旨在容纳电子组件的高质量的单晶碳化硅制成，所述有源层布置在由多晶碳化硅制成的载体层上
。
本专利技术还涉及在所述方法中获得的中间复合结构
。

技术介绍

[0002]由于碳化硅
(SiC)
可以提高能量处理能力，因此在过去几年中人们对这种半导体材料的兴趣大大增加
。SiC
越来越广泛地用于制备创新型功率器件，以满足电子领域中不断增长的需求，特别是例如电动车辆
。
[0003]与由硅制成的传统同系物相比，基于单晶碳化硅的功率器件和集成式电源系统能够管理更高的功率密度，并且具有更小尺寸的有源区域
。
为了进一步减小
SiC
上功率器件的尺寸，制备纵向而非横向组件是有利的
。
为此，组件的组装体必须允许布置在所述组装体的正面的电极与布置在背面的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种用于制备半导体结构
(100)
的方法，包括：
a)
提供由石墨制成的临时衬底
(1)
的步骤，石墨的晶粒尺寸在4微米至
35
微米之间
、
孔隙率在6％至
17
％之间并且热膨胀系数在
4.10
‑6/℃
至
5.10
‑6/℃
之间；
b)
直接在临时衬底
(1)
的正面
(1a)
沉积由多晶碳化硅制成的厚度在
10
微米至
200
微米之间的载体层
(2)
的步骤，
c)
直接或经由中间层将由单晶碳化硅制成的工作层
(3)
转移到载体层
(2)
的步骤，以形成复合结构
(10)
，所述转移实施通过分子粘附的结合，
d)
在工作层
(3)
形成有源层
(4)
的步骤，
e)
去除临时衬底
(1)
以形成半导体结构
(100)
的步骤，所述结构包括有源层
(4)、
工作层
(3)
和载体层
(2)。2.
根据前一权利要求所述的制备方法，其中，步骤
b)
的沉积还执行：
‑
在临时衬底
(1)
的背面
(1b)
形成第二载体层
(2')
，和
/
或
‑
在所述衬底
(1)
的外围边缘
(1c)。3.
根据前述权利要求中的一项所述的制备方法，其中，转移步骤
c)
包括：
‑
将轻物种引入由单晶碳化硅制成的供体衬底
(30)
中，以形成和供体衬底
(30)
的正面
(30a)
界定工作层
(3)
的掩埋弱化平面
(31)
，
‑
凭借通过分子粘附的结合，将供体衬底
(30)
的正面
(30a)
直接或经由中间层连接至载体层
(2)
，
‑
沿着掩埋弱化平面
(31)
进行分离，以将工作层
(3)
转移至载体层
(2)。4.
根据前一权利要求所述的制备方法，其中，所述中间层由钨
、
硅
、
碳化硅或其它导电或半导体材料形成
。5.
根据前述权利要求中的一项所述的制备方法，其中，步骤
d)
包括在工作层
(3)
外延生长由掺杂的单晶碳化硅制成的至少一个附加层，所述附加层形成有源层
(4)
的全部或部分
。6.
根据前述权利要求中的一项所述的制备方法，包括插入在步骤
d)
与步骤
e)
之间的在有源层
(4)
上和
/
或在有源层
(4)
中制备电子组件
(40)
的全部或部分的步骤
d')。7.
根据前述权利要求中的一项所述的制备方法，其中：
‑
步骤
e)
包括通过在施加机械应力后贯穿临时衬底
(1)
传播裂纹来机械剥离，裂纹基本上平行于临时衬底
(1)
与载体层
(2)

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：SOITEC，
类型：发明
国别省市：