功分器和射频微波系统技术方案

本发明专利技术实施例公开了一种功分器和射频微波系统，通过设置功分器的功分支路包括连接在功分支路的输入端和功分支路的输出端之间的低频拓宽模块，低频拓宽模块包括π型电阻式衰减器和第一电容，第一电容连接并联在π型电阻式衰减器的第一端和第二端之间。其中，π型电阻式衰减器的设置，可以通过牺牲低频的插入损耗来提高功分器在低频处的隔离度和回波损耗，从而拓展低频工作带宽。第一电容连接并联在π型电阻式衰减器的第一端和第二端之间，可以使得功分器输入端所输入信号中的高频部分会通过第一电容直接到达对应功分支路的输出端，因此高频部分的信号基本不会衰减，高频部分的插入损耗也基本不会被牺牲掉，进而保证功分器在高频处的电性能。高频处的电性能。高频处的电性能。

【技术实现步骤摘要】
功分器和射频微波系统


[0001]本专利技术实施例涉及通信
，尤其涉及一种功分器和射频微波系统。

技术介绍

[0002]功分器是射频微波系统的关键部件，对整个系统的各个指标有着重要影响。
[0003]功分器通常包括多个支路，支路中包括电阻、电容、电感等电路器件，功分器可以将一路输入信号分成多路相等或不相等的信号，从多个支路输出。
[0004]然后，现有功分器很少能覆盖到低频段，比如1GHz一下甚至更低的频段。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种功分器和射频微波系统，以实现拓展低频工作带宽，并保证高频处的电性能。
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供了一种功分器，包括：输入端、至少两个输出端以及至少两个功分支路；
[0007]功分支路的输入端与功分器的输入端电连接，功分支路的输出端与功分器的输出端一一对应电连接；功分支路包括连接在功分支路的输入端和功分支路的输出端之间的低频拓宽模块，低频拓宽模块包括π型电阻式衰减器和第一电容，第一电容连接并联在π型电阻式衰减器的第一端和第二端之间，其中，π型电阻式衰减器的第一端连接低频拓宽模块的输入端，π型电阻式衰减器的第二端连接低频拓宽模块的输出端。
[0008]可选的，π型电阻式衰减器包括第一电阻、第二电阻和第三电阻，第一电阻连接在低频拓宽模块的输入端和低频拓宽模块的输出端之间；第二电阻的第一端与第一电阻的第一端电连接，第二电阻的第二端接地；第三电阻的第一端与第一电阻的第二端电连接，第二电阻的第二端接地；
[0009]其中，第一电阻的第一端作为π型电阻式衰减器的第一端，第一电阻的第二端作为π型电阻式衰减器的第二端。
[0010]可选的，功分支路还包括阻抗变换模块，阻抗变换模块的输入端与功分支路的输入端电连接，阻抗变换模块的输出端与低频拓宽模块的输入端电连接，阻抗变换模块用于进行阻抗变换以提高功分器的工作频带宽度。
[0011]可选的，阻抗变换模块包括连接在阻抗变换模块的输入端和输出端之间的至少两级阻抗变换单元，阻抗变换单元包括电感和第二电容，各级阻抗变换单元的电感串联在阻抗变换模块的输入端和输出端之间；第二电容的第一端与对应的电感的第一端连接，第二电容的第二端接地，其中第一级阻抗变换单元的电感的第一端与功分支路的输入端电连接，第一级阻抗变换单元的后级阻抗变换单元的电感的第一端与前一级阻抗变换单元的电感的第二端电连接。
[0012]可选的，功分器还包括至少两个隔离电阻，隔离电阻设置于不同功分支路的同级阻抗变换单元的输出端之间，其中阻抗变换单元的输出端连接阻抗变换单元中电感的第二
端。
[0013]可选的，各功分支路中，第一级阻抗变换单元的等效阻抗至最后一级阻抗变换单元的等效阻抗逐渐减小。
[0014]可选的，功分器集成于电路板上。
[0015]可选的，功分器采用GaAs工艺制备。
[0016]可选的，功分器的长小于或等于1.9毫米，功分器的宽小于或等于1.9毫米，功分器的高小于或等于0.1毫米。
[0017]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种射频微波系统，包括第一方面的功分器。
[0018]本专利技术实施例的功分器和射频微波系统，通过设置功分器的功分支路包括连接在功分支路的输入端和功分支路的输出端之间的低频拓宽模块，低频拓宽模块包括π型电阻式衰减器和第一电容，第一电容连接并联在π型电阻式衰减器的第一端和第二端之间。其中，π型电阻式衰减器的设置，可以通过牺牲低频的插入损耗来提高功分器在低频出的隔离度和回波损耗，从而拓展低频工作带宽。第一电容连接并联在π型电阻式衰减器的第一端和第二端之间，可以使得功分器输入端所输入信号中的高频部分会通过第一电容直接到达对应功分支路的输出端，因此高频部分的信号基本不会衰减，高频部分的插入损耗也基本不会被牺牲掉，进而保证功分器在高频处的电性能。
附图说明
[0019]图1是本专利技术实施例提供的一种功分器的电路结构示意图；
