硅片表面金属收集方法和控制设备技术

本发明专利技术提供了一种硅片表面金属收集方法和控制设备，属于半导体技术领域。所述硅片表面扫描方法包括：控制硅片扫描液在硅片表面执行如下运行步骤：直线运动步骤，所述直线运动步骤包括在所述硅片表面上由预设的初始位置点沿直线运动第一位置点；圆周运动步骤，所述圆周运动步骤包括在所述硅片表面上由所述第一位置点沿所述硅片的圆周方向运动至第二位置点；将所述初始位置点更新为所述第二位置点，循环执行所述直线运动步骤和所述圆周运动步骤，直到所述第一位置点与预设的终止位置点重合，扫描完所述硅片表面的预设区域。本发明专利技术能够实现除了螺旋扫描方式之外的扫描，丰富硅片表面的扫描方式和扫描区域的形状。片表面的扫描方式和扫描区域的形状。片表面的扫描方式和扫描区域的形状。

【技术实现步骤摘要】
硅片表面金属收集方法和控制设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是指一种硅片表面金属收集方法和控制设备。

技术介绍

[0002]目前硅片表面金属收集是利用如图1所示的金属收集装置，利用金属收集装置中的喷嘴(nozzle)吸取扫描液在硅片表面收集金属，通过电感耦合等离子体质谱(inductively coupled plasma
‑
mass spectrometry，ICP
‑
MS)检测扫描液中的金属含量。
[0003]现有技术中，硅片表面金属收集的实现方式为nozzle从硅片中心沿着硅片半径方向移动，同时金属收集装置中的硅片承载装置带动硅片转动，因此扫描方式是螺旋式扫描，螺旋式扫描导致金属收集区域主要是圆形(如图2所示)、环形(如图3所示)或扇形(如图4所示)，但是无法实现其他形状的金属收集区域的扫描。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种硅片表面金属收集方法和控制设备，用以解决现有的硅片表面金属收集方法中，只能通过螺旋式扫描方式进行硅片表面金属收集，扫描区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片表面金属收集方法，其特征在于，所述方法包括：控制硅片扫描液在硅片表面按照目标步骤运行，完成对所述硅片表面上预设区域的金属收集；其中，所述目标步骤包括：直线运动步骤，所述直线运动步骤包括在所述硅片表面上由预设的初始位置点沿直线运动第一位置点；圆周运动步骤，所述圆周运动步骤包括在所述硅片表面上由所述第一位置点沿所述硅片的圆周方向运动至第二位置点；将所述初始位置点更新为所述第二位置点，循环执行所述直线运动步骤和所述圆周运动步骤，直到所述第一位置点与预设的终止位置点重合，扫描完所述硅片表面的预设区域。2.根据权利要求1所述的硅片表面金属收集方法，其特征在于，所述初始位置点与所述第一位置点在所述硅片表面上相对于所述硅片的目标直径对称。3.根据权利要求2所述的硅片表面金属收集方法，其特征在于，在所述硅片表面与所述目标直径平行的方向上，所述第一位置点和所述第二位置点之间间隔预设距离。4.根据权利要求3所述的硅片表面金属收集方法，其特征在于，所述预设距离等于硅片扫描液滴落在所述硅片表面的直径。5.根据权利要求1所述的硅片表面金属收集方法，其特征在于，所述直线运动步骤具体包括：在所述硅片表面上由预设的初始位置点朝向预设方向沿直线运动，直到运动至所述第一位置点。6.根据权利要求1所述的硅片表面金属收集方法，其特征在于，所述圆周运动步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：段应娇，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：