[0020]图2是本专利技术实施例提供的另一种功分器的电路结构示意图；
[0021]图3是本专利技术实施例提供的一种功分器芯片的结构示意图；
[0022]图4是本专利技术实施例提供的功分器的插入损耗的仿真图；
[0023]图5是本专利技术实施例提供的功分器的隔离度的仿真图；
[0024]图6是本专利技术实施例提供的功分器的输入端的回波损耗的仿真图；
[0025]图7是本专利技术实施例提供的功分器的输出端的回波损耗的仿真图。
具体实施方式
[0026]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0027]图1是本专利技术实施例提供的一种功分器的电路结构示意图，参考图1，该功分器，包括：输入端IN、至少两个输出端OUT以及至少两个功分支路100(图1中示例性示出了功分器包括两个功分支路100的情况)；
[0028]功分支路100的输入端与功分器的输入端IN电连接，功分支路100的输出端与功分器的输出端OUT一一对应电连接；功分支路100包括连接在功分支路100的输入端和功分支路100的输出端之间的低频拓宽模块110，低频拓宽模块110包括π型电阻式衰减器和第一电容C1，第一电容C1连接并联在π型电阻式衰减器的第一端和第二端之间，其中，π型电阻式衰减器的第一端连接低频拓宽模块110的输入端，π型电阻式衰减器的第二端连接低频拓宽模块110的输出端。
[0029]其中，功分器的指标包括插入损耗、功分器输入端/输出端的回波损耗、输出端之间的隔离度，其中功分器的工作带宽与上述指标相关。本实施例中，设置功分支路100包括低频拓宽模块110，低频拓宽模块110包括π型电阻式衰减器111，可以通过牺牲低频的插入损耗来提高功分器在低频出的隔离度和回波损耗。其中低频至少覆盖到1GHz及1GHz以下的频率，在本专利技术部分可选实施例中，低频可以包括直流范围。
[0030]参考图1，π型电阻式衰减器111包括第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，第一电阻R1连接在低频拓宽模块110的输入端和低频拓宽模块110的输出端之间；第二电阻R2的第一端与第一电阻R1的第一端电连接，第二电阻R2的第二端接地；第三电阻R3的第一端与第一电阻R1的第二端电连接，第二电阻R2的第二端接地；其中，第一电阻R1的第一端作为π型电阻式衰减器111的第一端，第一电阻R1的第二端作为π型电阻式衰减器111的第二端。
[0031]由于π型电阻式衰减器111的设置，会牺牲掉功分器在整个频带内的插入损耗，而高频处带宽无需通过π型电阻式衰减器111来进行拓宽。本实施例中，设置低频拓宽模块110还包括第一电容C1，由于电容具有通交流隔直流，通高频阻低频的属性，则第一电容C1并联在π型电阻式衰减器111的第一端和第二端之间，可以使得功分器输入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功分器，其特征在于，包括：输入端、至少两个输出端以及至少两个功分支路；所述功分支路的输入端与所述功分器的输入端电连接，所述功分支路的输出端与所述功分器的输出端一一对应电连接；所述功分支路包括连接在所述功分支路的输入端和所述功分支路的输出端之间的低频拓宽模块，所述低频拓宽模块包括π型电阻式衰减器和第一电容，所述第一电容连接并联在所述π型电阻式衰减器的第一端和第二端之间，其中，所述π型电阻式衰减器的第一端连接所述低频拓宽模块的输入端，所述π型电阻式衰减器的第二端连接所述低频拓宽模块的输出端。2.根据权利要求1所述的功分器，其特征在于，所述π型电阻式衰减器包括第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一电阻连接在所述低频拓宽模块的输入端和所述低频拓宽模块的输出端之间；所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第一端电连接，所述第二电阻的第二端接地；所述第三电阻的第一端与所述第一电阻的第二端电连接，所述第二电阻的第二端接地；其中，所述第一电阻的第一端作为所述π型电阻式衰减器的第一端，所述第一电阻的第二端作为所述π型电阻式衰减器的第二端。3.根据权利要求1所述的功分器，其特征在于，所述功分支路还包括阻抗变换模块，所述阻抗变换模块的输入端与所述功分支路的输入端电连接，所述阻抗变换模块的输出端与所述低频拓宽模块的输入端电连接，所述阻抗变换模块用于进行阻抗变换以提高所述功分器的工作频带宽度。4.根据权利要求3所述的功分器，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾令珂，黄军恒，
申请(专利权)人：合肥芯谷微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：